正,负电子被原子散射的光学势方法—e^±—Na散射总截面的计算

将原子核散射理论中的光学势方法应用于正、负电子被原子散射的计算，提出了不含任意参数的光学势以及由此确定散射矩阵元的方法，计算了低能（≤５０ｅＶ）正、负电子被Ｎａ散射的总截面并与实验结果进行了比较。     

低能正电子与氪,氙原子散射角分布的理论研究

用模型势方法对正电子与氪，氙原子散躯有分布进行了系统计算，通过对算得的微分截面的数据分析，结合作者以前对正电子与氦，氖，氩原子散射角分布的研究结论总结出了代能正电子与稀有气体原子散射角分布规律。     

正、负电子被原子散射的光学势方法──e~±－Na散射总截面的计算

将原子核散射理论中的光学势方法应用于正、负电子被原子散射的计算，提出了不含任意参数的光学势以及由此确定散射矩阵元的方法，计算了低能（≤５０ｅＶ）正、负电子被Ｎａ散射的总截面并与实验结果进行了比较。     

电子被HF和HCl分子散射总截面的计算

利用光学势方法计算了能量在１０ｅＶ—１０００ｅＶ范围内电子被Ｈ、Ｆ和Ｃｌ原子散射的总截面，并与已有的实验结果和理论计算进行了比较；又利用可加性规则（ａｄｄｉｔｉｖｉｔｙｒｕｌｅ）计算得到了电子被ＨＦ和ＨＣｌ分子散射的总截面，计算结果也与已有的实验结果和理论计算进行了比较     

中高能量电子被NO_2和SO_2分子散射总截面的研究

用模型势方法对正电子与氪、氙原子散射角分布进行了系统计算，通过对算得的微分截面（散射角从２０°－１６０°）的数据分析，结合作者以前对正电子与氦、氖、氩原子散射角分布的研究结论，总结出了低能正电子与稀有气体原子散射角分布规律     

低能电子与氩原子散射总截面的绝对测量

利用电子散射飞行时间谱仪，测量了１—５０ｅＶ能量范围的电子与氩原子散射绝对总截面（ＴＣＳ），测量精度达到５％。实验结果与同类实验和近期的理论结果进行了比较，在实验误差范围内符合得较好。     

正电子被分子散射总截面的计算

将光学势方法与可加性规则（ａｄｄｉｔｉｖｉｔｙｒｕｌｅ）相结合，我们计算了能量在１０－１０００ｅＶ范围内正电子被分子（Ｈ２，Ｎ２，ＨＣｌ，ＮＨ３，ＣＨ４，ＳＦ６）散射的总截面，计算结果与已有的实验结果进行了比较。     

100～5000eV下电子被若干分子散射的总截面

利用可加性规则，使用Hartree-Fock波函数，在100～5000eV内采用由束缚原子概念修正过的复光学势，对电子被约40个分子散射的总截面进行了计算，并将计算结果与实验结果及其它理论计算结果进行了比较。得出如下结论：①对大多数散射体系而言，仅当入射能量E≥100eV时，计算结果即与实验结果符合得较好，少数较复杂的体系，当E≥200～300eV时，也能与实验结果符合得较好。但采用未修正的复光学势进行计算，仅当E≥500～800eV时才与实验结果符合得较好，不少体系只有在E≥1000eV时才能得到较好的结果。这说明本修正是成功的；②在较高的能量下，对于同类型分子构成的散射体系，在同一能量下其总截面与分子内的总电子数成正比，且电子数越多，其线性度也就越好；③在较高能量下总截面与能量间存在QT≈aE^-b的关系。②与③相结合，可推算出一些复杂分子的总截面。     

激光辅助电子—He原子散射——一种特殊情况下的微分截面？…

利用二阶微扰论的方法计算了动量转移与激光场的偏振方向垂直条件下,电子－Ｈｅ原子碰撞的自由－自由跃迁的单光子和两光子交换的微分截面,结果与最近的实验结果符合得很好。     

电子被等电子分子的散射总截面的研究

讨论等电子分子的分子 (电子数Ne=10 :HF ,H2 O ,NH3,CH4 ;Ne=14:N2 ,CO ,HCN ,C2 H2 ;Ne=18:HCl,CH3F ,H2 S ,SiH4 ,C2 H6)被电子散射的总截面与其键长、键角之间的关系 ,得到了利用键长、键角计算电子被分子散射总截面经验公式 ,并与已有的拟和公式、经验公式的计算结果进行了比较     

慢电子被氧原子弹性散射的截面计算

采用Ｈａｒａ ｆｒｅｅ－ｅｌｅｃｔｒｏｎ－ｇａｓ ｅｘｃｈａｎｇｅ ａｐｐｒｏｘｉｍａｔｉｏｎ（ＨＦＥＧＥ）交换势和本文作者提出的极化势，用等效势模型计算了能量在０．１３６－１２ｅＶ内的ｅ－Ｏ弹性散射总截面和动量转移截面，结果与Ｔｈｏｍａｓ和Ｎｅｓｂｅｔ的理论计算结果以及实验结果作了比较。     

TOTAL CROSSS ECTIONS FOR ELECTRON SCATTERING FROM SIMPLE HYDROCARBON MOLECULES: C_2H_4,C_2H_6 AND C_3H_8

１ＩＮＴＲＯＤＵＣＴＩＯＮＳｉｍｐｌｅｈｙｄｒｏｃａｒｂｏｎｍｏｌｅｃｕｌｅｓａｓａｎｉｍｐｏｒｔａｎｔｃｏｍｐｏｎｅｎｔｉｎｔｈｅｐｌａｎｅｔａｒｙａｎｄｃｏｍｅｔａｒｙａｔｍｏｓｐｈｅｒｅａｎｄａｓａｄｏｍｉｎａｎｔｍａｔｅｒｉａｌｉｎｔｈｅｆｉ...     

H^＋与He原子碰撞中电子俘获截面的BIB方法计算

用考虑边界修正的一级玻恩畸变波方法（ＢＩＢ）计算了质子与Ｈｅ原子碰撞中的电子俘获面。结果表明在所关心的能区（１００ｋｅＶ～２４００ｋｅＶ）与实验结果较好地一致     

光学模型与ADS靶的反应截面

利用核反应中光学模型理论,对质子入射能量从阈能到450MeV,加速器驱动的洁净核能系统的靶材209Bi、208Pb、202Hg、197Au、184W、181Ta与质子的反应进行了研究.给出了两套与实验数据符合很好的光学势参量;预言了质子与Bi、Pb、Hg、Au、W、Ta的反应截面;对现有的实验数据进行了理论验证.     

电子碰撞电离离子三重微分截面的计算

解决了包含四个合流超几何函数的数值积分问题,从而给出了计算电子碰撞电离离子三重微分截面的通用方法,适合于中、高入射能量下的各种几何条件。计算了对称和不对称几何条件下电子碰撞电离He⁺离子的三重微分截面,并与其它理论结果作了比较。     

电子碰撞类锂钙离子共振电离截面和速率系数

在库仑－坡恩交换近似及被我们改进了屏蔽常数定义和算法的Ｚ－标度类氢模型下，计算了类锂钙离子被电子碰撞的共振电离截面积速率系数。