分子束外延调制掺杂结构的低温光致荧光

本文报道了分子束外延调制掺杂GaAs/N-AIGaAs二维电子气材料的低温光致荧光结果。实验表明,光致荧光谱分析可以作为二维电子气材料的质量诊断技术,由光致荧光谱得到的质量评价与材料的电学性能恰相对应,这就为改进分子束外延工艺提供了依据。关键词：     

Si调制掺杂AlGaN/GaN异质结磁阻拍频现象

在低温（15K—25K）和强磁场（0—10T）条件下,对二维电子气占据两个子带的Si调制掺杂AlGaN/GaN异质结构进行磁输运测量.在一定温度范围内观察到磁阻拍频现象.根据Sander等人和Raikh等人给出的磁阻振荡的具体表达式,拟合实验结果表明磁阻拍频是由第一子带S dH振荡和磁致子带间散射引起的磁阻振荡导致的.关键词：AlGaN/GaN异质结构SdH振荡磁致子带间散射磁阻拍频     

调制掺杂GaAs/N-AlGaAs异质结的制备及输运性质

本文报道利用垂直束源式的分子束外延设备,生长了高质量的调制掺杂GaAs/N-AIGaAs异质结构,液氦温度下的二维电子迁移率达4.26×10⁵cm²/V·s(非光照)、5.9×10⁵cm²/V·S(光照)。用脉冲磁场下的磁声子共振测量,得到了二维电子的有效质量,并研究了异质结构中二维电子的低场迁移率增强特性及低温强磁场下的量子霍耳效应。关键词：     

铜掺杂多孔硅的光致荧光猝灭

采用浸泡镀敷的方法在多孔硅表面形成了一铜镀层,通过对掺铜前后多孔硅的光致发光(PL)谱和傅里叶变换红外(FTIR)吸收光谱的研究,讨论了铜在多孔硅表面的吸附对其光致发光的影响.实验表明,掺铜对多孔硅的光致发光具有明显的猝灭效应,并使多孔硅的发光峰位蓝移.由于多孔硅表面铜的吸附使硅氢键明显减少,而铜原子和硅的悬挂键成键会形成新的非辐射复合中心,从而使多孔硅的光致发光强度衰减.且浸泡溶液的浓度越高,这种猝灭效应越明显.而多孔硅发光峰位的蓝移,则是由于在发生金属淀积的同时伴随着多孔硅表面Si的氧化过程(纳米Si氧化为SiO₂)的缘故.     

Ga_(1-x)Al_xAs单异质结激光器的时间分辨光谱

一、引 言 研究注入式半导体激光器的光谱,可以深入了解p-n结中受激发光的特征,有利于改进器件性能,所以引起人们很大的重视[1,2]. 脉冲器件的光谱,将随注入电流的强度、发热以及环境温度而改变.使用寻常摄谱方法,其结果只是不断变化着的光谱的迭加,许多现象会被掩盖.为深入了解每一脉冲持续期内光谱的变化规律,必须记录时间分辨光谱. 将被测脉冲光束在摄谱仪入射狭缝上作同步扫描,可以拍摄时间分辨光谱,而采用取样示波器进行时间分辨,则具有独特的优点,并可得到极高的时间分辨本领. 康纳斯(Konnerth)[3]及饭田诚之[4]等人曾分别用取样示波…     

用肖特基电容电压特性数值模拟法确定调制掺杂Al_xGa_(1-x)N/GaN异质结中的极化电荷

研究发展了用肖特基电容 电压特性数值模拟确定调制掺杂AlxGa1 -xN GaN异质结中极化电荷的方法 .在调制掺杂的Al0 2 2 Ga0 78N GaN异质结上制备了Pt肖特基接触 ,并对其进行了C V测量 .采用三维费米模型对调制掺杂的Al0 2 2 Ga0 78N GaN异质结上肖特基接触的C V特性进行了数值模拟 ,分析了改变样品参数对C V特性的影响 .利用改变极化电荷、n AlGaN层掺杂浓度和肖特基势垒高度对C V曲线不同部分位置和形状影响不同 ,可以精确地求取极化电荷面密度 .通过模拟 ,得到Al0 2 2 Ga0 78N厚度为 45nm的调制掺杂Al0 2 2 Ga0 78N GaN异质结界面附近极化电荷面密度为 6 78× 10 1 2 cm- 2 .     

高亮度GaAlAs单异质结红光二极管

本文从工业生产角度对GaAlAs单异质结红光二极管的芯片制作技术作了细致研究.设计出能同时生长多枚外延片的新结构生长舟,选择了合适的管芯参数与生长条件,制定出稳定重复的工艺流程.用本项技术制出的单异质结管芯,发光波长为660nm,平均亮度达到4.5mcd/20mA,最高亮度达6.2mcd.     

掺杂PVK薄膜的荧光谱及电荷转移

根据PVK掺杂后荧光谱的变化，说明掺杂PVK薄膜的电致发光存在着从基质分子向掺杂分子的能量传递，用一个由单链模型扩展到包括杂质的哈密顿量进行数值求解，结果表明：在PVK和杂质分子之间有效的能量传递是源于它僮之间的电荷转移，且随着杂质浓度的变化，其荧光谱峰位的移动与掺杂前后系统总能量的改变及荧光谱强度与掺杂后转移的电荷数之间分别存在对应关系。该模型较好地解释了有关的实验结果。     

GaAs/AlGaAs量子线的制备和光致荧光谱

利用分子束外延材料的化学选择腐蚀和再生长制备出了GaAs/AIGaAs量子线并且测量了77K的光致荧光谱.也得到透射电子显微镜的照片.关键词：