氢化非晶硅薄膜对C-MOS集成电路的钝化保护作用

本文指出,用α-Si∶H膜钝化CH 4081型中规模电路能明显地降低反向漏电流,使场开启电压提高;配对管开启电压匹配良好,从而使动态工作电压由5.0V下降到3.0V。半绝缘性α-Si∶H膜对外界干扰有屏蔽效果,可使C—MOS器件阈值电压的负漂移减小。研究了α-Si∶H钝化膜的抗高能粒子的辐照作用,仅2000～3000(?)厚的α-Si∶H膜能使CH4081电路的抗辐照能力由10~(10)e/cm~2提高到大于10~(12)e/cm~2(1.2MeV)。钝化后的C—MOS电路自然存放数年后,电路参数基本稳定。     

氢化非晶硅双极性场效应晶体管

本文着重研究了玻璃栅介质(GGI)氢化非晶硅双极性场效应晶体管(α-Si:HBFET)的转移特性,并比较了SiO_2和SiO_2/α-SiN_x:H栅介质α-Si:HFET的性质.业已发现:(1)硼掺杂和磷掺杂不仅可以人大地提高(GGI)α-Si:HBFET的电流驱动能力,而且可以大大地改善其双极对称性.(2)(GGI)未掺杂α-Si:HBFET可以用来构成静态特性良好的CMOS倒相器.(3)SiO_2栅介质α-Si:HFET具有典型的双极性,但是SiO_2/α-SiN_x:H栅介质α-Si:HFET则不是双极性的.     

氢化非晶硅场效应晶体管的特性研究

氢化非晶硅场效应晶体管的特性对环境因素较为敏感，如光照、温度和湿度等。文中介绍光照和退火引起的氢化非晶硅场效应晶体官场效应特性的变化，并探讨导致这种变化的原因。     

氢化非晶硅中光致亚稳性退化的物理机制

关于氢化非晶硅(a-Si:H)中光致亚稳性退化(Staebler-Wronski效应)虽已进行了大量研究,但对其物理机制至今还是不清楚的,已有物理模型都有它自己的困难.本文指出,光激产生的导带电子与价带空穴通过Si-H弱键的无辐射复合时放出的Si-H 局域模振动声子使Si-H键自身断裂而造成硅悬挂键——SW缺陷.该模型可以定性解释我们所知道的重要实验事实.     

电子辐照改善氢化非晶硅的结构孔弛豫

氢化非晶硅（α－Ｓｉ：Ｈ）的结构弛豫是导致α－Ｓｉ：Ｈ性能光诱导衰变的重要原因之一。用０．５ＭｅＶ、注量１．３ × １０２０ｅ／ｃｍ２的电子束辐照,α－Ｓｉ转化为微晶硅,不稳定的弱Ｓｉ－Ｓｉ键因断裂而减少。 α－Ｓｉ光电池的相应试验初步证实,合适的电子辐照可以缓解α－Ｓｉ的结构弛豫现象。     

一种新型磁场MWECR-CVD和氢化非晶硅薄膜制备

为了简化多电磁线圈MWECR-CVD装置,提出将单个电磁线圈和一个永磁体单元组合,以形成所需的新型磁场.这一磁场可使等离子体集聚于样片台上方,显著提高了等离子体的能量密度.应用这种新型磁场的MWECR-CVD装置沉积氢化非晶硅薄膜,与采用单电磁线圈或双电磁线圈时相比,薄膜沉积速度大幅度提高,沉积速度达到采用传统RF-PECVD装置时的数倍至十倍.     

晶体硅太阳电池表面钝化技术

介绍了晶体硅太阳电池表面钝化技术的发展历程,表面钝化膜在晶体硅太阳电池中所起的作用,以及晶体硅太阳电池中各种钝化膜和表面钝化技术。阐述了国内和国际对晶体硅太阳电池表面钝化技术的最新研究动态,重点论述了SiO2,SiNx,SiCx和Al2O3,以及这些钝化膜的叠层钝化技术的优缺点。在此基础上进一步指出SiO2/SiNx叠层钝化膜将成为今后工业化生产的研究重点,Al2O3及其叠层钝化膜将成为今后实验室的研究重点,由于表面钝化是提高晶体硅太阳电池转换效率最有效的手段之一,今后晶体硅太阳电池表面钝化技术仍将是国内和国际研究的热点问题之一。     

玻璃钝化技术对半导体放电管抗浪涌能力的影响

半导体放电管是新一代抗浪涌保护器件，极问电容是其应用到高频环境下的一个限制因素。文章从半导体放电管的基本结构出发，介绍了用玻璃钝化技术去除放电管侧壁电容的方法。理论分析表明，在没有采用玻璃钝化技术时，流过放电管结底部的电流大于流过其侧壁的电流，因此，采用玻璃钝化技术对半导体放电管的抗浪涌能力影响不大。     

硅系太阳电池表面钝化技术比较

通过对硅片的少数载流子有效寿命、硅太阳电池的反射损失和光谱响应这三个方面的研究,比较了目前主要的硅太阳电池表面钝化技术,对这些钝化技术的优缺点进行了分析和评价.从上述三个方面的比较可以看出,RTO/SiNx堆叠钝化技术在提高硅太阳电池性能上是最优的,具有良好的应用前景.     

砷化镓表面硫钝化技术的研究进展

综述了国内外砷化镓表面硫钝化技术的研究现状和发展趋势, 并对其钝化机理及钝化方法等进行了介绍。同时还提出了对今后发展砷化镓表面硫钝化技术的初步看法     

温度对非晶硅薄膜二次晶化的影响

为研究温度对固相晶化的影响,用玻璃作衬底,在不同温度下用PECVD法直接沉积非晶硅(a-Si:H)薄膜,把在室温、350℃和450℃下沉积的样品,在600℃和850℃下退火3h,把前后样品用拉曼光谱和扫描电镜分析,发现二次晶化后的晶化效果比直接沉积的薄膜好,850℃下退火的薄膜比600℃好。在450℃下沉积、850℃退火3h,SEM观察,表面最大晶粒尺寸为900nm左右。     

PIN型非晶硅薄膜太阳电池仿真研究

运用AMPS软件,对TCO/p-a-SiC:H/i-a-Si:H/n-a-Si:H/metal型非晶硅薄膜太阳电池进行了仿真研究,重点模拟和分析了电池性能参数随i层和n层厚度变化的规律.结果表明,为了获得电池转换效率和短路电流密度的最大值,n 层非晶硅薄膜应尽可能地减小厚度,而i层非晶硅薄膜厚度最好控制在500～700 nm范围内.     

多孔硅表面的Al2O3钝化处理

用A12O3钝化的方法对多孔硅进行了后处理，获得了光致发光强度强、发光稳定的样品。通过对样品进行傅里叶变换红外吸收谱的测试和分析，指出了A12O3结构的产生是实验中多孔硅发光稳定性提高的原因。     

基于陷落电荷效应的非晶硅TFT的开态电流模型

对非晶硅薄膜晶体管,提出基于陷落电荷和自由电荷分析的新方法。考虑到带隙中指数分布的深能态和带尾态,给出了基于阈值电压的开启区电流模型。定义阈值电压为栅氧/半导体界面处陷落于深能级陷阱态的电荷与陷落于带尾态的电荷相等时所对应的栅压。电流模型中,引入一陷落电荷参数β,此参数建立了电子的带迁移率与有效迁移率之间的关系。最后,将电流模型同时与Pao-Sah模型和实验数据进行比较和验证,结果表现出很好的一致性。     

SiC器件与电路的若干关键技术

SiC器件可以稳定工作于高温、高频、强辐射条件下的能力已经得到证实。在许多应用领域和系统中,SiC已经成为进一步提高性能的理想材料。但是,在SiC器件及其电路的数量按比例增长并被融入电子系统之前,晶体生长和器件制造等技术必须得到进一步的发展。文章报道了SiC技术的最新进展情况。