γ射线辐照与O2退火对Bi∶CdWO4单晶体光谱性能的影响

用500和800℃,在氧气下,对掺Bi钨酸镉晶体进行热退火处理,测定了处理后晶体的吸收光谱与发射光谱。随退火处理温度的升高晶体的吸收强度降低,吸收边带发生蓝移。在373与980nm的光激发下,分别观察到发光中心为528nm的CdWO4晶体本征发光与发光中心为1 078nm的Bi 5+发光。晶体样品通过高温氧气处理,发光中心为528nm的荧光带强度增强,但发光中心为1 078nm的荧光带强度变弱。这可能是由于氧退火使Bi 5+转化成Bi 3+所致。经退火处理后,晶体的颜色逐渐变浅,透光率明显提高,这是由于晶体中氧空位减少所致。经γ射线辐照处理后,528nm处的发光增强,而1 078nm处的发光减弱,这可能是由于γ射线辐照后导致Bi 5+变成Bi 3+。     

有机分子晶体的激光发射,模式选择和可调谐性

我们在室温下用掺蒽的芴首次观察到了掺杂的有机晶体的受激发射[1]。使用聚焦的(50μm)氮激光器(2KW,4nS,1mrad,[2]泵浦到S_1态的振动激发带之后,便产生了由蒽分子的振动未激发单态-S_1到1408cm~(-1)振动激发的单态S_0之受激跃迁。这个四能级激光器的输出数据为,在     

一种“玻璃-结晶半导体”发光二极管

这里所报导的是由掺杂的透明玻璃和掺杂的半导体晶体构成异质结,并进而制成发光二极管。下表列出了能观察到发光的二极管的各种材料组成:     

掺Tm激光晶体的可见与红外发光转换及双稳多色开关

理论研究了648nm激光抽运掺Tm晶体的可见与红外发光转换和发光双稳特性.根据系统的耦合速率方程理论,推导了发光转换阈值的解析表达式,数值研究了Tm³⁺能级布居数,辐射光谱以及发光强度等随抽运光强的变化.数值结果表明,648nm激光抽运下可以实现452/469nm蓝光与1716 nm红外光谱的发光转换.在光子雪崩阈值附近,可以观察到掺Tm晶体的辐射光谱双稳,荧光色度双稳和发光强度双稳等现象.利用掺Tm晶体的可见与红外发光转换与双稳特性,可以实现抽运功率控制的全固态发光转换器和双稳波长 关键词： 光学双稳 多色开关 掺Tm晶体 光子雪崩     

掺铋BaF2晶体的制备及其近红外发光研究

通过温度梯度法制备了Bi₂O₃:BaF₂以及BiF₃:BaF₂晶体.在Bi₂O₃:BaF₂晶体中观察到了发光峰位于961 nm,半高宽202 nm的超宽带红外发光.在BiF₃:BaF₂晶体中检测到Bi²⁺和Bi³⁺可见区的发光,但是没有观察到红外发光.通过γ射线辐照实现了BiF₃:BaF₂晶体的近红外发光, 发光峰位于1135 nm,半高宽192 nm.讨论了Bi₂O₃和BiF₃掺杂BaF₂晶体的红外发光的机理. 关键词： 近红外发光 铋 氟化钡晶体 γ辐照     

锗酸锌钠晶体中锰的发光

Na_2ZnGeO_4相晶体是强碱性锗酸盐中最有趣的一种物质。用锰浓激活的这种晶体具有很亮的光致发光、磨擦发光、阴极射线发光和X射线发光,在其上观察到明显的压电效应,并发现有直流场致发光。 我们测量了掺锰的相晶体的室温和液氮温度下的光致发光光谱。用普通的测量方法:用装有光电倍增管—51的单色仪—2分光,并将光谱自动记录在自记器—09上。激发光波长是365毫微米,激发光源是—4灯。研究了从6种不同实验得来的14个晶体。在晶体的生长过程以     

第六章 电致发光材料

电致发光材料是一种在电场激发下发光的物质。电致发光现象不是由“效应”就是由“Destriau效应”引起的。 在第一种情况下,电致发光是在“注入到晶体”中的电荷作用下产生的。1923年在碳化硅上首先观察到了电场下固体物质的这种类型的发光。     

YVO_4:Eu—高亮度效率红色萤光粉

综述了铕激活的正钒酸钇优异的阴极射线发光性能,适用于彩色电视管作为红基色萤光材料。这种新萤光粉在紫外线激发下也有异常高亮度效率,它具有一个特别宽的激发谱带。试验结果表明,在温度上升到400℃时,它的萤光效率随温度仍然下降很慢。这一特性很有利于把它用在高压水银灯中以调正光色。也比较了其它几种无机的红色萤光粉。     

二维GaAs 基光子晶体微腔的制作与光谱特性分析

研究了以InAs量子点为有源区的二维GaAs基光子晶体微腔的设计与制作,测试并分析了室温下微腔的光谱特性.观察到了波长约为1137 nm,谱线半高宽度约为1 nm的尖锐低阶谐振模式发光峰.我们比较了不同刻蚀条件下光子晶体微腔的发光谱线,结果表明空气孔洞截面的垂直度是影响光子晶体微腔发光特性的重要因素之一.通过调节干法刻蚀工艺,改变空气孔半径与晶格常数的比率,可以在较大范围内调节谐振模式发光峰位置,达到谐振模式与量子点发光峰调谐的目的.     

PbWO4闪烁晶体的发光动力学模型

在对PbWO₄闪烁晶体的光谱特性、发光衰减及其温度依赖以及热释光的研究基础上,并结合理论计算,提出了PbWO₄晶体发光的动力学模型,给出了PbWO₄晶体的基本能带结构及激子发光中心能态、陷阱能级在能隙中的位置。用此模型可以完整说明PbWO₄的发光过程,特别是导致室温下发光效率低的原因。最后还对其主发射成分蓝、绿发光中心的起源作了简要讨论。     

世界范围发光研究的现状

当今的发光研究涉及到一些新奇的和有结构的材料,涉及到尖端的实验技术和高深的理论方法。材料在成分和结构上是多种多样的,并且包括:纯的半导体,例如杂质浓度低于10~9杂质/cm~3的锗;同位素掺杂的有机晶体,例如在质子化的蒽基质中的氘化的蒽;大原胞的化学配比材料,其激活剂是有序排列的,不象在通常的发光体中那样位于无规的格位上;结构性很强的材料,包括用分子束外延制备的异质结、在组分上有单调梯度变化的材料     

不同状态蒽的荧光特性

本文利用时间相关单光子计数技术,系统地测量了不同状态(蒽溶液、蒽单晶、蒽的真空蒸膜)的荧光寿命,给出了较精确值。得到了在室温下蒽/乙醇,蒽/苯的荧光寿命随浓度增加变短,而在固态样品中,蒽的寿命变长,对于蒽单晶为15.3ns,而对蒽真空蒸膜为19.1ns,并且,在溶液样品中,不同峰值的荧光寿命基本相同。 还系统测量了蒽在不同状态下的激发谱和发射谱,观察到在固体状态下谱线加宽,并有较大红移。 我们观察到蒽/乙醇,蒽/苯随着浓度的变化其激发谱有明显的变化,而它的发射谱基本保持不变。     

Ⅱ-Ⅵ族化合物的辐射和无辐射跃迁机理及其发光中心的性质

众所周知,Ⅱ—Ⅵ族晶体的光电导和发光是由许多组不同类型的复合中心决定的。光生载流子在这些中心上的俘获可以发生辐射,也可以发生无辐射。在这些晶体中观察到丰富的发光光谱是起因于辐射跃迁。我们以CdS为例讨论了辐射跃迁和无辐射跃迁的可能机构。     

Ti：Al2O3晶体中Ti^3＋离子的电子顺磁共振研究

通过对Ｔｉ：Ａｌ２Ｏ３晶体的不同取向的电子顺磁共振（ＥＰＲ）研究，认为在９３Ｋ温度下观测到的ｇ＝２．００的强烈各向异性的共振线是来自于Ｔｉ：Ａｌ２Ｏ３晶体中的Ｔｉ３＋离子２Ｔ２ｇ能态的中间能级１Ｅ１／２的顺磁共振吸收。而室温下观察到的ｇ≈２．００的吸收线是由Ｔｉ３＋离子２Ｔ２ｇ能态上能级２Ａ１的共振吸收产生的。由晶体场理论进行的计算与上述结果基本符合。     

GaAs中Cr2+离子的发光及杨—泰勒效应

在各向同性压力下,观察到77°K时n—GaAs样品中Cr2+离子的光致发光。这个光谱带是由Cr2+离子的激发态5E到基态5T2的跃迁所致。由于Cr2+离子在晶体场中有较强的杨一泰勒效应,时发光光谱产生影响。本文考虑静态杨一泰勒效应计算了发射光潴,估计了杨一泰勒能量,并与实验结果相比较。     

Ca2+掺杂对NaYF4:Yb,Er微米晶上转换发光性能的影响

采用柠檬酸钠辅助的水热方法制备了一系列不同Ca²⁺含量的Ca²⁺/Yb³⁺/Er³⁺共掺的NaYF₄微米片。利用透射电子显微镜(TEM)、X射线衍射分析(XRD)、发光光谱等测量手段对样品进行了形貌、晶相、发光性质的表征。样品在980 nm激光泵浦下,可以观察到强的上转换绿色荧光。在Ca²⁺的摩尔分数从0增加到8%的过程中,紫外到可见的上转换发光随着Ca²⁺浓度的增加而显著增强。这是由于Ca²⁺的掺杂导致了晶体内部的不对称性,同时也提高了晶体的结晶性。     

有机电致发光器件的磷光发光研究

研制了一种以铕钇络合物（Eu0.1Cd0.9)(TTA)3(TPPO)2为发光材料的新型有机电致发光器件,观察到了三重态的磷光发光现象,分析表明此电致磷发光是Gd^3 对络合物配体电子自旋轨道强烈扰动引起的三重态发光。同时用积分球方法测定了该器件在不同温度下的光致发光和电致发光效率,结果表明此磷发光效地提高了器件的电致发光效率。     

Si基CeO_2薄膜的发光特性

利用电子束蒸发技术在p型硅衬底上沉积了200 nm厚的CeO2薄膜样品,将样品置于弱还原气氛中高温退火后,观察到薄膜在385,418 nm以及445 nm左右出现三个明显的发光峰。结合激发光谱、吸收光谱以及XRD分析表明:CeO2薄膜在高温下容易发生失氧反应,出现Ce4+→Ce3+离子转变,Ce3+离子在紫外光的激发下,电子由O2p跃迁到5d能级,再由5d能级向4f能级跃迁,从而产生强烈的蓝紫外发射,而445 nm左右的发光峰则来自于SiO2薄膜的缺陷发光。样品选择900~1 200℃不同温度退火,并且在1 200℃下进行了不同时间的退火。研究结果显示:在1 200℃下进行2 h的退火,薄膜发光强度达到最大。     

同分异构体菲与蒽三维荧光特征的比较

近年来三维荧光光谱法越来越多地用于研究环境领域污染物的迁移转化,但荧光光谱特征与物质分子结构的关系不清晰始终制约着应用。研究了典型的芳香族污染物同分异构体菲和蒽的荧光光谱特点。结果表明,菲和蒽有共同荧光峰λ_ex/λ_em=225/340 nm,且菲275/360 nm的荧光峰与蒽285/360 nm峰位置也接近,然而两者荧光光谱仍存在明显差异。菲有3个清晰的荧光峰,在275/340 nm附近还有一峰,225/340 nm处的荧光最强。蒽的荧光光谱较复杂,250/380,250/400和250/425 nm附近荧光峰的强度较强。浓度为0.058 1 mg·L-1时,共同荧光峰225/340 nm处蒽的荧光强度大约为菲的1.63倍。利用密度泛函理论的计算结果表明,蒽和菲的前线分子轨道能级差ΔE分别为3.621和4.779 eV。由于ΔE小和电子云的对称性好,蒽可在波长更长的激发光下发光且荧光强度更强。密度泛函理论可以用来判断有机物的发光能力。     

Ce~(3+)掺杂氟氧铝硅酸盐玻璃闪烁性能的研究

采用高温熔融法,在还原气氛(CO)下制备了Ce~(3+)掺杂的Gd2O3基氟氧闪烁玻璃,系统地研究了BaF_2对闪烁玻璃密度,光学性能以及闪烁性能的影响。比较了闪烁玻璃与BGO晶体在紫外激发以及X射线激发下的荧光强度。结果表明:BaF_2能增加玻璃的密度,且Ba F2含量越高,玻璃密度越大;BaF_2能增强Ce~(3+)的紫外以及X射线激发发光,BaF_2的最佳摩尔分数为15%;BaF_2含量相同时,由于电荷迁移猝灭以及Gd~(3+)的浓度猝灭,随着Gd_2O_3含量增加,Ce~(3+)的紫外激发以及X射线激发发光强度逐渐降低,X射线激发的光谱积分强度从相当于BGO的143%下降到BGO的19%,荧光寿命从46.5 ns降低到30.5 ns。该玻璃的光致发光强度明显强于BGO晶体,但是闪烁发光却弱于BGO晶体。