先进光刻胶材料的研究进展

本文简述了光刻技术及光刻胶的发展过程,并对应用于193纳米光刻和下一代EUV光刻的光刻胶材料的研究进展进行了综述,特别对文献中EUV光刻胶材料的研发进行了较为详细的介绍,以期对我国先进光刻胶的研发工作有所帮助.     

用于浸没式工艺的光刻胶研究进展

浸没式光刻技术是在原干法光刻的基础上采用高折射率浸没液体取代原来空气的空间,从而提高光刻分辨率的一种先进技术.此项技术的实际应用,为当前IC产业的飞速发展起到了关键的作用.本文概述了浸没式光刻技术的发展历程和浸没式光刻胶遇到的挑战及要求;对浸没式光刻胶主体树脂、光致产酸剂及添加剂的研究进展进行了综述;最后对浸没式光刻胶的研究发展方向作了进一步的探讨及初步预测.     

聚合物抗污涂层的研究进展

构筑聚合物抗污涂层表面是解决生物污损的有效策略.聚合物具有耐酸碱性和易于功能化及表面修饰等优点,聚合物抗污涂层在降低生物污损对材料的影响和减少经济损失中发挥着重要作用.本文综合评述了聚合物抗污涂层的各种研究策略和研究进展,介绍了相关新型聚合物抗污涂层的成果,并展望了该领域面临的挑战.     

极紫外(EUV)光刻胶树脂及合成方法进展

极紫外光刻(EUVL)是实现22 nm及以下节点集成电路制造最为高效的工艺技术.本文介绍了 EUV光刻胶树脂的结构特点及其对光刻性能的影响,并着重整理了近年来化学增幅型和非化学增幅型EUV光刻胶树脂的合成方法.最后,对EUV光刻胶树脂的结构设计进行了分析与展望.     

一种新型紫外正型光刻胶成膜树脂的制备及光刻性能研究

本文合成了N-(p-羧基苯基)甲基丙烯酰胺单体,并将其与N-苯基马来酰亚胺共聚得到共聚物聚N-(p-羧基苯基)甲基丙烯酰胺共N-苯基马来酰亚胺(poly(NCMA-co-NPMI)).将此共聚物作为成膜树脂,与感光剂、溶剂等复配得到一种新型耐高温紫外正型光刻胶.本文探讨了该光刻胶的最佳配方组成和最佳光刻工艺.最佳配方组成为:15%—20%成膜树脂,4.5%—6%感光剂和70%—80%溶剂;最佳光刻工艺为:匀胶30 s(4000 rpm),前烘4 min(90℃),感度为30—35mJ/cm²,在0.2%TMAH溶液显影10 s和后烘2 min(90℃).     

多光子光刻用的杯[4]芳烃分子玻璃正性光刻胶

分子玻璃材料和多光子光刻技术分别是近年来光刻胶和光刻技术领域的研究热点.本文对分子玻璃正性光刻胶在多光子光刻中的应用进行了探索,设计合成了叔丁氧基羰基保护的杯[4]芳烃衍生物分子玻璃材料,将其作为主体材料与光生酸剂三氟甲磺酸三苯锍鎓盐进行复配,制备了分子玻璃正性光刻胶,探讨并优化了光刻胶的成分配比及其在紫外光曝光下的显影工艺.利用780nm波长飞秒激光对所制备的分子玻璃正性光刻胶进行了多光子光刻特性的评价,实验得到了最低线宽180nm的线条和复杂的二维微结构图形,结果表明杯[4]芳烃衍生物分子玻璃正性光刻胶有望应用于多光子光刻技术.     

化学放大光刻胶高分子材料研究进展

综合论述了化学放大光刻胶类高分子材料,并着重介绍193nm光刻胶材料研究的最近进展。     

I-Line光刻胶材料的研究进展

酚醛树脂-重氮萘醌正型光刻胶由于其优异的光刻性能,在g-line(436 nm)、i-line(365 nm)光刻中被广泛使用.g-line光刻胶胶、i-line光刻胶,两者虽然都是用线型酚醛树脂做成膜树脂,重氮萘醌型酯化物作感光剂,但当曝光波长从g-line发展到i-line时,为适应对应的曝光波长以及对高分辨率的追求,酚醛树脂及感光剂的微观结构均有变化.在i-line光刻胶中,酚醛树脂的邻-邻'相连程度高,感光剂酯化度高,重氮萘醌基团间的间距远.溶解促进剂是i-line光刻胶的一个重要组分,本文对其也进行了介绍.     

印刷制版用的光刻胶

介绍现代印刷制版所用光刻胶,着重介绍正性光刻胶的感光机理,对负性光刻胶和免处理光刻胶的基础知识进行了扼要介绍。可作为高中化学阅读材料,供一线教师选用。     

含POSS光刻胶材料研究进展

光致抗蚀剂又称光刻胶,是微电子加工过程中的关键材料。多面体低聚倍半硅氧烷（POSS）是一种具有规则的笼型结构的聚合物增强材料,由POSS改性的聚合物实现了有机-无机纳米杂化,POSS刚性结构的引入阻碍了聚合物分子的运动,可以显著提高聚合物的玻璃化转变温度（T_g）,降低聚合物的介电常数,提高聚合物的力学性能,也提高了含POSS光致抗蚀剂的耐蚀刻性。基于这些优点,含POSS的光刻胶材料得到广泛关注。本文对含POSS光刻胶的研究进展作了简要介绍。     

水溶性光致抗蚀剂研究进展

本文按传统光化学反应型和化学增幅型两种类型对近10年水溶性光致抗蚀剂的发展状况做了分类总结,并重点介绍了成像反应原理和各体系的优缺点.     

基于斜光刻技术的SU-8胶三维微阵列结构制备

利用斜光刻技术替代传统的直光刻技术在相同底面积的基础上增大微阵列比表面积制备了高比表面积三维微阵列结构,.首先,利用MATLAB仿真对微阵列排布方式进行分析,确定最佳单个柱体宽度及阵列间距.实验中,采用两次甩胶法将SU-8光刻胶均匀旋涂在2寸硅基底上,甩胶转速设为1500r/min,旋涂时间设为35 s;分别置于65℃烘台上保持20 min和95℃烘台上保持70 min进行两次前烘处理;随后进行双向斜曝光,微柱宽度为20 μm,阵列间距为30 μm,光刻角度为20°.最后,再通过高低温后烘处理并显影30 min成功制备出了结构稳定的“Ⅹ”型三维微阵列结构.     

Novel Top‐Surface Imaging Process by Selective Chemisorption of Poly(dimethyl siloxane) on Diazoketo‐Functionalized Single Component Photoresist

A novel top‐surface imaging process was successfully established using selective chemisorption of amine‐functionalized poly(dimethyl siloxane) onto the carboxylic groups formed on the surface of diazoketo‐functionalized polymer film by UV light irradiation. The chemisorbed poly(dimethyl siloxane) worked as an efficient etch mask for the subsequent oxygen plasma etching process for pattern generation. High‐resolution patterns were resolved with the new imaging process.

     

A Simplified Model for the Etch Rate of Novolac-Based Photoresist

The novolac-based resins used as positive-tone photoresists are frequently etched in an oxygen plasma. It is desirable to have a predictive model of the photoresist etch rate but, for process improvement, control, and analysis, the development of a rigorous mechanistic model is impractical. Instead, a simplified mechanistic model is derived, here, according to the method proposed by Hougen and Watson for the study of fluid–solid interactions. This model derivation method is employed in order to arrive at a functional form that represents chemical etching of the resist by oxygen radicals, assisted by the plasma ion flux. Values for model parameters are determined from process data by nonlinear regression. The quality of the model fit to the data is tested statistically.     

248 nm深紫外光刻胶用成膜树脂的研究进展

综述了用于248 nm化学增幅型深紫外光刻胶的不同种类和结构的成膜树脂,以及所使用单体的研发进展,包括聚甲基丙烯酸甲酯及其衍生物、聚对羟基苯乙烯及其衍生物、N取代的马来酰亚胺衍生物,以及其他聚合物等,对不同结构成膜树脂的曝光条件、对光刻胶性能的影响进行了介绍。     

水溶性负性光致抗蚀剂的研制

以自制丙烯酰胺-双丙酮丙烯酰胺共聚物和聚乙烯吡咯烷酮(PVP)为成膜基体物质,芳香族叠氮化合物为感光剂,研制出水溶性负性光致抗蚀剂配方.通过正交试验确定了最优配方.即共聚物中AM与DAAM质量比为1:1;P(AM-DAAM)与PVP质量比为1:2;感光剂用量为占成膜基体物质质量的1/6;偶联剂用量占成膜基体物质质量的1/60;表面活性剂G-18用量占成膜基体物质质量的1/40.在该配方下配制的光致抗蚀剂达到商品规格要求.通过与国外同类商品的比较得出自制光致抗蚀剂具有同国外商品相当的感光性能.     

聚羟基苯乙烯在光致抗蚀剂中的应用及其合成

主要综述了聚羟基苯乙烯用作深紫外光致抗蚀剂主体成膜树脂的发展历程、应用现状以及一些最新的研究进展,并简要介绍了聚羟基苯乙烯的单体衍生物及其聚合物的制备方法.