电阻并联图解法

物理学中有形似1/a＋1/b=1/c的计算公式,如电阻并联公式,电容串联公式,透镜成像公式。     

非平衡电桥温度计设计中串联电阻的研究

本文探讨了串联电阻型非平衡电桥温度设计中串联电阻与桥路电流、桥臂电阻的关系,并说明了串联电阻、桥路电流及桥臂电阻间的相互影响。     

非平衡纯电阻电桥等效电阻的一种特殊计算

用分割电阻法构造出非平衡电阻电桥的特殊串联与并联组合的混联电路后,应用串、并联电路的电流特点和电压特点,巧妙导出了非平衡电阻电桥(非串联又非并联电阻组成的复杂电路)的等效电阻.     

正确测定RLC串联电路暂态过程的临界阻尼电阻

用示波器观察RLC串联电路电容C上电压暂态过程的线路如图1所示.对于不同的电阻R充电时电容器C上的电压uC和时间Z的波形如图2所示.其中1为欠阻尼状态（R2＜4L／C），ⅡE为过阻尼状态（R＞4L／C），Ⅲ为临界阻尼状态（R2=4L／C）.临界阻尼状态是欠阻尼状态与过阻尼状态之间的过渡状态.对应于临界阻尼状态的电阻R为临界阻尼电阻，理论值图1图2实验测定临界阻尼电阻的一般方法是改变电阻箱的阻值R从小变大，使电路从1状态逐渐进入Ⅲ状态.当欠阻尼振荡的振幅衰减到示波器荧光屏不能分辨时，相应的电阻为临界阻尼电阻.用此方法确定的临界…     

线性负电阻构成的新型LC振荡演示器

提出了利用负电阻电路作线性临界补偿构成的LC振荡电路形式,该电路用于电磁振荡演示具有起振容易,输出波形标准,演示直观等优点。     

并联稳压电源和串联稳压电源的内在关系探悉

直流稳压电源的电路经典、应用广泛,因而要求必须较好的掌握其原理及应用．按其工作原理的不同将其分为并联型、串联型和开关型三种形式,各立篇章孤立介绍,学习有些难度,不利于理解掌握．然而笔者从电路系统设计的角度出发,经研究发现并联型和串联型直流稳压电源之间有着较强的内在联系,它们实际上是同一个物理模型下的两个派生电路．     

损耗电阻对RLC串联谐振电路品质因数的修正

RLC串联谐振是大学物理实验的一个重要内容.实验中发现电路品质因数的实验值总是小于理论计算值.对电路中的损耗电阻进行了估算,并对品质因数的理论值进行了修正,从而有效地降低了实验相对误差.     

R取值范围对RLC串联暂态过程临界阻尼电阻的影响

在运用\"RLC串联电路暂态过程中阻尼电阻与振幅和阻尼度之间关系\"求临界阻尼电阻的方法中,讨论了电阻取值范围对其测量结果的影响.研究表明,当C=0.005μF,L=100 mH,电阻R的取值等于或大于800Ω时,该方法无法准确给出临界电阻的数值.     

电阻分联及其应用——电阻串并联的一个逆问题

介绍电路分析的一种新方法,称为电阻分联法.文中附有几个应用实例.这工作可看作是电学中逆问题一例.     

测定RLC串联电路暂态过程的临界电阻

从RLC串联电路方程及其初始条件出发、推导出电路欠阻尼状态下阻尼电阻与振幅、阻尼度之间的关系式，用最小二乘法对测量数据进行线性回归，测量了临界阻尼电阻。     

有机薄膜器件负电阻特性的影响因素

研究了影响有机染料掺杂聚合物薄膜器件负电阻特性的因素,为探索有机负电阻的机理提供实验依据。实验中制备了多种有机染料掺杂聚合物薄膜器件,研究了有机小分子染料、聚合物基体、薄膜组成及厚度、ITO和聚苯胺阳极等对有机染料掺杂聚合物薄膜器件负电阻特性的影响。在室温、大气环境下,所制备的多种有机染料掺杂聚合物器件在所加电压为3～4V时,观察到明显的负电阻特性,电流峰谷比最大约为8。负电阻现象及峰谷比的大小受膜厚和器件的结构、制备工艺等影响。提出用负电阻和二极管并联组成的等效电路模型解释影响负电阻特性的因素,认为负电阻特性与载流子的不平衡注入有关。在此基础上设计、合成了主链含二唑电子传输基团的可溶性聚对苯撑乙烯衍生物,该聚合物兼具空穴和电子传输功能,在空气中具有较稳定的N型负电阻特性。进一步控制相关材料和工艺条件,有可能得到易于控制的负阻效应,开发出新型的有机负电阻器件。     

梯形电阻网络的研究

介绍了梯形电阻网络的计算机辅助研究方法,并是出无穷梯形电阻网络的计算方式。     

球形、圆柱形电容器电阻的一种简易求法

给出一种球形、圆柱形电容器电阻的求法，加深对电阻定义和串并联电路电阻关系的理解．     

四端星-网电阻网络的等效变换及其应用

导出了四端星-网(全网)电阻网络的等效变换式,并应用它求出几例特殊复杂电阻网络(非串非并电路)的等效电阻.     

附加电阻减小误差——伏安法测电阻的一种改进方法

提出了通过附加电阻来减小伏安法测电阻时所产生的误差．     

电容和电感对RLC串联电路暂态过程中临界阻尼电阻的修正

在RLC串联电路暂态过程的研究中,临界阻尼电阻的实验值通常要小于理论值.本论文对系统电容和电感器的偏差进行了估算,并对临界阻尼电阻的理论值分别进行了电容、电感和电容电感修正,结果发现同时进行电容电感修正后的理论值与实验值符合得非常好.     

金纳米线接触构型相关的双重负微分电阻与整流效应

运用第一性原理密度泛函理论(DFT)和非平衡格林函数(NEGF)方法, 研究了[111]Au纳米线与1, 4-二硫苯酚(DTB)构成的分子结的电子输运性质. 构建并优化不同的Au-DTB接触构型, 计算发现: 尖端顶位构型最利于电流输运; 非对称构型大多具有很好的整流特性(最大整流比为25.6); 部分结构出现双重负微分电阻(NDR)效应. 分析表明, 整流效应主要源于非对称接触构型两端S-Au键的稳定性差别; 尖端金原子与硫原子的耦合能级中, 近费米面的能级对低压区电子传输起主要作用; 电压增大, 离费米面较远的能级对输运起主导作用, DTB的本征能级也逐渐参与, 这一转变致使电流出现两峰一谷的双重NDR效应.     

一种直接测量压电换能器串联谐振频率和并联谐振频率的新方法

本文提出了一种利用补偿原理直接测量压电换能器串联谐振频率fs和并联谐振频率fP的新方法一补偿法。在这种方法测量原理的基础上，进行了实际测量，并设计了一种实用的测量电路。采用此方法测量的测量结果与电桥法的结果相符得很好。     

大功率GaN基发光二极管等效串联电阻的功率耗散及其对发光效率的影响

由于自加热效应的存在,大功率GaN基发光二极管(LED)的芯片温度有可能高出环境温度很多,实验中,芯片温度超出环境高达147 K.从实验测量的大功率LED电流电压特性曲线中,将p-n结和等效串联电阻上的电压降落分离出来,得到了大功率LED等效串联电阻随芯片温度的变化情况.在输入电功率自加热效应的影响下,大功率GaN基LED等效串联电阻呈现出剧烈的变化,其阻值由低输入功率时的1.2 Ω降低到0.9 Ω,然后再升高到1.9 Ω,等效串联电阻的功率耗散在输入功率中所占的比例也随着输入功率的增加迅速增加,最高时接 关键词： 自加热 等效串联电阻 发光二极管 流明效率