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基于一维水平光晶格的锶原子光晶格钟实验平台,当系统的稳定度和不确定度达到10-18量级以上时,由量子隧穿效应引起的钟频移变得不容忽视.在浅光晶格中,量子隧穿效应会使钟跃迁谱线发生明显的展宽现象,因此,本文通过研究浅光晶格中的量子隧穿现象,为87Sr原子光晶格钟系统不确定度的评估奠定基础.本实验在一维87Sr原子光晶格钟平台上,利用超稳超窄线宽的698 nm激光激发87Sr冷原子~lS0(|g>)→~3P0(|e>)跃迁(即钟跃迁),实现了对锶原子分布在特定量子态的制备.在深光晶格中,将原子制备到|e,nz=1>态后,再绝热地降低光晶格阱深,然后在浅光晶格中,探测激发态的载波-边带可分辨的钟跃迁谱线.从钟跃迁谱线中观测到载波谱线发生了明显的劈裂,表明原子在光晶格相邻格点间产生了明显的量子隧穿现象.通过对光晶格中量子隧穿机制的理解,不仅有利于提高光晶格钟的不确定度,也可为观测光晶格中费米子的自旋轨道耦合效应提供基础数据. 相似文献
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本文采用γ射线、高能电子和中子对Ti/4H-SiC肖特基势垒二极管(SBD)的抗辐射特性进行了研究.研究发现对于γ射线和1 MeV电子辐照,-30 V辐照偏压对器件的辐照效应没有明显的影响.经过1 Mrad(Si)的γ射线或者1×l013 n/cm2的中子辐照后,Ti/4H-SiC肖特基接触都没有明显退化;经过3.43×1014 e/cm2的1 MeV电子辐照后Ti/4H-SiC的势垒高度比辐照前轻微下降,这是由于高能
关键词:
碳化硅
肖特基
辐照
偏压 相似文献
6.
采用碳还原法合成了掺杂两种稀土金属离子的碱土金属硫化物光激励发光材料,并对光激励发光材料的辐射剂量特性进行了研究。将材料做成PMMA剂量片在60Coγ源下接受辐照,然后用自己搭建的在线实时测试系统对剂量片发出的荧光信号进行测量。实验发现碱土金属硫化物光激励发光材料在0.01~1 000 Gy内,有很好的辐射剂量响应范围(5个剂量级),荧光信号峰值强度与辐照剂量线性关系良好,说明碱土金属硫化物光激励发光材料在辐射剂量测量中有着很好的应用前景。文章主要探讨了碱土金属硫化物光激励发光材料在辐射剂量测量中的应用。 相似文献
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BuFCl:Eu2+中两种F色心的浓度比值与光激励截面比值的测定方法 总被引:1,自引:0,他引:1
本文研究了紫外线辐照下BaFCl:Eu2+的光激励发光性质.通过改变激励方式及激励光的扫描方向,给出了BaFCl:Eu2+光激励发光过程中,两种F色心的浓度比值和光激励截面比值的测定方法. 相似文献
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用提拉法技术生长出了掺Bi的α-BaB2O4单晶并经过γ射线辐照.测定了样品在室温下的吸收光谱、发射光谱及荧光衰减曲线.在808 nm波长光的激发下,经γ射线辐照后的α-BaB2O4单晶中发现了中心波长为1139 nm、半高宽为113 nm的近红外宽带发光现象.讨论了辐照条件和退火处理对Bi离子发光的影响.对于其发光机理进行了初步的探讨.
关键词:
近红外宽带发光
2O4单晶')" href="#">α-BaB2O4单晶
辐照
退火处理 相似文献
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本文研究了BaFCl:Eu2+在不同波长的紫外线辐照和不同的测定温度下的光激励发光性质.通过改变激励方式及激励光的扫描方向,给出了BaFCl:Eu2+光激励发光过程中,两种F色心的浓度比值和光激励截面比值与紫外线辐照波长和测定温度的关系.同时我们还研究了在激励读出过程中,对应两种F色心的光激励发光强度与激励温度的关系,并且给出了相应于F(Cl-)心的热激活能. 相似文献
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在低真空条件下(5Pa),通过测量脉冲激光烧蚀平面Al靶产生的等离子体辐射谱的时间分辨特征,得到辐射粒子速度的空间分布.在激光脉冲宽度为10ns,烧蚀斑直径为200μm,靶面上功率密度分别为1.91×1010,5.10×1010和7.64×1010W/cm2时,测得辐射粒子Al的速度均在106cm/s量级,且随着靶面径向距离的增大而近似呈指数衰减.在距靶面的相同距离处,激光功率密度的增大反而使速度减小.利用激波模型(shockwave model)较好地解释了实验结果,并得出激波的波面基本为柱对称
关键词:
激光等离子体
平面Al靶
粒子速度分布
激波 相似文献
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研究了PNP输入双极运算放大器LM837在1 MeV电子和60Coγ源两种不同辐射环境中的响应特性和变化规律. 分析了不同偏置状态下其电离辐照敏感参数在辐照后三种温度 (室温, 100 ℃, 125 ℃)下随时间变化的关系, 讨论了引起电参数失效的机理. 结果表明: 1 MeV 电子辐照LM837引起的损伤主要是电离损伤, 并且在正偏情况下比60Coγ源辐照造成的损伤大; 辐照过程中, 不同辐照源正偏条件下的偏置电流变化都比零偏时微大; 在不同的辐照源下, LM837辐照后的退火行为都与温度有较大的依赖关系, 而这种关系与辐照感生的界面态密度增长直接相关.
关键词:
PNP 输入双极运算放大器
60Coγ源')" href="#">电子和60Coγ源
偏置条件
退火 相似文献
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采用光抽运-太赫兹探测技术研究Cd0.96Zn0.04Te的载流子弛豫和瞬:态电导率特性.在中心波长800 nm的飞秒抽运光激发下,Cd0.96Zn0.04Te的载流子弛豫过程用单指数函数进行了拟合,其载流子弛豫时间长达几个纳秒,且在一定光激发载流子浓度范围内随光激发载流子浓度的增大而减小,这与电子-空穴对的辐射复合有关.在低.光激发载流子浓度(4.51×1016—1.81×1017 cm-3)下,Cd0.96Zn0.04Te的太赫兹(terahertz,THz)瞬态透射变化率不随光激发载流子浓度增大而变化,主要是由于陷阱填充效应造成的载流子损失与光激发新增的载流子数量近似.随着光激发载流子浓度继续增大(1.81×1017—1.44×1018 cm-3),THz瞬态透射变化率随光激发载流子浓度的增大而线性增大,是由于缺陷逐渐被... 相似文献
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为了评估电荷耦合器件(CCD)在空间科学探测以及航天卫星成像等空间辐射环境中应用的可靠性,揭示了CCD转换增益以及线性饱和输出等重要性能参数的退化机制及其实验规律。辐照实验在质子回旋加速器上进行,质子能量为60 MeV和100 MeV,质子注量分别为1×1010 cm-2、5×1010 cm-2和1×1011 cm-2。将CCD的主要性能参数在两个不同能量质子辐照后进行比较,实验结果表明,CCD的性能参数对质子辐照产生的电离损伤和位移损伤非常敏感,辐照后转换增益和线性饱和输出明显下降,且暗信号尖峰和暗电流明显增大。此外,分析了质子辐照CCD诱发的电离损伤和位移损伤,给出了CCD性能参数退化与质子辐照能量和注量的变化关系曲线。 相似文献
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在辐射的探测与测量中,精确的效率刻度是绝对强度测量必不可少的步骤。本工作是为研究磁约束聚变装置(托卡马克)在放电过程中的逃逸电子成分及硬X射线绝对辐射强度而作的实验准备工作。 相似文献
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