TOPO化学修饰电极电富集-石墨炉原子吸收法测定水中痕量Cr(Ⅵ)的研究

在钨丝盘电极上修饰一层TOPO,用此电极对水中痕量Cr(Ⅵ)进行预富集,再放入石墨杯中进行原子吸收法测定,利用化学修饰电极的络合、富集作用和原子吸收法测定高选择性,获得满意的结果。富集底液选用1mol.dm-3HC1,测定线性范围为0.5～20ng/ml,在含Cr(Ⅵ)量为10ng/ml溶液中十次测定值的变异系数为3.9％,检出下限为0.3ng/ml,二十多种共存离子不干扰测定。     

三辛基氧化膦修饰电极富集溶出机理的光谱表征

化学修饰电极表面的表征是修饰电极研究的重要方面,我们曾报道用三辛基氧化膦(TOPO)修饰电极进行铕(Ⅲ)的测定,发现在含有Eu~(3+)和噻吩甲酰三氟丙酮(HTTA)的HAc-NaAc溶液中,能得到一个十分灵敏的阴极溶出峰,而HTTA不存在时,则无明显的峰因此,HTTA对Eu~(3+)的富集过程一定起着某种重要的协同作用,我们认为,HTTA在溶液中存在酮式与烯醇式的平衡,其烯醇式与溶液中的Eu~(3+)和H_2O形成中性络合物[Eu(TTA)_3·(H_2O)],当其扩散至TOPO修饰电极表面时,电极表面的TOPO就将其水分子取代,生成更稳定的协同三元络合物,从而将Eu~(3+)富集在电极表面:     

双向溶出伏安法同时检测金和铜

本文首次提出双向溶出伏安法 ,并将该方法用于同时检测水溶液中的Au(Ⅲ )和Cu(Ⅱ ) .采用细菌修饰的碳糊电极做工作电极 ,于阳极富集 ,阴极溶出测定Au(Ⅲ ) ,同时在碳糊电极上再修饰上一层超细微粒金膜 .然后 ,在金电极上进行阴极富集 ,阳极溶出检测Cu(Ⅱ ) .该法仪器设备简单、操作简便 .Au(Ⅲ )与Cu(Ⅱ )的检测信号分别在阴极、阳极两个方向显示 ,分辨率高 .Au(Ⅲ )在 0 .2～ 1μg/mL、Cu(Ⅱ )在 2～ 10ng/mL浓度范围内 ,均有良好线性关系 ,其检测限依次为 2 0ng/mL和 0 .5ng/mL ,8次平行测定RSD小于 3%     

聚邻苯三酚修饰电极的制备及其对铜(Ⅱ)的测定

采用电化学方法在pH 7.0磷酸缓冲溶液(PBS)中,将邻苯三酚氧化电聚合制成稳定的水不溶性膜修饰在玻碳电极(GCE)表面,将制得的膜修饰电极(PPG/GCE)在一定电位下选择性预富集铜(Ⅱ),并用差分脉冲溶出伏安法测定。结果表明,该膜修饰电极对铜(Ⅱ)的富集作用明显强于裸玻碳电极。对电聚合条件、富集和溶出介质、还原时间、富集电位等实验参数进行了考察,在优化实验条件下,Cu(Ⅱ)的浓度在5.0×10-8~1.0×10-5mol/L范围内与阳极氧化峰电流呈线性关系,相关系数为0.998 1,检出限为1.0×10-9mol/L。制得的修饰电极具有较高的灵敏度和选择性,可用于实际样品人发的分析,样品的回收率为99%~104%。     

石墨相氮化碳的制备及其在检测重金属离子Cd（Ⅱ）中的应用

以石墨相氮化碳(g-C3N4)修饰玻碳电极在醋酸-醋酸钠缓冲液中,采用方波溶出伏安法检测重金属离子Cd(Ⅱ)。优化了玻碳电极表面负载量、缓冲溶液pH值、富集电势等因素对检测效果的影响。在溶液pH 4.5,富集电位为-1.2 V,富集时间为5 min,玻碳电极表面修饰量为10μL的实验条件下,标准曲线呈现良好的线性关系,线性范围为1.0×10-7~1.4×10-5mol/L,线性方程为I(μA)=8.03 c(μmol/L)-2.00,r=0.998 5,检出限(3σ)达3.3×10-8mol/L。常见无机盐离子对修饰电极无干扰。用于自来水样中镉离子的测定,加标回收率为98.8%~99.6%,实验结果与原子吸收光谱法一致。     

丁二酮肟修饰碳糊电极阳极溶出伏安法测定痕量铋

报道了用丁二酮肟修饰碳糊电极测定微量铋的电分析方法。Bi~(3+)通过与电极表面的丁二酮肟作用而富集在电极表面,同时在-0.40 V(vs.SCE)还原成零价,当电极电势从-0.40 V向0.40 V扫描时,被还原的铋从电极表面溶出,在0.03 V出现一个十分灵敏的阳极溶出峰。优化了各种实验参数,如支持电解质的选择及pH值、丁二酮肟的用量、富集电位及时间等。修饰电极测定铋的线性范围为1×10~(-9)～1×10~(-6)mol/L。富集6 min后检出限可达4×10~(-10)mol/L。该方法简便快速,灵敏度高,分析成本低廉,并成功应用于实际水样中微量铋的测定。     

修饰铋盘电极吸附伏安法测定痕量钴的研究

研究了利用丁二酮肟修饰铋电极测定钴的吸附伏安分析方法。在0.4 mol/L NH3.H2O-NH4Cl缓冲溶液(pH=9.0)中,Co(Ⅱ)与铋盘电极表面修饰的丁二酮肟形成螯合物。并于-1.20 V附近产生一个灵敏的还原峰。富集时间分别为60 s和280 s时,峰电流与钴的质量浓度在0.01~25μg/mL和0.002~2μg/mL范围内呈线性关系。该还原峰与采用汞电极时的峰形相似、电位相近、灵敏度相当。优化了实验条件,拟订了样品分析的步骤,利用该法测定了合金、维生素B12针剂样品中的微量钴。     

茜素红S/多壁碳纳米管修饰碳糊电极阳极溶出伏安法测定痕量铜

制备了茜素红S/多壁碳纳米管修饰碳糊电极,提出了一种灵敏的溶出伏安法测定痕量铜的新方法.在极谱分析仪上采用二阶导数线性扫描伏安法进行分析,在0.1 moL/L的HAc-NaAc缓冲溶液(pH 4.1)中,Cu与修饰电极表面的茜素红S(ARS)形成Cu(Ⅱ)-ARS络合物而富集于电极表面,于-400 mV处还原后,再进行阳极化扫描,于64 mV处获得一灵敏的铜的阳极溶出峰,峰电流与Cu(Ⅱ)浓度在2×10-11 mol/L～6×10-7 mol/L范围内呈良好的线性关系,检出限(S/N=3) 为8.0×10-12 mol/L(富集时间240 s).方法应用于人发中铜含量的测定,回收率为98%～102%.     

铜在金电极表面的选择性化学镀富集的研究

在具有催化还原活性的金电极表面,以水合肼为还原剂,在pH10.5酒石酸钾钠溶液中,通过化学镀方法,选择性地在金电极表面沉积了单层结构的铜膜。用开路电位时间谱技术(Op～t)、循环伏安法(CV)和微分脉冲伏安法(DPV)表征了该溶液还原法对铜进行选择性富集的机理和效果。证明在多种金属离子共存的复杂溶液体系中,可以避免其它离子的干扰,使铜选择性地富集到金电极表面。化学镀浴中富集到金电极表面的单层铜膜溶出电流与Cu2+的浓度在3×10-6～1×10-4mol/L范围内呈线性关系。该法已用于矿样中铜的还原富集、分离和测定,分析结果与电感耦合等离子体发射光谱法(ICP/AES)作了比较,结果满意。     

双硫腙修饰固体银汞合金电极吸附伏安法测定痕量铅

制作了银汞合金电极,在其表面用双硫腙进行修饰,溶液中铅离子与电极表面的双硫腙发生螯合作用被富集。当电极电位在-0.20~-0.70V间进行阴极化扫描时,配合物中铅离子在电极表面被还原,于-0.40V左右形成灵敏的还原峰。选择了反应介质并优化了pH值、双硫腙用量、富集时间等实验参数。利用该修饰电极测定铅的线性范围为0.02~1.2mg/L,检出限为10μg/L。对0.6mg/L Pb2 溶液进行11次平行测定,相对标准偏差为4.1%。该法用于实际水样铅的测定,回收率为94.8%。     

Nafion修饰电极预富集-石墨炉原子吸收法测定痕量银的研究

本文报道了用Nafion修饰电极预富集-石墨炉原子吸收法测定痕量银的方法。采用不加电位的离子交换富集方法,将痕量银富集在Nafion修饰钨丝电极上,然后用石墨炉原子吸收法测定,检出限为0.04ng/ml,线性范围为0.08～12ng/ml,RDS为4.2%,回收率为88～100%。方法简便、灵敏,选择性好,适用于测定复杂体系中的痕量银。     

邻苯三酚红修饰碳糊电极阳极溶出伏安法测定痕量锡的研究

研制了邻苯三酚红(PR)修饰碳糊电极,研究了采用该电极测定痕量锡的阳极溶出伏安法.在0.15 mol/L乙酸盐缓冲溶液(pH 4.5)中,通过开路富集,Sn(Ⅳ)与修饰电极表面的邻苯三酚红生成络合物而富集于电极表面,然后介质交换至4.0mol/L盐酸中,于-0.80 V还原后再进行阳极化扫描,于-0.69 V左右获得一灵敏的Sn的溶出峰,二次导数峰电流与Sn(Ⅳ)浓度在1.68×10-8～1.68×10-6mol/L范围内呈现良好的线性关系,检出限达8×10-9mol/L.对电极反应机理进行了讨论,方法已应用于罐头食品中锡的测定.     

三辛基氧化膦化学修饰电极预富集-石墨炉原子吸收测定水中痕量锑的研究

本文研究了三辛基氧化膦(TOPO)化学修饰电极预富集石墨炉原子吸收法测定水样中痕量锑。水中痕量锑被电解还原蓝电积在TOPO修饰的钨电极上,然后放入石墨杯中直接原子化。锑的测定线性范围1.0—20ng/mL,含10ng/mL锑的溶液九次平行测定,变异系数为3.1％,捡出限为0.1ng/mL,24种共存离子及有机物不干扰测定。方法灵敏、简便、并用于一些水样的测定,得到满意的结果。     

用2，4，6-三（3，5-二甲基吡唑）-1，3，5-三嗪碳糊修饰电极测定痕量Zn（Ⅱ）

用2,4,6 -三 (3,5 -二甲基吡唑 ) -1,3,5-三嗪 (TDT)制得了碳糊修饰电极 ,在pH=5的HAc -NaAc的缓冲溶液中,将锌富集在电极上,用差示脉冲阳极溶出伏安法测定锌,锌(Ⅱ)的浓度在3.0×10-8～4.0×10-5mol·L-1 范围内与峰高呈良好的线性关系。该电极可用于测定自来水中锌的含量,获得满意的效果。     

基于铜离子与DNA相互作用的铜离子检测

利用铜离子(Cu~(2+))可与DNA分子中的碱基相互作用形成络合物的性质,将Cu~(2+)富集在DNA修饰电极表面,进而采用微分脉冲伏安法(DPV)实现了铜离子的检测.此外,由于乙二胺四乙酸(EDTA)对Cu~(2+)具有更强的络合能力,富集于DNA修饰电极表面的Cu~(2+)很容易被洗脱液中的EDTA络合,从而实现修饰电极的再生和重复利用.实验结果表明,在最佳实验条件下,Cu~(2+)浓度在2.0×10-6~1.0×10-5mol/L和2.0×10-5~1.0×10-4mol/L范围内与其相对还原峰电流强度(I-I0)呈良好的线性关系,且该传感器简单、稳定,可循环使用.     

聚拉莫三嗪修饰玻碳电极测定痕量铜(Ⅱ)的研究

在稀H2SO4介质中,采用循环伏安法制备了聚拉莫三嗪膜修饰玻碳电极(PLTG/GCE),将制得的膜修饰电极(PLTG/GCE)在一定电位下选择性预富集Cu(Ⅱ),并用差分脉冲溶出伏安法测定.结果表明,该膜修饰电极对Cu(Ⅱ)的富集作用明显强于裸玻碳电极.对电聚合条件、富集和溶出介质、富集时间及富集电位等实验参数进行了考察,在优化实验条件下,Cu(Ⅱ)的浓度在4.0×10-9～1.3×10-7mol· L-1范围内与溶出峰电流呈线性关系,相关系数为0.9999,检出限为1.5×10-9 mol·L-1.该修饰电极具有较高的灵敏度和选择性,用于实际水样的分析,平均回收率为98.7％.     

铋膜修饰玻碳电极伏安法测定微量铅(Ⅱ)

以铋膜修饰玻碳电极为工作电极,采用阳极溶出伏安法对微量Pb(Ⅱ)进行测定。考察了铋离子浓度、支持电解质pH、沉积时间等因素对测定的影响。实验结果表明,铋膜修饰电极对痕量Pb(Ⅱ)具有良好的电化学响应。在实验选定条件下,Pb(Ⅱ)在10～260!g/L范围内与峰电流呈良好的线性关系,检出限为1.98!g/L。用同一支铋膜电极对50!g/L Pb(Ⅱ)平行测定10次,相对标准偏差(RSD)为2.82%。该电极可应用于井水中铅的测定。     

三辛基氧化膦修饰电极测定Au（Ⅲ）的研究

用玻碳电极为基体制成了TOPO修饰电极,研究了Au(Ⅲ)在该电极上的阴极溶出伏安特性,并用于痕量Au(Ⅲ)的测定。在1～20 ng/mL的范围内Au(Ⅲ)的浓度与峰高呈线性关系。同时,对电极反应的机理进行了讨论。     

硫桥杯[4]芳烃衍生物膜修饰玻碳电极差分脉冲溶出伏安法测定铅

将硫桥杯[4]芳烃衍生物25,27-二(2-噻二唑基硫代乙氧基)-26,28-二甲氧基-5,11,17,23-四叔丁基硫桥杯[4]芳烃(TTCA)溶于二氯甲烷中,滴涂在玻碳电极表面,制得硫桥杯[4]芳烃修饰的玻碳电极。循环伏安当研究结果表明:将此修饰电极浸泡在1.0×10-6mol.L-1铅(Ⅱ)溶液中一段时间后转移至0.1 mol.L-1硝酸溶液中,以扫速100 mV.s-1在电位-0.8~-0.2 V范围内扫描所得的CV图上出现一对氧化还原峰。当此修饰电极在上述浓度的铅(Ⅱ)溶液中于-1.1 V富集300 s后用差分脉冲溶出伏安法检测时,铅(Ⅱ)在-0.516 V处出现一良好的氧化峰。铅(Ⅱ)浓度在2.0×10-7~2.0×10-5mol.L-1范围内与峰电流呈线性关系。其检出限(3S/N)为8.0×10-9mol.L-1。此法应用于水样中痕量铅的测定,测得回收率在95.0%~104.0%之间。     

铋膜电极溶出伏安法测定食品中痕量重金属

以铋膜电极为工作电极,采用微分脉冲阳极溶出伏安法直接测定食品样品中痕量铅、镉和锌。在富集电位-1.4V,富集时间180s,铋膜质量浓度150μg·L-1的条件下,铋膜电极对铅、镉和锌的氧化溶出具有良好的电化学响应。铅(Ⅱ)、镉(Ⅱ)和锌(Ⅱ)的质量浓度在5.0~40μg·L-1的范围内与其阳极溶出峰电流呈线性关系,铅(Ⅱ)、镉(Ⅱ)和锌(Ⅱ)的检出限(3S/N)分别为0.80,0.65,0.58μg·L-1。对25μg·L-1铅(Ⅱ)、镉(Ⅱ)和锌(Ⅱ)溶液用铋膜电极连续测定15次,相对标准偏差分别为6.2%,5.1%,7.1%。方法应用于食品中痕量重金属的测定,测定结果与石墨炉原子吸收光谱法的测定值相符。