瞬态电磁场或脉冲电磁场生物效应的机理研究

本文采用宽带横电磁场传输室系统地从实验方面研究了细胞在瞬态电磁场作用下产生的非热生物学效应，并初步提出了其作用机理。     

弱电磁场生物效应研究现状及卫生标准问题

本文讨论了弱电磁场的生物效应,着重列述了近年来争议较大的电磁场与肿瘤关系的研究结果,并对弱电磁场的作用机制和电磁场的可能促癌机制作了介绍。随着电磁场生物效应的研究进展,电磁场的卫生标准也在不断修改和完善之中。     

激光对光学薄膜损伤的热冲击效应

计算了薄膜在高功率脉冲激光作用下截面温度场和应力场分布。分析了热冲击在光学薄膜激光损伤中的作用，并用调Ｑ１．０６μｍ脉冲激光对ＺｒＯ２单层膜损伤，讨论了不同激光强度下薄膜截面温度场与应力场分布，揭示了热冲击在ＺｒＯ２单层膜损伤中的机理和过程。     

脉冲应力增强的NMOSFET's热载流子效应研究

 本文研究了交流应力下的热载流子效应,主要讨论了脉冲应力条件下的热空穴热电子交替注入对NMOSFET's的退化产生的影响.在脉冲应力下,阈值电压和跨导的退化增强.NMOSFET's在热空穴注入后,热电子随后注入时,会有大的退化量,这可以用中性电子陷阱模型和脉冲应力条件下热载流子注入引起的栅氧化层退化来解释.本文还定量分析研究了NMOSFET's退化与脉冲延迟时间和脉冲频率的关系,并且给出了详细的解释.在脉冲应力条件下,器件的热载流子退化是由低栅压下注入的热空穴和高栅压下热电子共同作用的结果.     

热载流子简并效应研究

本文通过把能量输运模型扩展到Ｆｅｒｍｉ统计情形，用数值方法研究了简并效应对半导体器件的热载流子输运的影响．对窄基区ＢＪＴ的模拟表明，当注入浓度很高时，载流子简并效应对热载流子输运的影响是不可忽略的     

双脉冲激光对生物组织的热和声损伤机理研究

本文从提高治疗效果减小生物组织声损伤和提高激光的能量利用率考虑，提出双脉冲治疗皮肤色素性病损的方法，并建立皮肤组织的热传导模型，对多脉冲治疗时生物组织的热损伤和声损伤进行的理论分析，表明双脉冲治疗可以提高疗效，减小生物组织的声损伤。同时，为减小组织的热损伤，脉冲间隔最小应为4倍的组织热驰豫时间。经病理实验得到验证。实验中双脉冲激光为200微秒。     

非傍轴高斯激光束电磁场研究

采用Weniger变换法消除了Lax级数场的发散性.获得收敛的Weniger变换场(WTF).通过与严格满足麦克斯韦方程组的数值电磁场相比较,比较了不同聚焦尺寸下Weniger变换场和复源点球面波场(CSPSWF)的准确性.计算结果表明,当光束聚焦半径大于2.23倍波长时,两者是一致的,而当光束聚焦到更小尺寸时,Wen...     

瞬态电磁场与生物体相互作用的研究

本文研究了电磁脉冲与细胞体的相互作用机理,并给出了初步结论.     

脉冲应力增强的NMOSFET′s热载流子效应研究

本文研究了交流应力下的热载流子效应 ,主要讨论了脉冲应力条件下的热空穴热电子交替注入对NMOSFET′s的退化产生的影响 .在脉冲应力下 ,阈值电压和跨导的退化增强 .NMOSFET′s在热空穴注入后 ,热电子随后注入时 ,会有大的退化量 ,这可以用中性电子陷阱模型和脉冲应力条件下热载流子注入引起的栅氧化层退化来解释 .本文还定量分析研究了NMOSFET′s退化与脉冲延迟时间和脉冲频率的关系 ,并且给出了详细的解释 .在脉冲应力条件下 ,器件的热载流子退化是由低栅压下注入的热空穴和高栅压下热电子共同作用的结果     

电磁环境及其生物效应

强电磁辐射、工频电场与磁场及紫外线辐射均可产生生物效应。详细讨论了电磁环境的生物学效应;计算了典 型通信基站同时考虑邻近扇区辐射影响实际安全防护距离随方位的变化特性,其天线最大辐射方向上和最小辐射方位上 的最小安全防护距离分别为35.43m 和18.16m;利用等效电荷法计算了220kV、330kV 和500kV 高压输电线下空间工频 电场强度分布和安全防护距离,相对应输电线下电场最小安全防护距离分别为距边线外3.1m、8.0m 和12.7m。     

雷电电磁场理论计算与模拟技术研究

为研究雷电电磁脉冲场对电子设备的电磁损伤机理和防护加固技术，在雷电电磁脉冲场理论计算的基础上，采用冲击电压发生器与GTEM室相结合，研制了雷电电磁环境模拟系统，其电场强度可高达400kV／m。通过改变模拟器的波头和波尾电阻，可方便地改变电磁脉冲场的前沿时间和半值时间，满足对各种雷电电磁环境模拟的需要。     

激光生物效应及其应用

论述了激光与生物体相互作用的机理以及激光在生物学和医学中的应用。     

脉冲式Ho:YAG激光作用于犬食管热凝固效应的实验研究

本文研究了功率、照射时间、脉冲能量、脉冲频率等激光参数对Ｈｏ：ＹＡＧ激光热凝固效应的影响,以犬食管作为实验对象,以不同功率、不同时间照射食管粘膜;对相同功率,又分为高脉冲能量低脉冲频率（Ｈ）组和低脉冲能量高脉冲频率（Ｌ）组进行配对研究,观察不同激光参数热凝固作用的差异。结果显示：脉冲式Ｈｏ：ＹＡＧ激光表面热凝固作用与功率和照射时间成正相关;Ｈ组热凝固作用小于Ｌ组。     

高频飞秒激光对硅材料烧蚀的热积累效应

对硅材料飞秒激光损伤进行了数值模拟。首先,在飞秒激光与硅相互作用的双温模型中引入能带电子激发、双光子吸收,俄歇复合等一系列非线性项,通过每一个光场半周期中的麦克斯韦电磁场公式,得出材料中不同时间的光场强度,作为描述材料对光强的响应物质方程的输入项。通过麦克斯韦方程与物质方程间的迭代可以得到烧蚀的硅的一系列参数,如电子浓度、晶格温度等。在此基础上分析了皮秒、亚皮秒量级双脉冲和三脉冲飞秒激光作用下,激光能量密度和脉冲延迟时间对热积累效应的影响。     

波段外脉冲激光对锗材料热冲击效应的数值研究

强激光辐照锗材料可造成材料的破坏.对波段外脉冲激光辐照锗材料进行了理论研究,建立了激光辐照锗材料的热力耦合数学物理模型,对热传导方程和应力平衡方程进行有限元数值求解,对不同能量密度下波段外激光辐照锗材料的瞬态温度场和应力场分布进行了数值模拟计算,得到了材料最易损伤的位置和材料的损伤阈值以及锗材料的损伤阈值与激光参数之间的关系.分析结果表明:热应力损伤在锗材料的脉冲强激光损伤中占据主导地位,锗材料出现热应力损伤的激光能量密度小于出现熔融损伤的激光能量密度,应力损伤主要集中在光斑中心区域并体现为压应力损伤.     

电路级热载流子效应仿真研究

随着集成电路制造工艺的不断进步,沟道长度、结深、栅氧厚度等特征尺寸不断减小,而电路的电源电压没有按比例减小,易造成MOSFET的电流-电压特性退化,需要提前在设计阶段加以考虑。对电路长期可靠性问题中的热载流子效应(HCI)进行了仿真研究。     

弯曲通道长度及倾斜角度对雷电电磁场影响研究

为了得到弯曲通道雷电电磁脉冲场的分布特性,将电流微源偶极子进行水平分解和垂直分解,利用偶极子法对弯曲通道产生电磁场的表达式进行了推导.在此基础上就底部回击通道长度以及上部回击通道倾斜角度对地表电磁场的影响规律进行了相关研究.研究结果表明,弯曲通道的电磁场峰值主要取决于底部放电通道的长度,在中间场和远场区底部通道越长对应的电磁场幅值越小;而倾斜角度对近场区电磁场影响极小,在中间场和远场区电磁场幅值会随着倾斜角度的增加而降低,且距离越远倾斜角度对电磁场幅值的影响越明显.