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A newly designed sample-and-hold(S/H) integrated circuit based on the 1.5 micron N-well CMOS technology for 8-bit high-speed analog to digital converter is described. It can realize the 40-MHz sampling rate and 8-bit resolution. The good performance of S/H circuit benefits from the use of a newly designed regulated cascode operator amplifier, which has a DC gain of 140-dB, unity-gain bandwidth of 407-MHz, phase margin of 53 degree and power consumption of 90mW. It is superior to the operator amplifier of 60-dB, 107-MHz, 13 degree, and 33mW respectively, which is used in the similar S/H circuit based on the 0. 8 micron technology and designed by Michio Yotsuyanagi. 相似文献
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设计了一种高精度采样保持放大器.采用6 μm高压双极工艺,优化了电路输入结构,弥补了实际工艺制作中因输入晶体管及偏置电阻不能完全匹配所带来的输出误差.测试结果显示,该放大器能在6 μs的时间内完成采样,可满足12位A/D转换器的精度要求. 相似文献
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设计了采用SMIC0.18μm RF CMOS工艺的共源共栅NMOS结构的增益可变的差动式低噪声放大器。在考虑了ESD保护pad和封装寄生效应后,着重对低噪声放大器的输入阻抗匹配、增益以及共源共栅级联结构下的噪声系数、线性度等进行了一系列分析,并提出了优化措施。芯片测试结果表明:在1.56GHz中心频率下,-3dB带宽约为150MHz,输出最大电压增益为27dB,此时噪声系数NF约为2.33dB,IIP3约为4.0dBm,可变增益范围为7dB。在3.3V电源电压下消耗电流8.2mA。此设计方法可以应用到诸如GSM、GPS等无线接收机系统中。 相似文献
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设计了一种CMOS宽带、低功耗可变增益放大器.在分析使用源极退化电阻的共源放大器高频特性基础上,通过加入频率补偿电容改变放大器的零极点分布,在不增加功耗的情况下扩展了带宽.分析了放大器在低增益下出现的增益尖峰现象并加以解决.使用跨导增强电路提高了放大器的线性度.两级可变增益放大器使用TSMC0.25μm CMOS工艺.仿真结果表明,放大器在3.3V电压下核心电路功耗为3.15mW,增益范围0~40dB;在负载为5pF电容时3dB带宽大于340MHz,输出三阶交调点高于3.5dBm. 相似文献
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设计了一种CMOS宽带、低功耗可变增益放大器.在分析使用源极退化电阻的共源放大器高频特性基础上,通过加入频率补偿电容改变放大器的零极点分布,在不增加功耗的情况下扩展了带宽.分析了放大器在低增益下出现的增益尖峰现象并加以解决.使用跨导增强电路提高了放大器的线性度.两级可变增益放大器使用TSMC0.25μm CMOS工艺.仿真结果表明,放大器在3.3V电压下核心电路功耗为3.15mW,增益范围0~40dB;在负载为5pF电容时3dB带宽大于340MHz,输出三阶交调点高于3.5dBm. 相似文献
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提出了一种CMOS SRAM读出灵敏放大器的新结构。该放大器同传统的PMOS电流镜放大器和PMOS交叉耦合放大器相比,具有速度快、增益大、功耗小等特点,可广泛应用于SRAM的设计中。最后,用HSPICE的仿真结果证明了该设计的正确性及其优点。 相似文献
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SDH系统STM-16速率级CMOS限幅放大器 总被引:9,自引:1,他引:8
本文提出了用于 SDH系统 STM- 16速率级光接收机中主放大器的 CMOS限幅放大器的设计方法。此限幅放大器由输入缓冲、主放大单元、输出缓冲、偏置补偿电路四部分组成。当限幅放大器工作在2 .5 Gbit/ s时 ,输入动态范围为 49d B,5 0 Ω负载上的输出限幅在 80 0 m V,利用 3.3V电源供电 ,功耗约为 5 0 m W。 相似文献
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一种低电压全摆幅CMOS运算放大器 总被引:4,自引:0,他引:4
提出了一种工作于 3 V电压、输入输出均为全摆幅的两级 CMOS运算放大器。为使放大器有较小的静态功耗 ,运算放大器的输入级被偏置在弱反型区 ;输出级采用甲乙类共源输出级 ,以达到输出电压的全摆幅。模拟结果显示 ,在 1 0 kΩ负载下 ,运算放大器的直流开环增益为 81 d B,共模抑制比 91 d B;在 3 p F电容负载下 ,其单位增益带宽为 1 .8MHz,相位裕度 5 9° 相似文献
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完成了一种桥式连接音频功率放大器的仿真和设计。该音频功率放大器的主体为桥式连接的两个运算放大器,使用尽可能小的外部组件提供高质量的输出功率,不需要输出耦合电容、 自举电容和缓冲网络。应用Cadence的Spectre模拟仿真工具进行电路仿真,得到其电路指标如频响特性、电源电压抑制比、总谐波失真等均达到要求。该音频功率放大器具有良好的市场应用前景。 相似文献
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给出了一种可应用于中国移动多媒体广播(CMMB)调谐器的宽带(470~860 MHz)可编程增益低噪声放大器。该电路在UMC 0.18μm RF CMOS工艺下实现,芯片面积为0.37 mm2(不包括ESD pad)。芯片测试结果表明,在1.8 V的电源电压下功耗为30.2 mW,该电路可实现-6.8~32.4 dB的增益动态变化范围,0.5 dB步长,最高增益下单端信号噪声系数小于3.8 dB。 相似文献
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低电压满电源幅度CMOS运算放大器设计 总被引:1,自引:0,他引:1
回顾了在标准 CMOS工艺下 ,满幅度运放设计的各个发展阶段 ,结合笔者实际设计和测试的相关电路 ,较为详细地评述了它们的设计方法和各自的优缺点 ,着重阐述了低工作电压设计思想和如何做到输入级跨导的满幅度范围内恒定 ,使读者清楚了解该类运放的各自特点和发展趋势 ,为数模混合设计和系统级集成设计中采用何种运放结构提供了参考。在此基础上 ,提出了一种共模偏置电压具有严格的对称性能的新型满电源幅度运算放大器结构。 相似文献
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本文描述了一个共源共栅差分输入级、电流镜偏置输出级结构的两级CMOS运放,它对常规运放的电源电压抑制比、增益、输出驱动能力、噪声、失调等有显著的改善。文中对运放的工作原理及设计技术等进行了详细的叙述,并采用标准CMOS工艺进行了投片试制和采用SPICE进行了电路模拟。结果令人满意,达到了设计指标,证明了设计理论的正确性。该运放已成功地应用于开关电容滤波器芯片的制造。 相似文献
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采用TSMC 0.18μm RF CMOS工艺设计实现了一种对数增益线性控制型的宽带可变增益放大器.电路采用两级结构,前级采用电压并联负反馈的Cascode结构以实现良好的输入匹配和噪声性能;后级采用信号相加式电路实现增益连续可调.同时本文设计了一种新型指数控制电压转换电路,解决了射频CMOS电路中,由于漏源电流与栅源电压通常不为指数关系而造成放大器对数增益与控制电压不成线性关系的难题,实现了可变增益放大器的对数增益随控制电压呈线性变化.芯片测试结果表明,电路在1.8V电源电压下,电流为9mA,3dB带宽为430~2330MHz.增益调节范围为-3.3~9.5dB,最大增益下噪声系数为6.2dB,最小增益下输入1dB压缩点为-9dBm. 相似文献