改进的5／2维时域有限差分法及其应用

本文介绍一种基于时空变步长场量更新（ＦＲＶＴＳＳ）及区域分解（ＤＤ）上的改进５／２维时域有限差分法（５／２维ＦＤＴＤ）－－准均匀区域划分的５／２维ＦＤＴＤ（ＱＵＤＤ－ＦＤＴＤ）及其应用。     

2 1／2维时域有限差分中处理复杂媒质的高效新算法

本文提出了一种用于处理局部媒是电参数剧烈变化或散射体形状较复杂情况下的５／２维时域有限差分算法,即准均匀区域划分的ＦＤＴＤ算法。     

一种节省内存的降维时域有限差分法及其在散射计算中的应用

介绍一种节省内存的降维时域有限差分方法(R-FDTD)．该方法理论上可节省约33％的场分量存贮量。本文首次把R-FDTD用于散射计算，提出了一种更为简单直观的新的导体处理方法，并阐明R—FDTD中连接边界、吸收边界和近一远场变换的实现方法。以TE波入射时二维柱体散射为例的计算结果表明，R—FDTD在节省约33％内存的基础上，计算精度与标准FDTD相当。     

时域有限差分法分析混晌室中场的均匀性

针对目前仿真分析混响室内的场分布过程中计算量大、耗费时间长和对计算机配置要求高的现状,用在一定的约束条件下随机分布于球面上的一组等效源辐射的平面电磁波叠加而成的一维推进的重叠平面渡模拟搅拌器搅拌过程中混响室内的电磁波,并采用时域有限差分法(FDTD)法对基于上述模型的混响室内的场分布进行了仿真计算,得出了使混响室内场分...     

区域分解时域有限差分方法(DD-FDTD)及其在散射问题中的应用

本文提出一种区域分解的时域有限差分算法(DD-FDTD).依据待解问题的特点,把待解问题分解为几个子区域,在各个子区域中,采用适合于该区域的共形网格进行划分计算,通过一种有效的信息传递方案,把各个子区域综合起来,获得原问题的解.通过采用这种方法,一个复杂的问题可以得到简化,从而变得适于求解,同时,共形网格和精确的信息传递方案的使用,大幅度提高了计算精度.文中,用该算法对二维电磁散射问题进行了分析计算,获得了精确的计算结果.     

(2+1)维Broer-Kaup-Kupershmidt方程的精确解

文章得到了一个辅助微分方程的一些新解,利用该辅助方程直接求解了(2 1)维Broer-Kaup-Kupershmidt方程,结果获得了该方程的一些新的孤立波解和周期解.     

改进的二维三维混合时域不连续伽辽金方法

对高速信号通过电源板时的电源完整性(power integrity, PI)问题进行研究时, 因为电源板中主要模式分布为零阶平行板模式, 可以采用二维简化以提高效率.而对于隔离盘或其它存在纵向不连续性的区域, 则应采用三维算法以保证精度.将两者结合起来的一种二维三维(2D/3D)混合时域不连续伽辽金(discontinuous Galerkin time domain, DGTD)方法可以兼顾精度与效率, 有效地处理这类电磁全波计算问题.其中二维、三维方法采用同一套三棱柱离散的网格, 通过适当设置基函数, 二维区域与二维区域之间可以方便快速地相互转化.随着电磁波的传播, 二维、三维的适用区域是随时间、空间动态变化的.为了准确地捕捉这种动态变化, 文中提出的一种改进的自适应判据, 在每个时间歩对电磁场进行检测, 从而动态地判定二维简化区域.与现有技术的判据控制绝对误差不同, 该方法对相对误差进行控制, 效率高、精度好, 对于不同的结构适应性强.通过数值实验, 与商业软件和全三维(3D)DGTD方法的结果进行了比较和验证.     

二维MoS2(1-x)Se2x特性及其光电晶体管性能

表征了 MoS2(1-x)Se2x样品的Raman光谱和光致发光(PL)谱性质,验证了 MoS2(1-x)Se2x基于组分和厚度的带隙可调特性,并基于Raman光谱分析了单层及多层样品由于引入Se原子引起的结构变化及光谱特性.此外,受益于单层材料的直接带隙的电子结构,在405 nm激光波长、112.1 μW/cm2功率...     

(3+1)维变系数Burgers方程的类孤子新解

提出函数变换与二阶常系数齐次线性常微分方程相结合的方法,借助符号计算系统Mathematica构造了(3+1)维变系数Burgers方程的类孤子新解,其由指数函数、三角函数和有理函数组成.     

(2+1)维一般Calogero-Bogoyavlenskii-Schiff系统的无穷序列类孤子新解

为了构造(2+1)维一般Calogero-Bogoyavlenskii-Schiff系统的无穷序列类孤子新解,首先引入了可转化为Riccati方程的新的辅助方程及其新解,其次给出了Riccati方程的新解、Bäcklund变换和解的非线性叠加公式。在此基础上,借助符号计算系统Mathematica, 构造了(2+1)维一般Calogero-Bogoyavlenskii-Schiff系统的无穷序列类孤子新解。这些解由指数函数,三角函数和有理函数复合组成。     

(2+1)维Boiti-Leon-Manna-Pempinelli方程的对称、精确解及守恒律

利用李群分析方法,得到了(2 1)维Boiti-Leon-Manna-Pempinelli(BLMP)方程的对称、相似约化和新的精确解,包括有理函数解、双曲函数解、雅克比椭圆函数解和三角周期解.同时找到了此方程的无穷多守恒律.     

基于1（1/2）维谱与K-L变换的被动声纳目标识别

采用基于1（1/2）维谱分析与K-L变换相结合的特征提取方法,获取被动声纳噪声信号的有效识别信息,对被动声纳的目标信号进行分类。首先对被动声纳噪声进行1（1/2）维谱子带能量的特征提取,然后运用K-L变换实现高维特征向量的降维,剔除冗余特征,并以BP神经网络作为分类器对三类目标进行识别与分类。计算机仿真结果表明,该方法具有较好的分类效果和稳健性。     

(2+1)维AKNS方程的对称约化和新的非行波精确解

利用Lie群方法将(2+1)维AKNS方程约化成(1+1)维非线性偏微分方程。对约化方程应用扩展同宿测试法获得了AKNS方程的一些新的非行波精确解,这些结果丰富了该方程的可积性内涵及(2+1)维非线性波传播的动力学行为。     

烧结温度对Li_2(Mg_(1/2)Zn_(1/2))SiO_4系微波陶瓷介电性能的影响CSCD

采用传统固相合成法制备了Li_2(Mg_(1/2)Zn_(1/2))SiO_4微波介质陶瓷,并系统研究了该陶瓷的相成分、微观形貌、微波介电性能与烧结温度之间的影响关系。XRD结果表明:在1100~1180℃温度烧结,该体系的主晶相均为Li_2(Mg_(0.8)Zn_(0.2))SiO_4,但同时也伴随有少量的MgSiO_3第二相。SEM结果表明:随着烧结温度的升高,样品的晶粒尺寸不断增加,尤其是当烧结温度为1180℃时,有些大晶粒出现了开裂现象,这会在一定程度上降低样品的品质因数(Q·f)。因此,对于微波介电性能,随着烧结温度的增加,Li_2(Mg_(1/2)Zn_(1/2))SiO_4陶瓷的Q·f值呈先增后减趋势,而相对介电常数(ε|_r)的数值较为稳定;此外,该体系谐振频率温度系数(τ_f)随烧结温度的增加逐渐向正值方向移动。当在1160℃烧结4 h时,Li_2(Mg_(1/2)Zn_(1/2))SiO_4陶瓷可获得最佳的微波介电性能:ε_r=6.09,Q·f=21 616 GHz(f=11.62GHz)和τ_f=–64.34×10^(–6)/℃。     

变系数（2+1）维Burgers系统的精确解及特殊孤波结构

采用映射方法研究变系数（2+1）维Burgers系统,首次得到了该系统带有任意函数的一系列显式精确解。用图形分析方法对这变系数（2+1）维Burgers系统的部分孤波结构进行分析,揭示了该系统所具有的一种特殊孤波结构-平衡位置随时间变化的扭结孤立波。     

CuO对(Ni_(1/3)Nb_(2/3))_(0.7)Ti_(0.3)O_2微波陶瓷低温烧结性能的影响

采用传统固相反应法制作(Ni1/3Nb2/3)0.7Ti0.3O2微波陶瓷,研究了CuO掺杂对所制陶瓷低温烧结性能、微观结构、相构成及微波介电性能的影响。结果表明,掺杂少量的CuO就能显著降低(Ni1/3Nb2/3)0.7Ti0.3O2陶瓷的烧结温度,且能改善陶瓷τf。当CuO掺杂量(质量分数)为1.0%时,(Ni1/3Nb2/3)0.7Ti0.3O2在950℃烧结,显示出良好的微波介电性能:εr=67.65,Q·f=3708GHz,τf=14.3×10-6/℃。     

Al_xGa_(1-x)N/GaN异质结构中二维电子气的自旋性质

Ⅲ族氮化物材料有很长的电子自旋弛豫时间以及很高的居里温度,成为近年来半导体自旋电子学研究的重要材料体系之一。介绍了目前两种最主要的研究AlxGa1-xN/GaN异质结构中二维电子气(2DEG)自旋性质的物理效应:磁电阻的舒伯尼科夫-德哈斯拍频振荡和弱反局域效应,回顾了AlxGa1-xN/GaN异质结构中2DEG自旋性质的研究进展。AlxGa1-xN/GaN异质结构材料中有很强的极化电场,诱导产生很高浓度的2DEG,能够产生相当大能量的自旋分裂,并且这种自旋分裂可以被栅压所调控,因此在自旋场效应晶体管方面有很好的应用前景。然而要实现GaN基自旋电子学器件的应用,GaN中自旋注入效率是目前所面临的问题。     

锂离子电池正极材料LiNi_(1/3)Co_(1/3)Mn_(1/3)O_2的合成及性能研究

采用辐照凝胶法制备了锂离子电池正极用LiNi1/3Co1/3Mn1/3O2粉体材料。采用XRD、SEM和电化学充放电测试对制备材料的结构和性能进行了表征。结果表明:900℃制得的样品具有较好的层状结构,结晶性适中,电化学性能优异:其首次放电容量高达184mA·h/g(2.80～4.50V,C/10),30次循环后的容量保持率为87.4%,表现出较好的充放电容量和循环性能,较之850,950℃煅烧样品具有最小的交流阻抗和直流阻抗。     

Li-Zr共掺杂对Bi_2(Zn_(1/3)Nb_(2/3))_2O_7陶瓷介电性能的影响

采用固相反应法制备了(Bi1.975Li0.025)(Zn2/3Nb4/3–xZrx)O7陶瓷,研究了当Li+替代量一定时,Zr4+掺杂对陶瓷相结构和介电性能的影响。结果表明,当替代量0相似文献   

应用改进的简单方程法求(2+1)维ZK-MEW方程的精确解

应用改进的简单方程法求得(2+1)维ZK-MEW方程的精确解,这些解包括双曲函数解、三角函数解。当对双曲函数解中的参数取特殊值时,可以得到了孤立波解。当对三角函数解中的参数取特殊值时,可以得到对应的周期波函数解。实践证明,简单方程法对于研究光电子学、量子光学、激光物理和等离子体物理具有非常广泛的应用意义。