脉冲慢正电子束流的直流化装置

在基于加速器的北京慢正电子强束流装置上, 用Penning-Trap技术实现了脉冲慢正电子束流的存储和直流化. 实验表明, 系统的真空度对正电子的存储效率有严重影响, 脉冲正电子的释放方式决定了直流化后束流的能量分散; 改变释放级信号波形以及释放方式可以得到能量分散小于1eV的准直流化慢正电子束流.     

低能单色正电子束装置的原理、研制及应用

简要介绍了一种新的灵敏核探针－－低能单色正电子（慢正电子）束流装置的原理及应用。同时介绍了北京慢正电子束流装置的建设进展情况。     

慢正电子技术在固体表面与界面研究中的应用

综述了慢正电子技术的发展以及从放射源β衰变发射出的慢正电子的慢化原理，概述了利用慢正电子技术研究固体薄膜表面和界面的基本原理和方法，并讨论了慢正电子束技术在固体薄膜表面和界面研究中的应用。     

慢正电子束流技术在金属/合金微观缺陷研究中的应用

正电子湮没谱学技术是研究材料微观结构非常有效的一种核谱学分析方法, 主要用于获取材料内部微观结构的分布信息, 特别是微观缺陷结构及其特性等传统表征方法难以获取的微观结构信息. 近年来, 在慢正电子束流技术快速发展的基础上, 正电子湮没谱学技术在薄膜材料表面和界面微观结构的研究中得到了广泛应用. 特别是该技术对空位型缺陷的高灵敏表征能力, 使其在金属/合金材料表面微观缺陷的形成机理、缺陷结构特性及其演化行为等研究方面具有独特的优势. 针对材料内部微观缺陷的形成、演化机理以及缺陷特性的研究, 如缺陷的微观结构、化学环境、电子密度和动量分布等, 正电子湮没谱学测量方法和表征分析技术已经发展成熟. 而能量连续可调的低能正电子束流, 进一步实现了薄膜材料表面微观结构深度分布信息的实验表征. 本文综述了慢正电子束流技术应用研究的最新进展, 主要围绕北京慢正电子束流装置在金属/合金材料微观缺陷的研究中对微观缺陷特性的表征和表面微观缺陷演化行为的应用研究成果展开论述.     

慢正电子束研究薄膜、界面和近表面微观结构

慢正电子束技术十几年来发展起来的探测材料近表面微结构的新手段,文章介绍了其在薄膜、界面和近表面测量的基本方法和部分应用结果。     

22Na放射源慢正电子束流插入装置的研制

北京慢正电子强束流是利用北京正负电子对撞机电子直线加速器电子打靶产生的高强度低能单色正电子束流. 为了提高强束流的机时利用效率和节省强束流用于新建实验站的调试机时, 设计了一套基于²²Na放射源的慢正电子束流装置插入到强束流输运线上. ²²Na放射源慢正电子束流插入装置主要包括²²Na放射源及慢化体、E×B能量选择器、多级静电加速管、磁场输运系统、真空系统、高压绝缘和辐射防护措施等.     

慢正电子束技术的应用与发展

本文介绍了慢正电子束技术和最新发展,慢正电子束作为探针的基本特性,以及在多种学科中的应用等。     

慢正电子束技术的应用与发展

本文介绍了慢正电子束技术和最新发展,慢正电子束作为探针的基本特性,以及在多种学科中的应用等。     

He离子注入ZnO中缺陷形成的慢正电子束研究

在ZnO单晶样品中注入了能量为20—100keV、总剂量为4.4×10¹⁵cm^-2的He离子.利用基于慢正电子束的多普勒展宽测量研究了离子注入产生的缺陷.结果表明，He离子注入ZnO产生了双空位或更大的空位团.在400℃以下退火后，He开始填充到这些空位团里面，造成空位团的有效体积减少.经过400℃以上升温退火后，这些空位团的尺寸开始增大，但由于有少量的He仍然占据在空位团内，因此直到800℃这些空位团仍保持稳定.高于800℃退火后，由于He的脱附，留下的空位团 关键词： 慢正电子束 ZnO 离子注入 缺陷     

北京慢正电子强束流运行性能测试

慢正电子强束流采用高能脉冲电子束流轰击金属钽靶, 以产生正负电子对的方式提供正电子, 作为慢正电子束流方法学研究和薄膜材料缺陷研究的束流基础. 本文是在该装置实现运行后, 对慢正电子束流的强度、能散、形貌等运行性能的测试工作的介绍, 以及慢正电子湮没多普勒测量系统的调试和标准样品的测量结果.     

SFC的新的轴向注入束流线

为了满足HIRFL-CSR对注入器SFC的束流强度和品种的越来越高的要求, 兰州重离子加速器国家实验室在研制超导ECR离子源的同时, 设计了一个新的SFC的轴向注入束流线. 这个系统可以分别使用现有的常规ECR离子源和新建造的超导ECR离子源, 期望把从C到U的各种离子的能量和束流强度提高到一个新的水平. 这个系统由二极磁铁, 四极透镜, GLASSER透镜, 螺线管, 螺旋形静电偏转器和两台丝网型线性聚束器组成. 在总结现有系统运行经验的基础上,无论在横向还是纵向, 其性能结构都做了必要的改进. 文章给出了新系统的设计思想, 系统的布局结构和束流光学计算结果, 并对进一步提高聚束效率和聚束器的改进设计作了简要的描述. 目前, 系统正在安装中.     

A Magnetic Transport Middle Eastern Positron Beam

A magnetically guided slow positron beam is being constructed at Qatar University and is currently being optimised for regular operation. This is the first positron beam in the Middle East, as well as being the first Arabic positron beam. Novel features in the design include a purely magnetic in-line deflector, working in the solenoid guiding field, to eliminate un-moderated positrons and block the direct line of sight to the source. The impact of this all-magnetic transport on the Larmor radius and resultant beam characteristics are studied by SIMION simulations for both ideal and real life magnetic field variations. These results are discussed in light of the coupled effect arising from electrostatic beam extraction.     

一种新型的光波导阵列电光快速扫描器

研究一种新型的光波导阵列电光快速扫描器，分析了它的工作原理及光波导阵列结构对输出光空间分布特性的影响，并通过实验验证了器件的扫描特性，指出这种光波导阵列器件可以用很小的控制电压（＜10V），实现二维空间快速宽视场窄光束扫描。     

输出环状光束的新型激光谐振腔

提出一种输出环状光束的新型激光谐振腔,即在稳定激光谐振腔中采用外环耦合方式得到环状光束的输出。利用For-Li数值迭代算法求解此类激光谐振腔的积分方程,通过计算机编程计算了平面一凹球面稳定谐振腔的输出端平面镜在不同半径的情况下,谐振腔镜面上和衍射耦合输出场基模的振幅和相位分布。计算结果预示了当输出端平面镜半径小于通常的稳定腔的基模半径时,衍射耦合输出场有稳定的环状光束输出。实验中TEA CO2激光器采用印刷电路板预电离结构,增益长度90cm,腔长5m,球面全反射镜曲率半径20m,输出端平面镜半径4．5mm,得到了内环半径为4．5mm、外环半径为5．5mm的基模环形光斑输出。从而在理论上和实验上证实了该方案产生环状光束的可行性。     

Al/GaSb异质结的慢正电子研究

用单能慢正电子束和 X 射线衍射方法研究了 Al/n-GaSb 金属半导体异质结在不同温度退火的情况下的演变.采用三层模型既 Al/界面/GaSb 对 S-E 实验数据进行拟合.结果发现在未退火样品的 Al 和 GaSb 之间存在一个厚度大约5nm 的界面层.在经过400℃退火后,该界面厚度增加到约400nm,且 S 参数下降.这可能是由于在退火过程中,界面区域的原子在界面处相互扩散所引起的.Al 膜的 S_(Al)参数降低且效扩散长度 L_(Al)增加,说明 Al 膜内的空位缺陷经过退火被消除且进行结构重整,晶格结构不断变好的结果.衬底 GaSb 的 S_B 参数和有效扩散长度 L_B 的演变表明,经过250℃退火后,原有的正电子捕获中心消失：但是经进一步400℃退火,又产生了新的正电子捕获中心.这可能来源于其他类型的与 V_(Ga)相关缺陷的正电子捕获以及 Ga_(Sb)晶格反位引起的正电子浅捕获.X 射线衔射的测量结果证实了正电子方法的结论.     

Design of a Pulsed Low Energy Positron System Based on Beijing Intense Slow Positron Beam

The design of a pulsing system for an intense slow positron beam is described in this paper. Slow positron annihilation lifetime measurement is an important method to study the depth-dependent characteristics of the surface and near surface. The start signal for slow positron lifetime measurement can be obtained from the pulsing system, which consists of a reflection type chopper, a prebuncher and a buncher. On the basis of the simulation of dynamics process by Parmela, the frequency of the buncher and the positron energy have been chosen to be 150MHz and 330eV respectively. The designed time resolution of this system is about 150ps (FWHM).     

金刚石膜微结构的慢正电子束测量研究

用慢正电子束辅助以拉曼光谱方法对一批较高质量的PECVD金刚石膜的微结构进行测量研究．拉曼光谱实验结果显示,这批金刚石膜中金刚石相含量比较高,正电子湮没实验进一步从微观结构上指出各个金刚石膜之间存在很大差异,并且从缺陷角度发现各样品中缺陷尺寸和缺陷浓度不一样,造成膜质量不同．S-E曲线变化趋势反映出各样品金刚石晶体结构存在明显不同．这表明正电子湮没技术是测量金刚石膜微结构的有力手段．     

在放射性束装置上进行新核素鉴别及其衰变性质的研究

综述了近年来在放射束装置上进行新核素鉴别及其衰变性质研究取得的一些成果, 并简要介绍了即将在兰州放射性束装置上开展的奇异核衰变性质的研究工作． The progresses of new isotope identification and decay property studies on radioactive nuclear beam facilities are reviewed. Studies of the decay properties of exotic nuclei that will be performed at RIBLL are briefly introduced.     

Defect Characterization of 6H-SiC Studied by Slow Positron Beam

利用单能慢正电子束流,对原生的和经过电子辐照的6H-SiC内的缺陷形成及其退火行为进行研究．发现在n型6H-SiC中,经过退火后缺陷浓度降低．这主要是因为在退火过程中缺陷和间隙子的相互作用所引起．n型6H-Si经过1400 oC、30 min真空退火后,在SiC表面形成一个大约20 nm的Si层,这是在高温退火过程中Si原子向表面逸出的有力证明．在高温退火中,在样品的近表面区域有一个明显的表面效应,既在这些区域的S参数整体较大,这种现象与高温退火中Si不断向表面逸出有关．经过10 MeV的电子辐照,在n型6H-SiC中,正电子有效扩散长度从86.2 nm减少至39.1 nm,说明在样品中由于电子辐照产生大量缺陷．但是对p型6H-SiC,经过10 MeV电子辐照后有效扩散长度变化不大,这与其中缺陷的正电性有关．同时还对n型6H-SiC进行了1.8 MeV电子辐照后的300 oC退火实验,发现退火后缺陷浓度不减反增,这主要是因为在退火过程中,一些双空位缺陷和Si间隙子互相作用从而产生了VC缺陷的缘故．