腔靶内超热电子的实验研究

介绍了利用１０道滤波荧光谱仪（简称Ｆ．Ｆ．谱仪）测量新型腔靶中超热电子产生的硬Ｘ光能谱，并结合ＧａＡｓ阵列探测器测量硬Ｘ光角分布，给出了腔外硬Ｘ光总能量，同时用Ｆ．Ｆ．谱仪测量结果与其同方位的ＧａＡｓ探测器测量结果比对，两者在误差范围内是一致的。在Ｆ．Ｆ谱仪和ＧａＡｓ探测器两者数据比较自洽的情况下，并与后向受激拉曼散射光特征量比较，得出了：（１）腔靶内超热电子不是各向同性均匀分布的，大部分超热电子沿着入射激光光轴方向运动；（２）腔内大部分超热电子与冷介质（腔壁）发生库仑作用产生硬Ｘ光。     

辐射加热金等离子体再发射软X光特性研究

报道辐射加热金等离子Ｘ光发射时间特性，实验性在星光１１上进行，采用激光波长０．３５μｍ能量（４０～６０）Ｊ，脉宽（６００～７００）ｐｓ的高斯型脉冲，实验采用双盘靶（Ａｕ－Ａｕ）两台软Ｘ射线能谱仪（ＳＸＲＥＳ）分别监测初，次级盘对发射Ｘ光时间过程，两台谱仪采取时间关联记录，给出辐射加热金再发射Ｘ光时间特性，并分析，估算了膨胀等离子体空间发射Ｘ光的特性。     

一种可用于测量薄膜材料的实验室EXAFS方法

本文介绍了利用从薄膜衬底反射的Ｘ射线，在常规实验室条件下实现了对薄膜材料的ＥＸＡＦＳ测量．我们用该方法在 Ｄ／ｍａｘ－ｒＢ１２ｋＷ转靶Ｘ射线衍射仪上得到的纯 Ｃｕ薄膜的 ＥＸＡＦＳ测量结果和常规透射法的测量结果一致．这表明该方法是可靠的．     

1．053μm激光产生逃逸电子的实验观测

利用１．０５３μｍ钕玻璃激光辐照Ａｕ、Ｔｉ、Ａｇ及Ｃ＿８Ｈ＿８等材料平面靶，在不同功率密度Ｉ＿Ｌ下测量了等离子体中由于反常吸收而产生的逃逸高能电子能谱。测量是由一台可变磁场９０°焦β谱仪完成的。测量结果表明：在谱仪测量的能量范围内，热电子分布中的高能尾部在高能电子能谱中所占的比重是完全可以忽略的。我们所测的电子能谱大多数可以用麦克斯韦分布来描述，高能电子温度Ｔ＿ｈ一般为３０～７０ｋｅＶ。实验得到Ａｕ、Ｔｉ、Ｃ＿８Ｈ＿８平面靶Ｔ＿ｈ与Ｉ＿Ｌ之间的关系式。     

电场对Au—Ag薄膜结构影响的AFM和VAXPS研究

利用原子力显微镜（ＡＦＭ）和变角Ｘ射线光电子谱（ＶＡＸＰＳ）技术研究了Ａｕ－Ａｇ／ＳｉＯ２体系在直流电场作用下，Ａｕ，Ａｇ电迁移的特点及所引起的薄膜结构的变化，观察到较低温度下Ａｕ，Ａｇ聚集状态的显著变化，发现电迁移过程中Ａｕ－Ａｇ薄膜与ＳｉＯ２基底之间存在界面化学反应，膜层中Ａｕ，Ａｇ，Ｓｉ等元素的化学状态发生了相应的变化，这些结构表明ＳｉＯ２表面上Ａｕ－Ａｇ复合薄膜电迁移不只是一个水平方向的扩     

激光等离子体X光辐射非平衡特性实验研究

在ＬＦ－１１和ＬＦ－１２高功率激光装置上进行的实验中，设计了一些特定的激光束－金腔靶－探测器条件，创造了激光直接加热、准辐射加热和激光、Ｘ光混合加热三种物理条件，采用软Ｘ光透射光栅能谱时空分辨技术，测量了腔靶、缝靶和双孔靶等高分辨Ｘ光能谱，研究了激光等离子体Ｘ光辐射非平衡特性。     

THE SUPERCONDUCTIVITY IN Al-DOPEDY_(1-x)Al_xBa_2Cu_3O_y

本文系统地分析了在Ｙ１－ｘＡｌｘＢａ２Ｃｕ３Ｏｙ（ｘ＝０～０．７）中用Ａｌ替代Ｙ的替代效应．我们发现当ｘ＜０．４时，Ａｌ主要替代在Ｙ位，引起结构畸变，从而导致氧含量的减少和Ｏ－Ｔ相变，转变温度随Ａｌ含量增加而下降．当掺杂量大于０．４，Ａｌ开始占据Ｃｕ（１）和Ｃｕ（２）位，样品变为四方结构，Ｔｃ迅速下降．ＸＰＳ分析表明，Ａｌ的位置依赖于掺杂量，随掺杂浓度的增加Ａｌ依次替代Ｙ，Ｃｕ（１），Ｃｕ（２）．同时我们观察到Ｔｃ和ＣｕＯ２平面间相互作用的正比关系．     

激光等离子体能量吸收和X光转换的定标关系

本课题研究激光平面靶吸收与转换规律，主要利用“神光－Ⅰ”装置产生的１．０５３μｍ和０．５３μｍ激光脉冲采Ａｕ盘靶，获得不同辐照强度和不同激光入射角等条件下的实验结果，并给出理论分析，计算和定标关系。     

9—28keV电子引起的Cu的K壳层电子电离截面

用高分辨的Ｓｔ（Ｌｉ）探测器测量Ｃｕ靶在９—２８ｋｅＶ的电子轰击下产生的Ｋ壳层特征Ｘ射线，以确定其Ｋ壳层电子的电离截面。运用用电子输运双群模型对衬底的反射对电离的贡献进行了修正。测量结果与前人的实验和经验公式计算结果作了比较。     

在非影像区沉积铜的研究

本文用透过射电子显微镜和Ｘ射线光电子能谱仪对非影像区沉和积铜的机理进行了研究。结果表明在影像区的银丝经过氯金酸溶液处理后，由原来的连续缠绕状变为细小颗粒，非影像区的明胶能将Ａｕ＾３＾＋还原。还原过程是一个两步反应。第一步生成Ａｕ＾＋，这一步在室温下为快反应。明胶对Ａｕ＾＋有较高的络合能力；第二步生成金质点，在Ｘ射线作用下，Ａｕ＾＋能迅速地被还原为金质点。被络合的Ａｕ＾＋和部分被还原的金质点作为物理     

X射线胶片的脉冲光源响应标定

用ＬＦ－１１激光装置的１．０６μｍ脉冲激光加热Ｃｕ靶产生的Ｌ－壳层线辐射作脉冲Ｘ射线源，在曝光量为（０．０１～１０）－７Ｊ·ｃｍ－２范围内，标定了ＫＯＤＡＫＡＡ－５，ＫＯＤＡＫＳＷＲ和ＵＦＳＨ－Ｏ软Ｘ射线胶片的响应曲线，并与用连续光源标定的进行了对比．结果表明，这三种ｘ射线胶片，在强脉冲光源曝光条件下，都存在着胶片响应互易律失效问题，过去用连续光源标定的响应曲线，在激光等离子体诊断实验中，已经不能采用．     

GdBa2Cu3O7—x超导体失氧与超导电性的关系：GdBa2Cu3o7—x淬火样品的EXAF …

本文采用ＥＸＡＦＳ方法了ＧｄＢａ２Ｃｕ３Ｏ７－ｘ高Ｔｘ超导陶瓷在不同温度下淬火后各金属原子周围氧配位数及键长的变化,得出该１２３相超导体随淬火温度升高失氧的具体位置为Ｏ１及Ｏ４,Ｃｕ－Ｏ平面未被破坏。指出Ｃｕ－Ｏ链及Ｏ４在１２３相超导体中应具有重要作用。     

0．53μm激光产生的超热电子的实验观测

介绍了在“神光”Ｉ号装置上利用波长０．５３ｐμｍ、脉宽τ约７５０ｐｓ、能量６０～２３０Ｊ激光（靶面激光强度１×１０￣（１３）～５×１０￣（１５）Ｗ／ｃｍ￣２）照射Ａｕ盘靶和Ａｕ拄黑腔靶产生超热电子的实验观测结果与分析。实验测量１０ｋｅＶ以上硬Ｘ光谱和通量表明：采用倍频激光可以使超热电子能量明显比基频光小一个量级左右，超热电子温度Ｔ＿ｈ、热电子温度Ｔ＿ｅ均降低一半左右，受激Ｒａｍａｎ散射光能量Ｅ＿（ＳＲＳ）减少二个多量级。在我们的实验条件下，Ａｕ盘靶（等离子体定标尺度Ｌ≤１００μｍ）产生超热电子的主要机制可能是双等离子体衰变和共振吸收，此外还有受激Ｒａｍａｎ散射（ｎ≈ｎ＿ｃ／４），１００μｍ＜Ｌ≤２４０μｍ超热电子产生的主要机制是ＴＰＤ，此外还有ＳＲＳ（ｎ≈ｎ＿ｃ／４）；黑腔靶（Ｌ≥３００μｍ）超热电子产生的主要机制是ＳＲＳ（ｎ＜ｎ＿ｃ／４）。     

46．7MeV／u~（12）C轰击~（197）Au、~（115）In、~（58）

用气体电离室－半导体位置灵敏探测器望远镜测量了４６．７ＭｅＶ／ｕ（１２）Ｃ离子轰击（１９７）Ａｕ，（１１５）Ｉｎ，（５８）Ｎｉ靶时，在大角区发射的从Ｌｉ到Ｍｇ的复杂碎片能谱；由各碎片的能谱提取了蒸发源的温度和碎片发射的最可几动能Ｅｐ，并与＝Ｖｃｏｕｌ＋２Ｔ计算的平均动能进行了比较，发现实验上提取的最可几动能Ｅｐ总是低于计算的．用Ａ．Ｆｒｉｅｄｍａｎ简单的统计公式对复杂碎片的产额进行粗糙拟合，拟合结果令人满意．     

双电子复合过程在激光—Au耙耦合物理中的作用

描述了考虑双电子复合过程的平均原子模型,通过与流体力学耦合计算,对双电子复合过程在激光－Ａｕ靶耦合物理中的作用者了总体计算,结果表明,双电子复合对等离子体状态及Ｘ光转换等有明显影响,特别表现在晕区电子温度、电离度的降低,激光－Ｘ光的转换效率凤及Ｘ光的发光变宽等。     

核核碰撞中不稳定轻核的方位角各向异性发射

利用符合的粒子粒子关联测量，研究了２５ＭｅＶ／ｕ^４０Ａｒ＋^１９７Ａｕ反应中不稳定轻核的在平面发射和出平面发射．对于中速的不稳定轻核，观测到在平面发射几率增大，这表明该反应系统中存在旋转效应．该现象随碰撞参数增大更为强烈，而随着不稳定核激发态能量的升高稍有变弱     

不同气氛退火对Tl2Ba2CaCu2Ox超导电性的影响

本研究了Ａｒ气和Ｈ２／Ａｒ混合气体退火对Ｔｌ２Ｂａ２ＣａＣｕ２Ｏｘ（２２１２）超导体超导电性的影响。实验表明，在Ａｒ气中４００℃退火１至１２小时后Ｔｌ２Ｂａ２ＣａＣｕ２Ｏｘ的Ｔｃ（Ｒ＝０）随退火时间的增长明显降低。Ｘ－光衍射分析证实，在Ａｒ气或Ｈ２／Ａｒ混合气体中退火前后，Ｔｌ２Ｂａ２ＣａＣｕ２Ｏｘ超导体的结构没有发生变化。     

三倍频激光等离子体X射线转换研究

利用“星光Ⅱ”高功率激光装置三倍频激光（波长０.３５μｍ,能量５—９０Ｊ,焦斑直径约２００μｍ,脉冲宽度４００—８００ｐｓ）辐照多种材料（Ｃ,Ａｌ,Ｃｕ,Ａｕ）靶,对于不同激光功率密度,研究软Ｘ射线转换和发射能谱．结合０.３５μｍ激光辐照Ａｌ靶的质量烧蚀率和等离子体喷射速度与激光功率密度的定标关系进行数值模拟,对于激光功率在１０^１３—１０^１５Ｗ／ｃｍ²理论模拟结果与实验结果符合得很好 关键词：     

LOW ENERGY TRIPLE DIFFERENTIAL CROSS SECTIONS FOR ELECTRON IMPACT IONIZATION OF HYDROGEN

ＬＯＷＥＮＥＲＧＹＴＲＩＰＬＥＤＩＦＦＥＲＥＮＴＩＡＬＣＲＯＳＳＳＥＣＴＩＯＮＳＦＯＲＥＬＥＣＴＲＯＮＩＭＰＡＣＴＩＯＮＩＺＡＴＩＯＮＯＦＨＹＤＲＯＧＥＮＣｈｅｎＺｈａｎｇｊｉｎａ，ｂＸｕＫｅｚｕｎｂＸｕＦｕｘｉｎａａＤｅｐａｒｔｍｅｎｔｏｆＰｈｙ...     

非晶纳米发光材料(Y,Eu)_2O_3-SiO_2发射光谱的分析研究

ＥＸＡＦＳ测定表明ｓｏｌ－ｇｅｌ方法制备的纳米非晶（Ｙ，Ｅｕ）２Ｏ３－ＳｉＯ２发光材料中，发光中心Ｅｕ３＋的局域环境和晶态Ｘ２型Ｙ２ＳｉＯ５Ｅｕ中Ｅｕ３＋离子的局域环境相似．以此结构为依据，用Ｍ．Ｆ．Ｒｅｉｄ的方案计算了晶场迭加模型中的能级参数及光谱强度参数，并得到了与实验结果基本一致的理论光谱图