用复合监控法镀制的TEA CO2激光器增透膜

比较了光学薄膜淀积过程中的晶振监控和光学监控各自的优缺点,提出了一种有效利用这两种监控方法各自优点的复合监控方法,利用该复合监控方法采用离子辅助镀工艺镀制的TEA CO2激光器增透膜,其透射率高于99.5%,且具有良好的稳定性和重复性.     

端面反射率的波长特性对外腔半导体激光器调谐范围的影响

端面镀增透膜的激光二极管构成的光栅外腔激光器（ECLD）中,考虑到镀膜端面剩余反射率对波长的依赖关系以后,利用等效腔法导出了该激光器阈值载流子密度随波长变化的解析表达式,以此为出发点,讨论了增透膜反射率极小位置对调谐范围的影响。结果表明,除了增大剩余反射率工和降低剩余反射率能够提高调谐范围这一明显结论这外,在镀膜工艺确定的情况下,即假定剩余反射率带宽和剩余反射率极小值变化不大时,通过控制剩余反射率极小值所对应的波长相对于镀膜前增益峰的偏移量,可进一步拓宽波长调谐范围。     

AlGaInP半导体发光器件的光谱研究

金属有机化学蒸汽淀积和分子束外延技术在半导体生长方面已取得巨大的成功,使电子技术领域发生了深刻的变化,像双异质激光器、量子阱激光器、隧道二极管等所谓“能带工程”已得到广泛的研究与应用。     

确定三层增透膜层厚的方法

目前,在镀制多层增透膜时所用的方法是:利用真空蒸发膜料并按石英晶体振荡频率ω连续控制分层厚度 h_J(J 是从基底算起的层数)。当ω的变化达到预定值Δω_1时,就停止 J 层的淀积。在镀制时,每制备一组增透膜最好都有层厚的控制方法。这样就可调节频率Δω,以便使实际的层厚近似于技术程序所规定的最佳层厚 h_J,并且保证增透     

α-C:H薄膜及其在硅太阳电池上作增透膜的研究

采用高频等离子体汽相淀积法在不同材料衬底上淀积出α-C:H薄膜。Raman谱分析表明,该薄膜既具有类金刚石相,又具有金刚石相。测量了该薄膜可见光范围的透射率和折射率。本文提出把该薄膜涂覆在硅太阳电池上作光学增透膜,使其在0.55—1.0μm波长范围内光谱响应明显提高,并使该电池短路电流增加率达38％。 关键词：     

双波长工作的光纤光栅外腔半导体激光器

本文利用多波长光纤布拉格光栅与端面镀有增透膜的半导体激光器管芯耦合形成外腔激光器。研究了不同光纤光栅布拉格波长间隔下,器件的工作性能。当光纤光栅波长间隔不同于管芯的FP腔模式间隔时,不能得到稳定的多波长输出。通过调整光纤栅的各个布拉格波长间隔,使之和半导体激光器FP模式间距相同时,得到了输出稳定的双波长激光。     

新型多有源区隧道再生光耦合大功率半导体激光器

针对大功率半导体激光器面临的主要困难,提出并实现了一种隧道再生多有源区耦合大光腔 高效大功率半导体激光器机理.该机理能有效地解决光功率密度过高引起的端面灾变性毁坏 、热烧毁和光束质量差等大功率激光器存在的主要问题.采用低压金属有机化合物气相淀积 方法生长了以碳和硅作为掺杂剂的GaAs隧道结、GaAs/InGaAs 应变量子阱有源区和新型多有 源区半导体激光器外延结构,并制备了高性能大功率980nm激光器件.三有源区激光器外微分 量子效率达2.2,2A驱动电流下单面未镀膜激光输出功率高达2.5W. 关键词： 半导体激光器 大功率 金属有机化合物气相沉积     

激光蒸发淀积高Tc超导薄膜

本文简要介绍激光蒸发淀积高Ｔｃ超导薄膜技术的基本原理．主要工艺特点，各种激光器在制备高Ｔｃ超导薄膜中的应用及所取得的重要成果．     

淀积氧化锌压电薄膜用的直流平面磁控溅射系统的性能

本文叙述了我们设计改装的直流平面磁控溅射系统和用以淀积氧化锌压电薄膜的性能。 给出了磁控电极的结构和磁场分布;测量了系统的放电特性和淀积速率与混合气体压力、靶的输入功率的关系及磁控电极淀积的氧化锌薄膜的厚度分布;提出了提高靶材利用率的简单方法。最后,给出了用此系统淀积的氧化锌薄膜及其体波实验器件的实验结果。     

Glan-Taylor棱镜端面增透膜的研制

为了提高Glan-Taylor棱镜的透射率,改善其使用性能,研究了Glan-Taylor棱镜增透膜的设计、制备及测试.经过多次工艺实验选择了膜料并找到了合适的蒸镀条件,较好的解决了膜层与冰洲石晶体的附着力,用膜系软件进行了优化设计,并利用电子束蒸发方法实际制备了设计的膜系.最后利用岛津UV3101分光光度计测试了棱镜端面增透膜的反射光谱特性,测量结果表明镀膜以后在设计的光谱区域内端面的反射率均小于0.4％,并且膜层牢固.     

LF－11~＃激光器升级倍频系统多层膜A：减反射膜

固体激光器装置升级扩展对薄膜研制提出了严重挑战。相互矛盾的各种技术指标必须匹配。就损耗、激光损伤阈值、光学技术指标和长期稳定性来讲，淀积工艺和镀膜材料的选取是至关重要的。特别地，ＬＦ一１１￣＃固体激光器升级对光学薄膜提出了许多新的性能要求。我们研制了ＬＦ一１１￣＃激光器升级所用各种薄膜元件。现分两部分讨论各种膜系研制情况。第一部分就是这篇论文所涉及的ＢＫ７玻璃，熔石英玻璃材料上的单波长，倍频双波长，二倍频、三倍频三波长减反射膜的研制。给出了膜系设计，淀积试验，光谱性能测试和激光损伤实验结果。     

LF—11^#激光器升级倍频系统多层膜A：减反射膜

固体激光器装置升级扩展对薄膜研制提出了严重挑战。相互矛盾的各种技术指标必须匹配。就损耗、激光损伤阈值、光学技术指标和长期稳定性来讲，淀积工艺和镀膜材料的选取是至关重要的。特别地，ＬＦ一１１￣＃固体激光器升级对光学薄膜提出了许多新的性能要求。我们研制了ＬＦ一１１￣＃激光器升级所用各种薄膜元件。现分两部分讨论各种膜系研制情况。第一部分就是这篇论文所涉及的ＢＫ７玻璃，熔石英玻璃材料上的单波长，倍频双波长，二倍频、三倍频三波长减反射膜的研制。给出了膜系设计，淀积试验，光谱性能测试和激光损伤实验结果。     

ZrO2光学膜的特性改善

广泛用子光学多层膜的真空蒸发ZrO_2~-薄膜若用于多层增透膜则存在一个缺点,这个缺点是由薄膜的折射率随着厚度增加而降低的光学非均匀性产生的。为了改善ZrO_2~-膜的光学均匀性,在ZrO_2~-蒸发物中添加TiO_3~-和Y_2O_3,并研究了用电子束蒸发的淀职膜的晶体结构。添加TiO_2的淀积膜的光折射率几乎是均匀的,薄膜的结构是不定形的;添加Y_2~-O_3~-的淀积膜显示出相当低的光学不均匀性和稳定的立方晶构造。通过适当添加Ti_2~-和Y_2~-O_3得到了用于多层膜的最适宜的ZrO_2~-膜;这种膜具有好的光学均匀性及足够的和可变的折射率,增加了硬度,并具有可靠的重复性。此外,从一种蒸发料片反复蒸发的薄膜的X射线衍射和X射线荧光分析的结果,推测了ZrO_2~-淀积膜的不均匀性的原因。     

端面抽运Tm，Ho：YLF激光器双稳特性的理论分析与实验研究

报道了波长为792nm激光二极管端面抽运Tm,Ho：YLF连续激光器的双稳输出特性.在考虑能量传递上转换和基态对2μm激光重吸收的前提下,建立了Tm,Ho：YLF双稳激光器准三能级速率方程理论模型.通过对Tm,Ho：YLF激光器速率方程的求解,理论预见了Tm,Ho：YLF激光器双稳输出的特性,并分析了其产生的机理.进行了激光二极管端面抽运Tm,Ho：YLF激光器双稳输出的实验研究,当激光晶体温度为253K时,双稳区的宽度可达1.6W,跃变点输出功率的跃变量可达82.5mW.通过对比发现理论结果与实验结果比 关键词： 端面抽运 Tm Ho：YLF晶体 连续输出 光学双稳     

光纤端面的质量与光纤光学性能的关系

光纤的透过性能是光纤传输的重要特性之一。影响光纤透过性能的因素除了纤芯、包层玻璃的质量和几何缺陷以外,还与光纤端面的质量有关。在光纤的加工过程中,光纤端面的平整度、磨料的使用等都会影响端面的质量。讨论了影响光纤透过性能的因素;光纤端面的反射损失对透光性能的影响;增透膜对光纤端面反射的控制;加工后光纤端面的几何形状对透过性能的影响;加工后纤维端面折射率的变化情况;抛光液酸碱性的控制;抛光后光纤端面的处理。通过对光纤端面进行加工过程的控制和对光纤端面进行涂层的处理可改善光纤的透光性能。     

线性调频半导体激光器自混频干涉理论模型

使用半导体激光器在弱反馈条件下的动力学理论,建立了线性调频半导体激光器的自混频干涉理论模型.基于该模型,分析了激光器振荡频率偏移与输出功率变化特性.通过测量激光器输出功率谱,可以得到激光器前端面与被测目标之间的距离.     

LDA端面泵浦的Nd：YAG激光器增益开关的动态特性研究

通过速率方程理论对应用增益开关技术的LD端面泵浦Nd:YAG激光器的动态特性进行了较详细的研究.实验以输出波长808nm的LD列阵作端面泵浦源,得到了脉冲宽度小于200ns,峰值功率接近200mW的1.064μm激光输出.实验结果与理论计算结果基本符合.     

LD抽运Cr,Tm,Ho:YAG微片激光器单纵模运转特性的研究

研究了LD抽运的单纵模Cr,Tm,Ho:YAG微片激光器,激光器厚度为1mm,在用波长785nm的LD进行端面抽运时,激光器阈值为1060mW,单纵模激光最大输出功率为31mW. 对激光器输出功率随温度变化特性进行了研究,验证了CTH:YAG晶体的温度敏感性. 还研究了激光器的温度调谐特性,实验测得激光器的温度调谐系数为1.4GHz/℃.     

超短脉冲准分子激光淀积类金刚石薄膜的实验研究

利用ＫｒＦ超短脉冲激光器开展了超短脉冲激光淀积金刚石薄膜实验研究,薄膜生长速率０．０２ｎｍ／ｐｕｌｓｅ,厚度０．５－０．６μｍ,显微硬度５５ＧＰａ,光学透过率优于９０％,采用等离子本的时间－空间分辨的发射光谱技术,给出了等离子体的粒子成份以及等离子体的时间－空间的演化图像,以及在不同激光参数条件下等离子体特性的变化,发现超短脉冲激光的等离子体有能量高、持续时间短（高通量）的特点,适合类金刚石薄膜的     

光-CVD技术的最新进展及其应用

采用光诱导激励化学反应气氛淀积成固态薄膜，是近些年来在国际上发展极为迅速的一种薄膜生长新技术．本文介绍了光－ＣＶＤ技术的基本原理及特性，以及用该技术淀积各种类型金属薄膜、半导体薄膜、绝缘性薄膜以及ш－ｖ族化合物半导体薄膜.介绍了光－ＣＶＤ技术在大规模集成电路、硅器件微加工过程中的重要应用，用光－ＣＶＤ技术在低到～２００℃温度下已成功地制备出～１００ｎｍ厚的薄层外延单晶硅膜．