电容耦合三结单电子晶体管特性分析

本文基于电容耦合多个纳米隧道结串联结构的半经典模型，研究了三结单电子晶体管的基本方程，分析了其Ｉ－Ｖ特性，并对三结与两结单电子晶体管的特性进行了比较．结果表明，单电子晶体管的特性与常规晶体管有很大的差别，且三结单电子晶体管与两结单电子晶体管相比较，具有更高的灵敏度和更强的抗电磁干扰能力     

纳米器件与单电子晶体管(续)

6单电子晶体管的集成单电子晶体管的集成化将依赖于各元器件的无线耦合[3],这与传统的大规模集成电路原理不同.基于这种单电子器件的集成原理,Nakazato等人[4,5]实现了有存储功能的单电子存储器和单电子逻辑电路.它们通过单电子晶体管间的隧穿耦合和电容耦合来实现单电子器件的集成.     

单电子物理学

单电子晶体管是几年前才发现的一种功能奇特的新型器件。围绕着这种器件工作机理的研究，逐渐发展了一门以库仑抑制模型为核心的崭新学科──单电子物理学。本文以单电子晶体管的发展为线索，介绍单电子物理学的主要内容及其研究现状。     

栅格技术与战术C3I系统信息处理分发技术研究

栅格技术是一种先进的信息处理技术，在军事电子信息系统中，采用栅格技术后，可以把各种信息化资源联成一体，形成某种应用的信息栅格，使各种参与作战的系统组成有机整体，真正实现各兵种各类电子信息系统的综合集成和互操作，提高信息处理能力和联合指挥能力。文中介绍了栅格技术，分析了战术C^3I系统的信息处理和分发设计，提出了战术系统在信息处理方式、处理方法、按需分发等方面设计和改进的方法。     

基于单粒子态的双向认证多方量子密钥分发

量子密钥分发是一种重要的量子通信方式.为了提高量子密钥分发的可行性、安全性和效率,提出了一种基于单粒子态的具有双向认证功能的多方量子密钥分发协议.在协议中,量子网络中的任意两个用户均可在半可信第三方的帮助下进行双向认证并共享一个安全的会话密钥;协议中作为量子信息载体的粒子不需要存储,这在当前技术下更容易实现.安全性分析表明所提出协议在理论上是安全的.     

电容耦合三结高温超导单电子晶体管数值模拟

基于单电子隧道效应的半经典模型，研究了电容耦合三结高温超导单电子晶体管的基本方程，分析了其I－V特性，并对两结和三结高温超导单电子晶体管的特性进行了比较。结果表明，单电子晶体管的特性与常规晶体管有很大的差别，且三结高温超导单电子晶体管比两结高温超导单电子晶体管有更高的灵敏度和更强的抗电磁干扰能力。     

电视广告播放分发技术的发展与应用

本文介绍了广告播出的历史,针对广告播出的多样化与网络化、非线性广告或称动态广告播出越来越多、广告插播实时化、定向推送与精密投放等广告播出方式和技术的发展变化进行了分析和论述。     

浅谈IP网络内容分发技术

随着科学技术的不断发展,IP网络信息的增多,人们对信息的需求也随着增多.虽然IP网络的传输带宽的能力越来越强,但是仍然存在网络信息传输慢、获得信息不够及时、准确.造成这种现象的原因主要是信息存储媒体的服务器性能速度跟不上用户提取信息的要求.为了解决这一问题,在IP网络中研究出内容分发技术.内容分发技术是IP网络上许多需要进行信息共享类应用必备的一种技术.下面主要从信息业务出发,分析IP网络内容分发技术.     

单电子存储器

介绍了单电子存储器的发展情况和几种单电子存储器的基本特性,并将库仑阻塞效应作为存储器工作的理论基础进行了讨论。随着传统存储器集成度的不断提高,每个存储单元的电子数目不断减少,并逐渐接近其极限,使传统存储器的发展面临困难。采用单电子存储器有望解决这个困难,它们通常具有单个量子点或者是多隧穿结结构,存储一个比特的信息只需要精确控制增加或者减少一定数目的电子就可以实现。单电子器件的工作通常只需要很少的电子甚至一个电子就可以实现,具有高速和低功耗的特点,因此可以实现信息超高密度存储。与单电子逻辑电路相比,单电子存储器更容易解决随机背景电荷涨落的问题,因此从实际应用的角度来看,单电子存储器的应用前景更为光明。     

电子空穴对单电子陷阱存储器的设计与分析

本文论述了由Ti/TiOx/Ti介观隧道结阵列构成的电子空穴对耦合的单电子陷阱存储器,结合目前扫描隧道显微镜(STM)进行纳米加工的特点,设计了该存储器的电路结构及其结构参数,计算出电路的电容矩阵,并用Monte Carlo法对电路特性进行了模拟.结果表明,该存储器与其它单电子存储器有相同的存储特性,但具有较高的工作温度及工作稳定性.     

硅单电子晶体管的制造及特性

报道了采用电子束光刻、反应离子刻蚀及热氧化等工艺,在p型SIMOX(separation by implanted oxygen)硅片上成功制造的一种单电子晶体管.特别是,提供了一种制造量子线和量子点的工艺方法,在器件的电流-电压特性上观测到明显的库仑阻塞效应和单电子隧穿效应.器件的总电容约为9.16aF.在77K工作温度下,也观测到明显的电流-电压振荡特性.     

硅单电子晶体管的制造及特性

报道了采用电子束光刻、反应离子刻蚀及热氧化等工艺,在p型SIMOX(separation by implanted oxygen)硅片上成功制造的一种单电子晶体管.特别是,提供了一种制造量子线和量子点的工艺方法,在器件的电流-电压特性上观测到明显的库仑阻塞效应和单电子隧穿效应.器件的总电容约为9.16aF.在77K工作温度下,也观测到明显的电流-电压振荡特性.     

单片集成三轴加速度传感器

基于硅压阻效应原理,单片集成三轴加速度传感器通过双惯性质量块和六梁结构组成敏感结构,其中四个L型梁对称布置用来测量x和y轴加速度;中间的对称双梁测量z轴加速度。通过工艺兼容技术,在同一芯片上制作出MEMS敏感结构和CMOS信号处理电路。利用ANSYS软件对所设计的结构进行了应力模拟分析,并对产品的加工工艺进行了描述。通过对研制出的单片集成三轴加速度传感器进行性能测试,验证了模拟分析的合理性,最终产品满足设计要求。所研制的产品具有体积小、可靠性高、易于批量生产等优点,可广泛应用于导航系统、汽车工业以及消费电子产品等领域。     

电子结构的三防设计

电子结构在各种自然环境因素的综合影响下,面临着诸多失效形式,因此只有在设计阶段就注入环境防护理念,优选材料,优化结构再结合一定的工艺防护措施才能极大的提高电子产品对环境的适应性和产品使用的可靠性。     

单电子晶体管的制备、集成与电路研究

我们制备出了高温Si单电子晶体管,研究了单电子晶体管的集成原理,实现了14个单电子晶体管的串联集成和2个单电子晶体管的并联集成。同时也研究了单电子晶体管与传统高迁移率晶体管的集成和技术,发现可用单个电子来调控传统晶体管的栅对源漏极电流的控制能力（跨导）,利用单电子晶体管的集成方法,建立了对电荷超敏感的探测技术（包括超敏感的库尔计）,实现了单电子存储器中的单电子过程的探测,并设计了一种新型的多值存储器。     

内容分发网络发展与技术综述

CDN的出现解决了长期影响互联网传输过程中出现的网络拥塞、访问延迟、服务器负载过重等问题.本文内容围绕CDN的发展历程展望其未来发展前景,并结合CDN的框架结构详细阐述了实现CDN的关键技术及发展方向.     

技术驱动下新闻生产与分发的路径选择

全媒体时代,技术成为驱动媒体发展的主要动力.在技术驱动下,新闻生产与分发在路径选择上需要以技术为底层逻辑的突破口,打造有利于新闻传播的生态环境,抢占新闻传播高地.而面对智媒时代的技术挑战,如何处理好传播内容、受众、传播者与技术的关系,也成为未来智能技术在新闻业深入发展的题中之义.     

点接触平面栅型硅单电子晶体管

设计了点接触平面栅型硅单电子晶体管,利用自对准技术实现了点接触平面栅,并通过给平面栅施加偏压实现了量子点。讨论了点接触平面栅型单电子晶体管与其通道宽度和平面栅上电压的关系。对一个具有70nm宽通道的器件,先在其表面栅上施加很小的正偏压,然后又在其平面栅上施加负偏压耗尽通道,最终的研究结果显示在通道中形成了单个量子点。     

高职“电子测量技术”课程教学改革的实践

本文针对高职“电子测量技术”课程教学中存在的问题,进行了调整课程教学目标、优化教学内容,整合理论与实践,改善教学条件,改革教学模式,改进教学方法和考核评价方式等一系列课程建设和教学改革实践.实践表明:学生学习积极性明显提高,学生掌握电子测量知识、提升电子测量能力的效果明显,实现了“高素质技能型人才”培养的目标.