电荷传输器件

本文是描述用于数字存贮、模拟延迟和摄像传感方面的电荷传输器件的一篇评论。扼要叙述不同类型的电荷耦合器件和 MOS 斗链器件。讨论了在上述这些应用中影响这些器件特性的诸如传输无用效率、噪声、暗电流等因素。描述了电荷传输器件起不同功能作用的种种可能机构。已制造了许多电荷传输器件,并且已经表明有相当大的成就。测量了一种传输器的传输无用效率是在10~(-3)到10~(-4)范围内。最后,预计电荷传输器件在某些模拟延迟、摄像传感和数字应用方面将很快找到它的出路。     

单片式非本征硅红外电荷耦合器件

为确保光生电荷输出在直接注入到CCD时不超过存贮容量,介绍了非本征硅红外光电导体的所需掺杂浓度、厚度和其它参数的计算。当CCD用来从非本征硅红外光电导探测器阵列读出红外信号时,每个元件产生的光生电荷可以传输到CCD和移位到探测器阵列的边     

硅电荷耦合器件

一、引言在红外成像系统中,利用CCD的时间延迟积分(TDI)工作模式处理探测信号,可获得较高的信噪比和降低系统对探测器阵列均匀性的要求。TDI模式的简单原理如图1所示。相应视场中一点对探测器阵列作串联扫描,经延迟积分,对于几个探测器可得到     

红外电荷耦合器件

电荷耦合的概念简单而又极其实用,是以电荷包在金属-氧化物-半导体(MOS)结构中的转移为基础的。将简单的电荷耦合器件(CCD)与各种模拟形式结合起来,可以发展成多样化的器件,在红外探测和成象方面,采用电荷耦合器件及其有关的器件,最初引入大面积的探测器阵列是显著改进灵敏度和分辨率的关键。此外,通过这种改进,可以降低电、热损耗,减小体积和重量等。本文评述红外敏感的电荷耦合器件(即IRCCD)的物理特性及工作原理。IRCCD可分为单片器件和混合器件两大类。单片器件的红外敏感衬底可以是窄带半导体,也可以是有适宜杂质电离能级的非本征半导体;混合器件则由选取的各种红外探测器耦合硅标准CCD而     

红外电荷耦合器件系统

一、引言热成象系统采用电荷耦合器件(CCD)后,预计可部分或全部地在以下方面得到改进: 1.采用集成电路工艺而降低了成本。 2.由于简化或完全不使用机械扫描、所用分立电子元件较少和探测器的封装得到简化,因而减小了体积和重量。     

探测红外辐射用的非本征硅电荷耦合器件

本文讨论了红外探测器/电荷耦合器件集成结构的效果。采用了硅MOS/CCD工艺制备的CCD,它有8、16和32个探测器,是在硅衬底上掺镓(N_(Ga)=6×10~(16)/厘米~3)制得。在红外背景产生的电流在0.15～50微微安范围内,鉴定了器件的性能。测出的信噪比接近10~4,表明动态范围至少能达80分贝。背景抑制和过载保护电路已作在CCD上。在几种背景条件和钟频10千赫～100千赫进行了信号带宽测量。探测器的工作温度上限约20K。在低达8K时,未观察到反常的电荷转移效应。还讨论了探测器串扰。     

TDI模式硅电荷耦合器件

本文介绍一种时间延迟和积分(TDI)模式硅电荷耦合器件(SiCOD)。该器件与10元InSb线列互连获得成功。它的功能得到了证实。输出的视频信号表明,器件具有良好的均匀性。红外电荷耦合器件因其本身具有的种种特性,越来越广泛地在成像领域中得到应用。目前,一些初具规模的产品已在一些技术比较无进的国家出现。     

红外探测器材料与器件

一、红外焦平面列阵1．适合空间和地面应用的多色长波红外焦平面列阵技术（Latika S．R．Becker）2．长波HgCdTe焦平面列阵用高性能辐射硬化增透膜的设计与研制（Ashok K．Sood）3．多色探测器列阵的设计与研制（Ashok K．Sood）4．在硅上研制大规格红外焦平面列阵（Nibir K．Dhar等）     

探测器与电荷耦合器件互连方法

本文概述正在研制中的各种互连电路,可用于单片和混合式工艺,内容包括: 1.互连电路功能信号输入阻抗匹配信号控制背景抑制 2.对兼容性的要求金属氧化物半导体(MOS)工艺     

新构思硅红外探测器

在Ｓｉ衬底上用ＭＢＥ方法进行ｎ型与ｐ型δ掺杂，将Ｓｉ的能带调制成锯齿型结构，产生Ｓｉ的带间跃迁．控制掺杂浓度与周期，来控制电子（空穴）跃迁的有效能隙，可望制成８－１２μｍ波长的Ｓｉ超晶格带间跃迁型红外探测器．     

红外电荷耦合器件(IRCCD)

本文介绍IRCCD的基本种类,叙述其结构形式、制作材料、目前存在的问题及改进措施。并评述其各方面及各种器件的发展前景,给出了典型器件、某些常见窄带半导体材料、非本征硅红外材料和肖脱基势垒的主要性能参数表和国外正在研制的某些军用器件的一些参数。     

国外红外电荷耦合器件研制近况

电荷耦合器件是一种较新的器件,国外在一九七○年开始公开报导。这类器件的出现,主要影响了电子学的以下领域:探测与成象、模拟延迟、信号处理、滤波及存储。在探测与成象领域内,电荷耦合器件可用在可见、微光和红外三方面。本文首先简单介绍探测与成象用一般硅电荷耦合器件的基本情况,在此基础上叙述探测和成象用红外电荷耦合器件的一些国外研制近况。文中指出,红外探测器阵列与硅电荷耦合器件的混合集成,是近期目标;用红外材料研制单片红外电荷耦合器件,则是其较远期目标。     

硅基BIB红外探测器研究进展

以锗基和硅基为主的阻挡杂质带（blocked impurity band,BIB）红外探测器的兴起有力推进了红外天文学的快速发展,其中硅基BIB红外探测器在特定波长的航天航空领域有着不可替代的地位。国外对硅基BIB红外探测器的研究已有40多年,以美国航空航天局（NASA）为主的科研机构已经实现了硅基BIB红外探测器在天文领域的诸多应用,而国内对硅基BIB红外探测器的研究尚处于起步阶段。本文首先阐述了硅基BIB红外探测器的工作原理,然后简单概述了器件结构和制备工艺,并对不同类型的硅基BIB探测器的性能进行了对比分析,之后介绍了其在天文探测中的应用,最后对硅基BIB红外探测器未来的发展进行了展望。     

新型高密度红外肖特基电荷耦合探测器阵列

硅红外探测器阵列常由肖特基势垒探测器单元组成,这些单元通过转移栅和常规电荷耦合器件(CCD)的移位寄存器相连接。描述的新型器件结构是把探测功能和移位寄存器功能合并入一个肖特基单元,其优点是大大增加了探测器占空系数,及在给定尺寸的芯片上构成更大型探测器阵列的可能性。     

非本征硅红外电荷转移器件

本文评述了红外电荷转移器件可能的系统应用.文章表明,掺杂硅器件工艺将会给系统应用带来巨大的影响.对硅探测器的量子效率,量子输出,频率响应,光电导增益,工作温度,噪声以及纵向与横向编压之间的差别进行了数学分析。列出了硅探测器的性能表。试验了将探测器耦合到电荷转移器件分路器的互连线路方法.给出了低背景和高背景条件下红外电荷转移器件的实例。     

用红外电荷耦合器件改善导引头设计

本文探讨利用红外电荷耦合器件改进空—空红外导引头的性能的可能性,并给出了设计有关探测器尺寸、积分时间、灵敏度和光学分辨的扫描传感器的折衷方案。     

电荷耦合红外成象用PbS MIS器件

PbS MIS器件的实验研究结果说明研制单片两维红外电荷耦合成象器件(CCID)是可能的。这种电荷耦合成象器件可在77K工作,并具有直到3.5微米左右的中等成象灵敏度。测量了用热分解SiO_2。绝缘介质制备的MIS电容器,证明PbS表面电势可随通过反转累积起来的偏压而变化。界面态密度为～1×10~(12)厘米~(-2)电子伏~(-1),在77K时的存储时间为2秒左右。计算说明有效电荷转移必须在外加零电平电荷(即“肥零”工作)时才可达到,而成象灵敏度也许将受可达到的均匀度控制。     

使用红外夜视电荷耦合器件的相机

美国专利US7319226 (2008年1月15日授权)本发明提供一种红外夜视相机,它由外壳、光源组件、拍摄组件以及电源装置等组成。外壳内共有两个室,光源组件和拍摄组件装在第一个室内,电源装置则装在第二个室内。两个室之间有一个用于穿电源线和信号线的小孔。电源线连接光源组件和拍摄组件,以便为