非晶微晶过渡区域硅薄膜的微区喇曼散射研究

通过改变氢气对硅烷气体的稀释程度,并保持其他的沉积参量不变,用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)方法成功地制备出处于非晶微晶相变过渡区域的硅薄膜样品.测量了样品的室温光电导和暗电导,样品的光电性能优越,在50mW·cm-2的白光照射下,光电导和暗电导的比值达到106.在室温下用微区喇曼谱研究了薄膜的微结构特性,用高斯函数对喇曼谱进行了拟合分析.结果表明,在我们的样品制备条件下,当H2和SiH4的流量比R较小时,样品表现出典型的非晶硅薄膜的结构特性;随流量比R的增大,薄膜表现出两相结构,其中的微晶成分随 关键词： 非晶硅 薄膜 喇曼散射 微结构     

光照和偏压对微晶硅薄膜室温电导的影响

报道了SiCl₄/H₂等离子体化学气相沉积方法制备的未掺杂微晶硅薄 膜，在短时间光照或加上直流偏压后其室温暗电导随时间缓慢变化的行为. Raman散射谱结 果表明，薄膜的晶态体积比大于70%. 暗电阻的实验结果显示: 材料具有弱的持久光电导效 应；薄膜的暗电导在外加直流电场的作用下缓慢上升，电场反向后出现暗电导的恢复过程， 而且暗电导变化速度与偏压大小和温度有关. 根据异质结势垒模型，指出外加条件下载流子 的空间分离和重新分布以及材料非均匀性造成的势垒是引起电导 关键词： 微晶硅 电导率 薄膜     

用铜和氯掺杂的CdS-CdSe双层光电导膜的性质

对掺Ｃｕ和Ｃｌ的ＣｄＳ－ＣｄＳｅ双怪光电导膜的暗电导和亮电导与掺杂浓度及Ｃｕ／Ｃｌ比的关系、响应时间和光谱响应进行了研究。试验发现：适当的Ｃｕ／Ｃｌ掺杂比可使暗电导降低而亮电导提高;掺杂薄膜的响应时间可达５－１０ｍｓ,而对掺杂一般为数百毫秒;随着ＣｄＳｅ浓度增加,光学吸收变大,光谱响应向长波移动 。     

晶粒间层势垒在硫化铅多晶薄膜光电导中的作用

本文研究了热处理对PbS薄膜电导性及光电导性的影响,测定了薄膜的噪音频谱和信号噪音比与热处理温度的关系。对实验的分析结果表明,在所研究的薄膜中存在晶粒间层载流子势垒,它们对膜的电阻、光电导性及噪音有重要的作用。     

内敏乳剂的正电子湮没研究

研究了内核乳剂化学增感时间以及铑盐掺杂对内敏乳剂正电子湮没的影响，随着内核乳剂化学增感时间的增加，内部感光度上升到一最大值，然后又下降，正电子湮没的平均寿命也随增感时间的上升而达到最大值，然后下降，正电子湮没的中间寿命随增感时间的上升变化不大，但其所占比份先下降后上升，当颗粒内部掺入铑盐量增大时，正电子湮没的中间寿命所占比份上升，这些结果表明，卤化银颗粒内部的空穴浓度和银离子空位浓度与乳剂制备要求     

侧面外延T颗粒微晶的结构与性能研究

在定向剂作用下以ＡｇＢｒＩＴ－颗粒为主晶，用ＡｇＢｒ对主晶进行外延生长，制备了ＡｇＢｒＩ侧面外延Ｔ－颗粒复合晶体，并对其几何性质，晶体的活性部位及光电性质进行了研究，发现外延部不稳定是显影的活性部位，外延的结果导致乳剂微晶的离子电导降低，外延晶体的光电子衰减符合一级反应历程，光电子寿命较外延前增加，并对这些现象的产生进行了探讨。     

低压阴极射线激发下含ZnO的磷光体的性质

为研制用于多色显示管显示屏的新材料,我们研究了低压阴极射线激发下磷光体的性质。早就有人讲过;阴极发光的阈值与次级电子发射比和电导性有关系。我们在此要说的是,除了无照导电性外,光电导性也     

微量硼掺杂非晶硅的瞬态光电导衰退及其光致变化

利用EG&G的瞬态分析测试仪对微量硼掺杂的高氢稀释非晶硅薄膜的瞬态光电导作了测量,并研究了长时间曝光处理对瞬态光电导的影响.发现薄膜的瞬态光电导衰退可以用双指数函数来拟合,说明在样品的光电导衰退过程中有两种陷阱在起作用,估算了陷阱能级的位置.曝光处理后样品的光电导和暗电导不仅没有下降,而且还有所上升,薄膜的光敏性有所改善.很可能曝光过程引起了硼受主的退激活,导致费米能级向导带边移动,使有效的复合中心减少,样品的光电导上升. 关键词： 非晶硅 瞬态 光电导 光致变化     

高压超大电流光电导开关及其击穿特性研究

研制了耐压达32 kV,通态峰值电流达3.7 kA的高压超大电流半绝缘GaAs光电导开关.分析了光电导开关在强场下的击穿机理,指出对于间接能带间隙光导材料(如Si)制作的光电导开关,开关的击穿电压主要由陷阱填充限制电导模型决定.而对于直接能带间隙光导材料(如GaAs,InP等)制作的光电导开关,开关击穿主要是由开关体负阻效应在开关阳极产生的空间电荷累积所导致的开关阳极电场剧增引起的.基于转移电子效应对GaAs光电导开关击穿电压进行了理论计算,计算结果与实验相一致. 关键词： 光电导开关 击穿 转移电子效应 陷阱填充     

稳定、优质nc-Si/a-Si:H薄膜的研制和特性分析

利用等离子体增强化学气相沉积技术研制出了优质稳定的氢化非晶-纳米晶两相结构硅薄膜.薄膜的光电导率相对于器件质量的非晶硅有两个数量级的提高；光敏性也较好，光、暗电导比可以达到１０⁴，此外薄膜的光电导谱具有更宽的长波光谱响应.更为重要 的是薄膜的光致退化效应远小于典型的非晶硅薄膜，在光强为５０ｍW／ｃｍ²的卤钨灯光 照２４h后，光电导的衰退小于１０％.这种薄膜优良的光电性能源于薄膜中的非晶母体的存在使其在 光学跃迁中的动量选择定则发生松弛，因而具有大的光学吸收系数和 关键词： 非晶硅 微结构 光致变化     

Eu原子4f~76p_(3/2)6d自电离过程的动力学特性

采用孤立实激发技术(isolated-core excitation, ICE)及速度影像技术(velocity-map imaging,VMI),研究了Eu原子4f~76p_(3/2)6d自电离过程的动力学特性.孤立实激发技术用于将Eu原子从基态4f~76s~(2 8)S_(7/2)经中间态4f~76s6p激发到4f~76s6d里德堡态,然后将其进一步激发至4f~76p_(3/2)6d自电离态;速度影像技术用于探测其自电离过程的动力学特性,从而获得自电离衰变的分支比(branch ratio, BR)和弹射电子的角分布(angular distribution, AD).自电离衰变的分支比代表离子的能量分布,从中获得VMI影像的径向信息;而通过各向异性参数描述的弹射电子的角分布揭示了VMI影像的角向信息.此外,讨论了自电离衰变分支比和弹射电子角分布在整个自电离共振能域内的变化情况.基于4f~76s~+和4f~75d~+两个离子态的分支比,讨论了实现Eu离子粒子数反转的可能性.     

CTAB微乳液结构研究

研究了正辛烷含量对ＣＴＡＢ／正丁醇／正辛烷／水体系相图的影响，用电导法与粘度法对照确定了ＣＴＡＢ／正丁醇／１０％正辛烷／水体系微乳液结构。实验结果表明：体系中正辛烷含量增加，微乳液区域减小，电导法与粘度法确定的乳淮结构一致，双连续结构区域显示有较高粘 度的特性。     

宏观长Ag2S纳米线簇的制备及其温度电导特性和光电导特性

以固态离子学方法制备的宏观长银(Ag)纳米线簇为基础,采用气-固反应法制备出宏观长硫化银(Ag₂S)纳米线簇.利用扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)、能量色散谱(EDS)和X射线光电子能谱(XPS)等手段对样品形貌和成分进行表征.将厘米长的Ag₂S纳米线簇两端涂敷金胶作为电极,并与外电路连接.在不同温度或采用不同波长的光束辐照下,测试了样品的输运性质.无光照时,在144—380 K的温度范围内,样品的电导随温度上升而非线性增大.室温下,Ag关键词： 硫化银纳米线 温度电导 光电导     

混沌激光对非本征光导型探测器的混沌干扰机制研究

 在唯象理论和二能级模型下，根据级联非线性系统原理，通过求解载流子输运动力学方程的Lyapunov指数，对混沌激光辐照下非本征光电导的混沌干扰机制进行了研究。结果表明：混沌激光能导致非本征光电导本身的混沌现象。     

甲酸根离子掺杂的AgCl乳剂增感后的光电子特性研究

甲酸根离子作为一种“空穴－电子转换剂”掺杂在卤化银中可以提高潜影形成过程中光电子的利用率。将不同位置甲酸根离子掺杂的立方体AgCl乳剂又经相同条件的硫加金或感绿染料增感后，采用微波吸收介电谱检测技术对样品在脉冲激光作用下所产生的光电子衰减信号进行检测，通过分析光电子的衰减特性，发现甲酸根离子仍然能发挥其空穴陷阱效应，而且自由光电子的衰减时间和寿命与未增感的掺杂乳剂随掺杂位置的变化趋势一致。     

GaAs光电导天线辐射太赫兹波功率的计算

在Larmor公式的基础上建立了适合计算光电导天线辐射太赫兹波功率的数学模型,利用此数学模型通过蒙特卡罗方法分别计算了不同实验条件下GaAs光电导天线辐射太赫兹电磁波功率.计算结果表明,增加光电导天线的偏置电场或触发光能量,都能够提高天线辐射太赫兹波功率,大孔径光电导天线能够承载更多的光生载流子,因而可以产生比小孔径光电导天线功率更高的太赫兹波. 关键词： 光电导天线 Larmor公式 太赫兹波功率     

多电子激发态离子的自电离衰变处理方法

在分析当前描述离子与原子碰撞的经典理论模型的基础上,详细讨论了处理多电子激发态自电离衰变问题的一些新的思路,把高电荷态离子与原子碰撞反应中的电子转移过程分为四阶段描述,并依据能量守恒原理,规范了处理多电子激发态离子发生自电离衰变的规则,自洽地解决碰撞中间过程中俘获多电子后的离子发生自电离向末态衰变的问题,并分析和比较了新的计算结果与实验结果     

多电子激发态离子的自由离衰变处理方法

在分析当前描述离子与原子碰撞的经典理论模型的基础上,详细讨论了处理多电子激发态自电离衰变问题的一些新的思路,把高电荷态离子与原子碰撞反应中的电子转移过程分为四阶段描述,并依据能量守恒原理,规范了处理多电子激发态离子发生自电离衰变的规则,自洽地解决碰撞中间过程中俘获多电子后的离子发生自电离向末态衰变的问题,并分析和比较了新的计算结果与实验结果。     

感光板乳剂特性的计算

制作感光板乳剂特性曲线,是光谱定量分析数据处理的一项基本工作。在光谱定量分析技术的发展中,建立了多种手工作图方法制作乳剂特性曲线;有一些工作者进行了数值变换方法的尝试,企图获得直线性良好的乳剂特性曲线。以前在这方面的工作大部分都是基于手工作图方法。电子计算机的普及应用使得用电子计算机代替人工处理乳剂特性曲线成为可能。复杂的曲线拟合问题用计算机可以很快完成。本文介绍的乳剂特性曲线计算方法以初步曲线法为基础。采用初步曲线法的原因是: 1.可以利用较少的观测值获得高精度的乳剂特性曲线。 2.计算规律性强,适于上机计算。     

用微扰QCD方法研究B（s） →Фρ 衰变

用微扰QCD对B（s） →Фρ 衰变进行了研究，考虑了因子化和非因子化图的贡献，得出了B（s） →Фρ 衰变的分支比以及纵向极化衰变、横向极化衰变之比，所得到的结果与现在的实验数据吻合．