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由学部委员、我国著名物理学家黄昆教授主持的国家自然科学基金“七五”重大项目“半导体超晶格微结构”最近通过了专家组的评议验收. 该项目以探索、开发新一代固态电子、光电子器件为着眼点,本着以分子束外延和有关超薄层材料生长技术为先行、物理研究为基础的原则,从事半导体超晶格微结构的物理、材料和器件三方面的综合性基础研究.经过五年努力,这个项目不但出色地完成了任务,实现了预期目标,而且取得了比预期成果大得多的成绩,先后发表论文571篇,其中有234篇发表在重要国际学术刊物和国际会议上,在有关重要国际学术会议上做特邀报告达2… 相似文献
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半导体超晶格和微结构 总被引：3，自引：0，他引：3
本文结合国家科学基金重大项目“半导体超晶格和微结构”的一部分研究工作（超晶格材料的生长技术，量子阶，超晶格的光学声子模，能带类型和超晶格类型的双重转变，隧穿的研究，光调制反射谱的机理），对有关的基础知识和所取得的成果作扼要的介绍。 相似文献
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前些时候,西德马克思-普朗克学会固体研究所的Dohler等在GaAs材料上作出了掺杂型超晶格[1]. 早在1970年,IBM公司的Esaki和Tsu就指出,从原则上讲,可以精心设计有预定性质的半导体微结构.他们设想了两种类型的半导体超晶格:掺杂型超晶格和组分型超晶格.所谓掺杂型超晶格就是在同一种半导体材料上制作p-n结和n-p结的简单交替层.组分型超晶格的交替层是由不同元素组成的.1974年,在 IBM和Bell实验室都作出了组分型的超晶格. Dohler等的掺杂型超晶格是用分子束外延装置在GaAs上作成的.在约40nm(约150个单原子层)厚的平面层中用Si(n型)和Be(… 相似文献
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中科院半导体所云集着黄昆、林兰英等一流物理学家和一大批有作为的中青年学者,他们在半导体物理,特别是在半导体超晶格物理的理论研究、半导体超晶格的光谱物理、超晶格低维系统的输运特性、超晶格量子阱中杂质、深能级行为、超晶格、多层异质结构材料诸方面获得众多成果,在世界半导体物理领域占有重要地位.根据灰色文献的定义,我们将该所学者在国际会议报告和将发表的论文有选择地摘录发表.供广大读者参考. 相似文献
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半导体超晶格是1970年在美国IBM公司工作的江崎等人首先提出来的.随着分子束外延技术(MBE)的发展,已在七十年代实现了这种能达到原子量级、能进行精细加工的人造晶格结构.由于它具有一系列新颖的物理性能,越来越受到学术界的重视.人们认为,在不久的将来有可能采用各种超晶格结构制成新型电子器件,这种器件将会在各个领域里起主导或取代现有器件的作用. 从1983年起。在多次国际会议上已提出了一种新型的超晶格──非晶态半导体超晶格,或称为非晶态半导体多层膜结构.美国EXXON公司的B.Abeles和T·Tiedje首先著文介绍了这一新颖的工作[1]… 相似文献
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由中国科学院磁学开放实验室筹备的全国薄膜磁性学术讨论会于1991年12月4日至6日在桂林召开.这次会议得到了国内七所高等院校、中国科学院三个研究所、三个部级研究所的有关方面的支持井有45名代表参加.会议共收到学术论文41篇. 磁性薄膜是磁学这一物理学分支中活跃的研究领域之一,它不仅具有学术上重要研究价值,而且与新技术发展如信息存储息息相关.尤其是近年来磁性超晶格膜和超高密度磁光存储盘问世,给磁性薄膜研究注入了强大的生命力.这次会议的主要内容正是交流和讨论了国内同行近年来在这些研究领域中所进行的研究工作.除了磁性超晶格… 相似文献
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第四届全国表面和界面物理学术会议于1986年多月20日至23日在合肥董铺岛举行.参加会议的代表来自21个省市18个研究所、38所大学和六个工厂等共224人. 本届会议的第一个特点是论文很多.有243篇.论文涉及到表面和界面研究的各个主要方面,包括表面和界面成分分析,表面原子结构和表面电子态,表面吸附和脱附,各种物质的界面研究,外延超晶格和量子阶,二维电子气,表面分沂仪器和技术,以及表面科学在各个领域中的应用等.这说明表面研究已在我国有了较大的发展.特别是在当前国际的一些前沿课题,如硅和Ⅲ-V族化合物半导体的清洁和吸附表面的原子结构… 相似文献
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受中国物理学会的委托,由中国科学院半导体研究所,清华大学和北京大学负责承办的第八届全国半导体物理会议(NCPS-8)于1991年11月5至8日在北京清华大学召开.来自全国 51个单位的 209名代表出席了会议.黄昆、谢希德等著名物理学家也出席了会议. 会议共接受了235篇学术论文,其中大会报告六篇,其余报告,包括19篇邀请报告(分为表面和界面,量子阱和超晶格,低维系统,杂质和缺陷,本体性质,光学性质,输运现象,非晶半导体,新现象和新材料,半导体器件物理10个方面)同时在三个分会场进行.其中量子阱和超晶格,低维系统及异质结构方面的报告占一半以上. … 相似文献
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自从1969年美国IBM公司的江畸(L.Esaki)和朱兆祥提出超晶格概念以来,半导体超晶格量子阱的研究巳成为半导体领域自40年代末单晶和晶体管问世以来所发生的最重大事件.这个研究领域之所以倍受重视,除了因为有明显的技术应用前景之外,还因为在物理上它提供了一个极好的、能在实验上观测量子尺寸效应的理想模型. 相似文献
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介电体超晶格是一种新型的有序微结构材料.它具有通常均质材料所不具有的独特优异性能,展现出重要的应用前景.文章介绍了南京大学研究组关于介电体超晶格研究所取得的进展,如将多个光参量过程集成于一块介电体超晶格之中获得了多波长激光同时输出,研制成超晶格全固态三基色激光器原型,在介电体超晶格中将拉曼散射强度增强到104-105倍,用超晶格研制的器件填补了体波超声器件从几百MHz到几千MHz的空白频段,发现了微波与超晶格振动的强烈耦合以及极化激元(polariton)的激发与传播等. 相似文献
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第八届全国凝聚态理论和统计物理会议于1９９５年1０月11至1４日在武汉华中理工大学举行．来自全国几十所高等院校、科研机构的正式代表８７人（包括香港地区的代表）出席了本届会议．代表们为会议提交了论文共1４９篇，其中大会报告７篇，分会报告1８篇，内容涉及到强关联系统、超晶格、Ｃ60、磁性系统、介观物理、纳米材料研究等许多前沿课题的最新进展．代表们所提交的1００多篇论文基本反映了近两年来我国凝聚态理论和统计物理研究方面所取得的最新成果．会议认为，近年来，我国的凝聚态理论和统计物理学工作者．在该领域里取得了一批在… 相似文献
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一、半导体超晶格和量子阱 最近十几年来,在半导体材料、物理、器件研究的领域中半导体超晶格和量子阱的研究十分活跃。可以这样说,这方面的研究是整个半导体领域中最大、最有前途、内容最丰富的一个生长点。 什么是超晶格?众所周知,晶态固体内的原子是周期性排列的。如果用人工控制的办法能够使材料的结构以原周期的若干倍周期性地变化,这样得到的材料就叫做超晶格。目前研究得最多的超晶格材料是交替生长两种半导体薄层多次而形成的.如在一块衬底材料上生长。个原子层的A半导体(例如 GaAs),再生长 n个原子层的B半导体(例如 Gal.xAI人s,… 相似文献
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半导体纳米结构是纳米材料的一个重要组成部分,纳米结构的电子和光子器件将成为下一代微电子和光电子器件的核心.半导体纳米结构有多种多样,如自组织量子点、纳米晶体、硅团簇、量子结构等,它们可以制成各种纳米电子学器件.根据以上几类半导体纳米结构,文章介绍的获奖项目提出了研究半导体纳米结构电子结构的四个理论,并利用这些理论研究了它们的电子态和物理性质,发现了许多新的效应.这些理论包括：一维量子波导理论、孤立量子线、量子点的有效质量理论、异质结构的空穴有效质量理论、经验赝势同质结模型.专著〈半导体超晶格物理〉全面系统地介绍了超晶格物理的概念、原理、理论和实验结果,主要总结了获奖项目参加者所在的研究组在超晶格物理研究方面所取得的成果. 相似文献
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本文介绍了近二年来我国在用喇曼散射和布里渊散射研究半导体、金属及半导体超晶格,高温超导体、磁性物质和介电晶体等方面的进展,以及表面增强喇曼和受激光散射研究的进展情况。 相似文献
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超晶格材料是用现代薄膜生长技术制成的一种新型材料,它在过去的自然界中从未存在过,是一种完全新的人工制造的晶体. 1970年,美国IBM公司的江崎玲于奈(L.Esaki)和朱兆祥首次在GaAs半导体上制成了超晶格结构[1].以后,半导体超晶格的研究工作得到了很快的发展,不仅研制出GaAs和各种Ⅲ-V族化合物超晶格材料,而且Ⅳ-Ⅳ族、Ⅱ-Ⅵ族、Si超晶格以及非晶态半导体超晶格等也已相继出现,有一些已经获得实用,做成了相当重要的微电子和光电子器件.半导体超晶格以及与之相联系的异质结中的许多物理现象,特别是低维物理现象已引起了人们广泛的兴趣.近… 相似文献
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我国半导体物理研究进展 总被引：1，自引：0，他引：1
简单地回顾了近年来我国半导体物理研究的进展,它包括三个方面,半导体超晶格、微结构;半导体表面、界面和杂质、缺陷;以及半导体新材料、新结构,这些进展说明,半导体物理研究在当代物理学和高技术的发展中都占有突出的地位,它仍是一门年轻的、富有生命力的学科,预期在将来有更大的发展。 相似文献
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电场调制反射光谱(简称electroreflectance或ER)是进行半导体能带结构研究和材料鉴定的重要手段.1964年,Seraphin[1]首次观测到与Ge的基本吸收边E0有关的ER谱结构.七十年代初,ER谱已成为研究半导体材料性质的有效手段.七十年代后期,随着近代光谱技术的蓬勃发展和各种大型谱仪的出现,ER谱曾一度出现了停滞的状况.高近两年的研究发现,调制光谱方法在研究半导体超晶格和量子阶中的电子能态方面可以发挥重要作用.人们利用这种方法已经观察到量子数高达9的高子能级间的跃迁,Δn≠0的禁戒跃迁,激子态的跃迁,子带的色散和超晶格的微结构等.因… 相似文献
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在二维范德瓦耳斯材料中,可以通过转角及晶格失配构造周期性的莫尔超晶格.自从实验上在“魔角”石墨烯系统中观察到关联绝缘体态和超导电性以来,利用各种二维范德瓦耳斯材料构造莫尔超晶格并研究其中的新奇量子物态成为了凝聚态物理研究的热点和前沿问题.本文主要综述了最近几年在二维半导体过渡金属硫族化合物莫尔超晶格系统中的相关实验进展.在该系统中实现电子“平带”不依赖于特定魔角,实验上,一系列的关联电子物态和拓扑电子物态被相继发现和证实.进一步的理论和实验研究有望在该系统中揭示更多的受电子关联作用和拓扑物理共同支配的新奇量子物态. 相似文献
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科学的新发展常常以技术的进步为先导.正是由于薄膜技术的高度发展,人们可以逐个原子层地制备薄膜和控制薄膜的生长,从而激发起科学家们去研究人造超晶格的结构.所谓超晶格是指几种不同材料按一定厚度作周期性交替生长的多层薄膜结构。 一、历史概况 超晶格的研究首先是从半导体材料开始的(譬如 GaAs/AlAs).近年来对非晶态半导体也作过超晶格研究,如1983年美国EXXON公司的B.Abeles和 T.Tiedje[1]介绍的非晶 a-Si:H/a-SiNx:H等.近年来人们对金属超晶格进行了研究[2].过去,人们也曾无意识地研究过金属多层膜问题,如早期从X射线角度研… 相似文献