BaGa4的X一射线多晶结构分析

X一射线多晶结构分析表明,Ba-Ga二元系在Ga含量}80at%区域,只存在Bata,一种金属间相,属四方晶系,14/mmm空间群,晶胞参数为。=b=4.5661(4)人,c=10.778(3)入.与文献上报导的Bata,多晶X一射线衍射谱比较,本文所得衍射谱与根据Bata。单晶结构参数计算所得的多晶粉未衍射谱吻合得更好,因此可以用作Bata,的标准粉未衍射谱.     

BaGa4的X—射线多晶结构分析

X-射线多晶结构分析表明,Ba-Ga二元系在Ga含量≥80at%区域,只存在BaGa_4一种金属间相,属四方晶系,I4/mmm空间群,晶胞参数为a=b=4.5661(4)?,c=10.778(3)?.与文献上报导的BaGa_4多晶X-射线衍射谱比较,本文所得衍射谱与根据BaGa_4单晶结构参数计算所得的多晶粉未衍射谱吻合得更好,因此可以用作BaGa_4的标准粉未衍射谱     

SiH4凝聚态结构的近边X射线吸收精细结构研究

用多重散射团簇方法对低温下凝聚态SiH-4进行了Si的1 s NEXAFS理论研究,对不同的模型研究表明,此时凝聚相SiH-4形成链状结构.     

碳式碳酸钴分解产物的微量粉末X射线衍射分析

研究了碱式碳酸钴的氮气中的热分解反应,测定了其热重分析曲线,并用微量粉末X射线衍射法（样品重量约6mg)对其热分解的固体残留物进行了表征。实验结果表明：在339－394℃温度范围内生成尺寸16－18nm的Co3O4与CoO纳米晶混合物,在700℃的最终产物为尖晶石型Co2O4.计算的晶胸参数为：α=0.8084nm,V=0.5283nm^3,Z=8,Dcalc=6.073g/cm^3,与常规X射线衍射分析的结果相一致。     

X射线衍射法研究Ni0在不同载体上的状态

在Si02、TiOz、y-Ai z0,、EDTA一Y-Al z0,、CH, INTO:一Y-A120同量的Ni0，用X射线衍射相定量方法和晶粒大小测定方法研究Ni0的溃负载不Ni0有晶态同非晶态二种状态，每100平方米表面积载体上非晶态Ni0的闭值:Ti0:上为。.038克，Si0:上为0.021克，y-Al 2o:上为0.129克，EDTA-y"A120，上为0.1“克，CH,NO,-y-A1,0:上为。.080克.晶态Ni0的晶粒大小随晶态量的增加而增大，增大趋势又受载体的孔结构影响.     

农垦58s育性转换期间叶片核蛋白因子与LRE结合研究

运用人工合成的ＬＲＥ序列，采用Ｂａｎｄｓｈｉｆｔａｓｓａｙ方法分析了农垦５８ｓ和农垦５８品种叶片中核蛋白因子与ＬＲＥ的结合反应．研究结果表明：在农垦５８Ｓ的育性转换敏感期叶片中存在与ＬＲＥ结合的核蛋白因子，这种核蛋白因子受磷酸化的调节；认为在长日照下农垦５８ｓ叶片中的核蛋白因子以磷酸化的形式与ＬＲＥ结合，磷酸化促进了核蛋白二聚化过程．同时比较了农垦５８ｓ和农垦５８品种叶片中核蛋白因子与ＬＲＥ结合反应的差别，二者的叶片中的核蛋白不仅与ＬＲＥ的结合活性存在差异，而且其调节方式明显不同．     

环境因子对二型态银耳节孢子形态转换的影响

研究了氮源、碳源、碳氮比、pH值、温度、培养时间和香灰菌胞外液7种环境因子对银耳节孢子酵母型细胞向菌丝型细胞形态转换的影响．结果表明：7种环境因子对银耳节孢子形态转换均有一定的影响，其中经过滤除菌的香灰菌胞外液在液体培养基中的影响最大，菌丝型细胞占节孢子总数的9．89％；碳氮比总体水平上对形态转换影响较小，不同碳氮比条件下的菌丝型比率均小于2．40％；固体培养时pH3条件对形态转换的影响最小，菌丝型比率为0．04％．此外，各环境因子对节孢子形态转换的影响因固体和液体培养环境的不同而呈现一定差别．     

Nd掺杂的Bi4Ti3O12变温X射线衍射分析

利用变温X射线衍射技术，在预烧过程中分析了Nd掺杂Bi4Ti3O12后生成Bi3.15Nd0.85Ti3O12（BNT）相的形成过程以及微结构的变化．实验观察到以30℃／min的升温速率，BNT相在700℃时开始形成，其衍射峰强度随温度的继续升高而增强，衍射峰半高宽随烧结时间延长而减小．X射线衍射分析结果表明，在900℃恒温条件下，烧结约2h，可形成单一的BNT相．     

SiH4凝聚态结构的近边X射线吸收精细结构研究

用多重散射团簇方法对低温下凝聚态SiH-4进行了Si的1 s NEXAFS理论研究,对不同的模型研究表明,此时凝聚相SiH-4形成链状结构.     

CO在NiO（100）面上吸附的近边X射线吸收精细结构理论分析

用多重散射团簇 (MSC)理论对 CO在 Ni O(10 0 )面吸附的碳 1s近边 X射线吸收精细结构(NEXAFS)实验谱进行了定量分析 ,研究了该系统可能出现的吸附模型 .MSC方法分析表明 CO是以 C原子朝下 ,吸附在衬底的 Ni- O键桥上 ,R- factor(可靠性因子 )计算显示 C原子的吸附位置距 Ni原子0 .0 9nm,CO分子中 C原子距衬底的吸附高度为 0 .31± 0 .0 1nm.本文讨论了在 Ni O表面吸附的 CO分子σ键的物理本质 .与 CO在过渡金属 Ni,Cu等表面吸附不同 ,σ共振对于 CO键长的依赖不明显     

热氧化硅内表面的结构与特性

对氧离子注入硅与热氧化硅样品内表面的氧分布进行了剖面观测,两者经过磨角的光学界面类同。用二次离子质谱（SIMS）分析,发现热氧化硅内表面的氧含量高达1020/cm3数量级。经过热氧化的硅与氧注入硅的表面都清楚地显示出一种电化学染色效应。最后,讨论了氧施主界面态问题。     

X与序列空间E(X)之间的一些性质

<正> 一个赋范线性空间X是可以用列序方法加以扩充,[参看1]。用什么方法构成序列空间E(X)?它们之间有什么关系及有何性质?本文的目的,就是讨论;赋范空间及双范空间X与E(X)之间的若干性质,亦即它们的对偶性质。现在先叙述E(X)的构成,[2]     

电能存储与转换技术研究的机遇与挑战

<正>清洁高效的可再生能源技术是人类社会实现可持续、高质量发展的必由之路。电能存储技术是实现电网稳定与智能化、可再生能源的高效利用,以及电气化交通的关键技术。电能与物质之间的转换则是实现“双碳”目标与循环经济的重要途径。因此,基于材料电化学的电能存储与转换技术迎来了前所未有的机遇,在机理、关键材料、性能、器件等方面取得丰硕成果的同时,也面临一些重大挑战。     

Moore机与 Mealy机之间的转换研究

本文从本质上归纳了二种时序机 Mealy机与 Moore机之间的转换效果 ,根据二者的输出序列 相差一个时     

UML时序图向PNML转换的研究与实现

对已有行为模型向Petri网的转换机制进行对比分析,提出改进的UML2时序图到Petri网的转换规则,实现了时序图向Petri网标记语言转换的工具.实验结果表明,本文提出的工具能有效地将时序图转化为Petri网模型并生成相应PNML文件,进而更好地对UML模型进行分析和验证.     

电磁齿轮磁场的分析与计算

电磁齿轮是由在产生磁场的载流线圈周围布以磁性材料的齿所构成,电磁齿轮系统通过电磁吸引力来实现传动,本文对电磁齿轮周围磁场的分析与计算,为电磁齿轮传动系统控制模型的建立与研究提供了理论根据。     

微波视距电路的计算与测试

一、前言微波中继通讯是现代化通讯的方式之一。新中国成立以来,我国的无线电中继通信事业有很大的发展,尤其是经过无产阶级文化大革命后,基本上建立成了以北京为中心联接全国各地及世界上一些地区的无线电中继通信网。随着工农业生产的进一步发展,可以预料,在一些大型的工业企业,特别是石油和天然气、铁路运输、电力、冶金、林业等部门,将会逐渐发展这种通信方式。     

卷云相函数的计算与分析

使用Mie散射理论和FDTD(finite difference time domain)算法,计算了冰晶粒子及其组成的卷云在2.14μm和3.72μm的相函数,讨论了冰晶组分、分布规律、波长及平均有效尺度对其影响.计算结果表明,入射光波长和有效尺度对卷云相函数起主要影响作用,而卷云的冰晶组分和分布规律对其影响不显著.     

高斯和与有理点的计算

计算有限域上代数簇有理点个数是有限域研究中的重要课题. 设为q元有限域, f是上的非零多项式, D_f为其次数矩阵, 用N(f)表示超曲面f=0在上的有理点个数. 若D_f在剩余类环中与整数矩阵A行等价, 则记为D_f ~_qA. 利用高斯和给出了当D_f ~_q diag(), 其中∈{1, p₁}, p₁为q-1的一个素因子时N(f) 的具体表达式, 从而推广了已知的结论.     

冶金级硅中杂质的表面吸附与去吸附除杂

对冶金级硅的物理提纯因可望成为低成本太阳能级硅生产技术而受到各国高度关注.利用硅中杂质的表面吸附偏聚,对冶金级硅粉进行酸洗去吸附除杂.并尝试在此后进行高温退火以再次造成表面扩散偏聚,然后继以二次酸洗去吸附除杂.结果表明这种技术对硅中金属杂质有一定除杂效果,可以作为进一步提纯前的预处理;高温退火后二次酸洗能够进一步降低杂质含量,但效果并不显著,难于生产应用.扩散计算表明,高温退火偏聚处理对较重金属杂质有效,而对B、P杂质则几乎没有效果.