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报道了金-多孔硅的稳态光致发光,瞬态光致发光和傅里叶变换红外光谱的研究,讨论了金在多孔硅表面吸附产生的表面电子态对多孔硅光致发光特性的影响。 相似文献
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本文报道了铜-多孔硅的稳态光致发光,瞬态光致发光和傅里叶变换红外光谱的研究,讨论了铜在多孔硅表面吸附产生的表面电子态所起的非辐射复合中心的作用。 相似文献
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研究了不同时间腐蚀的多孔硅的光致发光性能与多孔硅的表面形貌和少子寿命之间的关系。结果表明,多孔硅的发光来自与氧空位有关的缺陷,而多孔硅表面的氢原子能够钝化多孔硅表面的非辐射中心从而提高多孔硅的发光效率。多孔硅的空隙度随腐蚀时间的延长而增大,这也导致了多孔硅的少子寿命的降低,从而造成多孔硅的光致发光效率随多孔硅空隙度的增大以及少子寿命的降低而提高。另外,原子力显微照片表明长时间的腐蚀使多孔硅表面层被化学腐蚀,从而降低了多孔硅表面的粗糙度。 相似文献
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本文报道了铜-多孔硅的稳态光致发光,瞬态光致发光和傅里叶变换红外光谱的研究,讨论了铜在多孔硅表面吸附产生的表面电子态所起的非辐射复合中心的作用。 相似文献
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采用浸泡镀敷的方法在多孔硅表面形成了一铜镀层,通过对掺铜前后多孔硅的光致发光(PL)谱和傅里叶变换红外(FTIR)吸收光谱的研究,讨论了铜在多孔硅表面的吸附对其光致发光的影响。实验表明,掺铜对多孔硅的光致发光具有明显的猝灭效应,并使多孔硅的发光峰位蓝移。由于多孔硅表面铜的吸附使硅-氢键明显减少,而铜原子和硅的悬挂键成键会形成新的非辐射复合中心,从而使多孔硅的光致发光强度衰减。且浸泡溶液的浓度越高,这种猝灭效应越明显。而多孔硅发光峰位的蓝移,则是由于在发生金属淀积的同时伴随着多孔硅表面Si的氧化过程(纳米Si氧化为SiO2)的缘故。 相似文献
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研究了以掠入射的平面偏振光激励的多孔硅的光致发光。实验结果显示,光的入射角对多孔硅的发光行为影响不大,然而,以z方向偏振光激励的发光强度明显高于以x方向偏振光激励的发光强度。激励光电场相对于样品表面的不同取向引起光致发光的差异,这反映多孔硅的光学性质是各向异性的,也排除了纯粹的硅量子点的集合作为多孔结构的可能性。 相似文献
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在制备出光致发光能量为2.7eV的发射蓝光多孔硅的基础上对它进行了较系统的研究:测量了它的光致发光时间分辨光谱,用傅里叶交换红外光谱分析了其表面吸附原子的局域振动模,研究了γ射线辐照对其发光的影响,并与发红、黄光的多孔硅作了对比,通过空气中长期存放、激光和紫外线照射的方法,研究了光致发光峰能量为2.7eV的多孔硅发光稳定性.我们及其它文献中报道的多孔硅蓝光发射的实验结果与量子限制模型矛盾,但能用量子限制/发光中心模型解释.我们认为多孔硅的2.7eV发光是多孔硅中包裹纳米硅的SiOx层中某种特征发光中心引起的.
关键词: 相似文献
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采用电化学腐蚀的方法制备多孔硅。对不同实验条件下所得到的多孔硅的拉曼光谱进行了分析,确认多孔硅是具有纳米晶结构特征的材料,肯定了量子限制效应在多孔硅光致发光中的作用。 相似文献
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对比研究了经20%的硝酸、浓硫酸,以及半导体工业中用于氧化清洗单晶硅表面的SC-1(1:1:5,体积比,NH4OH/H2O2/H2O,也称RCA-1)和SC-2(1:1:6的HCl/H2O2/H2O,也称RCA-2)氧化液氧化的多孔硅表面组成以及光致发光性质的差异。发现SC-1氧化液能在几十秒的时间内将多孔硅表面的Si-Hx(x=1~3)氧化掉,形成稳定的氧化层,得到具有较强的光致发光性能的氧化多孔硅。而硝酸、浓硫酸和SC-2液在相同温度下处理10min的多孔硅表面的(O)xSi-Hy振动峰仍很明显,前两者处理后的多孔硅发光强度很弱,SC-1处理后的样品虽然发光较强,但不稳定。结合SC-1的组成和多孔硅表面Si-Hx的性质,对反应结果进行了解释。将SC-1和SC-2结合使用,所得的氧化多孔硅具有强的且稳定的光致发光特性。 相似文献
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多孔硅纳向分辨拉曼及光致发光研究 总被引:2,自引:0,他引:2
运用高灵敏度的共焦显微拉曼系统研究了多孔硅在纵的拉曼效应和光致发光的性质。研究结果表明多孔硅在形成的初期和后的反应机制不相同。反应初期,外表面的颗粒尺寸比内同大,而经过长时间刻蚀而获得得的多孔硅,其相表面颗粒尺寸比 小。我们认为反应的初期主要表面不均匀电场的影响,而随着表面多孔层的增厚和颗粒的细化,刻蚀反应逐渐变成受传质过程和量子尺寸约束的控制。 相似文献
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一、引言多孔硅室温下较强的光致发光现象给全硅大规模光电集成电路和硅基发光器件的开发带来曙光,但要把它变为现实仍有许多问题要解决,就以发光机理为例,仍有不同意见[1].为此必须深入研究其特性,为探讨发光机理提供依据.已有作者观察到发光畴区[2],测得多孔硅成分近于二氧化硅[3],观察到快和慢的发光带[4]以及证实自然氧化引入新的表面态[5]等.但迄今为止测量的均为晾干后的多孔硅,而未深究在空气中贮存干燥过程中形貌的变化.本文对多孔硅在空气中贮存初期表面形貌的变化做了显微观测和探讨.还尝试测量了多孔硅/硅的界面特性.二… 相似文献
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离子注入对多孔硅可见光发射特性的影响 总被引:1,自引:0,他引:1
本文在前期对多孔硅发光机理研究的基础上,研究了离子注入对多孔硅光致发光的影响.实验表明离子注入除了可以降低多孔硅光致发光的强度外,还将使多孔硅的光致发光光谱谱峰产生蓝移、半高宽展宽,并在多孔硅发光谱带中产生一些发光减弱区和次峰结构.文中最后对实验现象做了解释. 相似文献
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硅的可见光发射—通向全硅光电子集成之途 总被引:1,自引:0,他引:1
由于Si是一种禁带宽度只有1.1eV的间接带隙材料,其发光效率极低,因此长期以来Si被认为是一种不可能用于制作可见光区光电器件的材料.但近一两年才出现的多孔硅光致发光现象,对人们的这种传统概念产生了巨大的冲击,一股多孔硅的研究热潮也正在兴起.本文将结合作者在多孔硅方面的工作,对多孔硅光致发光现象的研究背景、现状和潜在的应用作了较详细的介绍. 相似文献
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理论上,采用Bruggeman有效介质近似,研究了有机吸附物对多孔硅微腔的折射率及其光致发光谱的影响.实验上,采用计算机控制的电化学腐蚀法制备了多孔硅微腔样品,并利用机械泵油的蒸气分子与该微腔样品进行相互作用.研究发现,多孔硅微腔发射的窄化光致发光谱对泵油蒸气分子的吸附与脱附很敏感,与之伴随的是该窄化光致发光谱发生明显的峰位移动(可达71nm)和强度变化.结合Bruggeman近似和表面态对多孔硅发光的影响,对实验结果进行了定性解释.实验结果与理论模拟结果符合较好.
关键词:
Bruggeman近似
吸附物
多孔硅微腔
光致发光谱 相似文献
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