激光化学液相次序选择腐蚀新方法

提出了一种激光诱导液相腐蚀新方法———次序选择腐蚀法。次序选择腐蚀是指在激光化学液相腐蚀中,腐蚀溶剂不是混合后同时作用于基片,而是按照溶剂的性能,分先后对基片进行腐蚀。实质上是采用微处理(表面处理)再进行混合液相激光辅助下的腐蚀。理论分析和实验结果都表明,与国内外研究普遍采用的混合溶剂腐蚀法相比,次序选择腐蚀可以有效地提高腐蚀表面的均匀性;因先采用H2O2对基片进行化学腐蚀处理,大大缩短了激光化学腐蚀的时间;利用溶剂分开,降低了激光化学腐蚀对混合溶剂精确配比的要求,使激光化学腐蚀控制和分析更加简单。这种方法可以克服常规方法的诸多弊端,提高腐蚀性能,在特殊结构光电器件和光电集成中具有广泛的应用前景。     

电极距离对激光电化学刻蚀速率及钻蚀的影响

利用溶液回路电流和红外热像监测,研究了电极距离对半导体激光电化学刻蚀速率和电化学横向钻蚀特性的影响.实验结果表明,电极距离由15 cm缩短为5 cm后,回路电流数值增大,其变化率增加约15.4%,等量化学热生成时间至少缩短2/3,说明缩短电极距离使半导体激光电化学刻蚀速率加快;当电极距离分别为20、15、10和5 cm时,垂直晶向刻蚀50 μm直线凹槽,所得凹槽实际宽度分别为100、85、70和60 μm,其晶向影响受到明显抑制,横向钻蚀大幅减小.研究结果说明,通过电极距离调节这一简单方式,有可能解决激光电化学刻蚀速度慢、横向钻蚀严重等难题.     

一种新的激光诱导液相腐蚀法制作GaAs腐蚀孔

提出了一种掩膜投影的激光诱导液相腐蚀方法,采用波长0．53μm的倍频Nd：YAG连续激光器、镀Cr掩膜板、H2SO4和H2O2混合溶液,在GaAs基片上制作腐蚀孔。通过对腐蚀原理的分析,对影响加工精度的溶液配比和激光功率密度进行了实验研究,得出了H2SO4：H2O2：H2O=4：1：20、激光功率密度11．7W／cm^2的最佳实验组合,并在此条件下得到了直径为30μm的高质量腐蚀孔。通过对腐蚀孔的横向与底面形状的分析,从改进实验装置和进行激光束空间整形2方面提出了改进的方法．对提高掩膜投影法的加工精度具有重要意义。     

半导体激光诱导液相腐蚀精度的提高方法

从半导体激光诱导液相腐蚀的工艺原理出发,对影响刻蚀精度的主要因素进行了分析研究,从刻蚀图像分辨率、侧壁垂直度及底面平坦度、表面均匀化三个方面提出了改善刻蚀精度的方法。     

激光辐照40~#Cr钢的腐蚀电化学特性与腐蚀疲劳性能的研究

用对比的方法研究了不同激光辐照工艺对40~#Cr钢耐蚀性和腐蚀疲劳性能的影响。结果表明,激光相变硬化处理的耐蚀性优于激光表面重熔处理的试样的耐蚀性。经激光表面辐照处理后,其腐蚀疲劳寿命也显著提高。结合光镜和SEM分析了材料的耐蚀机理和腐蚀疲劳断裂的特征与机制。     

激光诱导液相腐蚀及其应用

激光诱导半导体的液相腐蚀具有常規半导体腐蚀工艺所无法比拟的某些优点。本文介绍了这种新腐蚀技术的基本原理,主要特点,并举例说明了它的应用。     

无掩膜激光辅助刻蚀GaAs图形中的衍射条纹分布

以菲涅耳直边衍射理论为基础,通过大量实验;对影响激光辅助化学刻蚀图形效果最为明显的直边、宽缝和交叉三种衍射行为进行研究;获得了光强分布与衍射腐蚀条纹分布的主要特性.实验表明,直边衍射的衍射腐蚀深度最大值位于直接照明区,微微偏离阴影边区域缝宽对宽缝衍射的腐蚀条纹特性有较大影响;交叉衍射时,受GaAS晶体取向影响,其刻蚀条纹分布不完全对称.     

Si的化学自停止腐蚀方法的研究

本文介绍了两种化学自停止腐蚀Ｓｉ的方法和原理，并将它与电化学自停止腐蚀作了简要比较。     

用固态杂质源在GaAs衬底上实现的连续波CO_2激光诱导Zn扩散

用含Ｚｎ的固态杂质源，在化合物半导体ＧａＡｓ基片上进行了连续波（ＣＷ）１０．６μｍ激光诱导扩散，做出了Ｐ－Ｎ结。分别利用扫描电子显微镜和二次离子质谱仪对扩散样品进行扩散区形貌分析和杂质分布研究，给出了结深ｘｊ、杂质浓度分布Ｃ（ｘ，ｔ，Ｔ）等性能参数和扩散时间ｔ、温度Ｔ等工艺参数之间的关系，获得了亚微米的扩散结结深及１０２０ｃｍ－３量级的表面掺杂浓度     

激光化学半导体工艺及其应用

激光化学半导体技术及其在半导体器件和集成电路制备中的应用是过去10年半导体微细加工领域中最引人注目的研究课题之一。本文综述了这种技术的基本原理、特点和加工方法,重点介绍了它在半导体器件和集成电路制备中的应用,最后展望了它的今后发展方向。     

半导体激光化学刻蚀溶液浓度的电流变化选择法

提出了一种激光诱导液相腐蚀新方法--利用腐蚀电流特性和腐蚀图像均匀度相结合的方法,选择出适合的腐蚀溶液.该方法可以提高激光液相腐蚀的性能,解决腐蚀溶液选择的诸多难题,在特殊结构光电器件和光电集成中具有很好的应用前景.     

铁镍合金在硝酸钠溶液中的激光化学刻蚀

利用氩离子激光,在较低的激光功率下,对铁镍合金(Ni=52％)在硝酸钠溶液中的激光化学刻蚀作了研究,给出了刻蚀速率与激光功率和溶液浓度之间的关系曲线,分析了刻蚀的机理。     

高温超导薄膜在激光辅助化学刻蚀中的表面特性

提出了将激光辅助化学刻蚀技术应用于钇钡铜氧(YBCO)高温超导薄膜的刻蚀,研究了无掩膜YBCO薄膜激光化学刻蚀的表面特性及其变化规律,为YBCO激光化学刻蚀技术中图形形状控制、刻蚀时间选择和激光功率调节等提供了重要的实验结论.研究发现:在激光辐照下,YBCO薄膜的液相刻蚀速率大大加快,将极大改善刻蚀中的横向钻蚀情况,并提高图形边缘的侧壁陡峭度,且整个过程中的刻蚀速率呈现加快趋势;无掩膜时,YBCO表面刻蚀程度持续过渡,激光光斑边界两侧并非严格分界;衬底铝酸镧(LaAlO3)的晶向对YBCO薄膜的表面刻蚀特征有较大影响,沿LaAlO3晶向方向的刻蚀程度高于非晶向方向.     

Ar离子激光增强硅各向异性腐蚀速率的研究

研究了Ａｒ离子激光器与硅各向异性腐蚀技术相结合制造硅杯的方法。结果表明，激光照射能增强浸于ＫＯＨ溶液中硅的化学腐蚀速率，在入射光强为４．６Ｗ，ＫＯＨ溶液浓度为０．２２ｍｏｌ，温度为９０℃的条件下，得到＜１００＞硅的腐蚀速率为２１μｍ／ｍｉｎ，是无激光照射时硅各向异性腐蚀速率的多倍。进而讨论了硅在ＫＯＨ溶液中腐蚀速率对激光光强的依赖关系以及实验温度对腐蚀速率的影响问题。     

湿法腐蚀DFB半导体激光器的均匀光栅的研究

论述了用湿法腐蚀电子束光刻的均匀光栅DFB激光器亚微米光栅的过程,研究了几种腐蚀液对半导体激光器外延材料中InP的腐蚀过程.用扫描电子显微镜(SEM)对其腐蚀情况进行了分析,通过调节腐蚀液HB1:HNO3:H2O的体积比,找到了对InP腐蚀的最佳配比(1:1:30)以及合适的腐蚀条件(室温23℃).利用这种腐蚀液得到的光栅图形可以满足DFB激光器的要求.     

193 nm和308 nm准分子激光对聚合物刻蚀特性的比较

描述了两种典型准分子激光 (XeCl:30 8nm ,30ns和ArF :193nm ,17ns)对三种常用聚合物PC ,PI和PMMA的刻蚀实验研究。着重讨论准分子激光对聚合物的刻蚀机制 ,并比较了这两种激光对三种聚合物的刻蚀性能。