Peierls相变与磁场中碳纳米管的场发射

应用紧束缚模型和WKB方法研究碳纳米管的out-of-plane型Peierls相变,及其对碳纳米管的场发射的影响.结果发现Peierls相变会在室温出现,并使碳纳米管费米面附近出现能隙,导致碳纳米管发生金属—半导体转变,从而抑制碳纳米管的场发射.磁场也会抑制Peierls形变,Peierls相变和磁场相互竞争影响碳纳米管的能带结构,从而影响碳纳米管的场发射. 关键词： 场发射 碳纳米管 Peierls相变     

金属螺旋型碳纳米管的Peierls相变研究

根据描述电子声子相互作用的Fr?hlich哈密顿量,推导出了金属螺旋型碳纳米管(n₁,n₂)的Peierls相变温度的一般表达式,并利用该式计算了(6,3)的Peierls相变温度.结果表明金属螺旋型碳纳米管在远离室温下都不会发生Peierls相变,仍然保持其金属性 关键词： 螺旋型碳纳米管 电子声子相互作用 Peierls相变     

TTF-TCNQ的Peierls相变研究

根据建立在电子-声子相互作用基础上的Peierls相变理论，利用形变势模型和半经验晶体轨道方法计算的能带结构数据，对一维有机导体TTF-TCNQ的Peierls相变温度进行了计算，结果表明,TTF链的相变温度低于TCNQ链的相变温度，从而说明前者的电子-声子耦合相互作用比后者要弱,TTF-TCNQ在54K的金属-绝缘体相变主要发生在TCNQ链上. 关键词： 一维有机导体 Peierls相变温度 电子-声子相互作用     

一维有机导体的Peierls相变研究

根据建立在电子-声子相互作用基础上的Peierls 相变理论，利用形变势模型和半经验晶体轨道方法计算的能带结构数据，对一维有机导体tetrathiafulvalene-tetracyanoquinodimethane的Peierls相变温度进行了计算.并对其金属-绝缘体相变机制进行了讨论. 关键词： 电子-声子相互作用 Peierls相变温度 一维有机导体     

轨道诱导Peierls相变材料MgTi_2O_4的电子自旋共振研究

用变温电子自旋共振手段(Electron Spin Resonance,ESR),对轨道诱导Peierls相变MgTi_2O_4体系进行了研究.研究发现,轨道诱导Peierls相变所伴随的自旋二聚相变对ESR谱产生了影响.在相变温度以上,MgTi_2O_4的磁性为顺磁行为.而在相变温度以下,ESR谱显示MgTi_2O_4的磁性偏离了顺磁行为.对ESR谱线的参数拟合结果显示,MgTi_2O_4在发生轨道诱导Peierls相变时,自旋耦合作用逐渐增强.这说明:自旋耦合作用的增强很有可能是导致相变的一个重要的因素.     

轨道诱导Peierls相变材料MgTi2O4的电子自旋共振研究

用变温电子自旋共振手段,对轨道诱导Peierls相变MgTi2O4体系进行了研究。研究发现,轨道诱导Peierls相变所伴随的自旋二聚相变对ESR谱产生了影响。在相变温度以上,MgTi2O4的磁性为顺磁行为。而在相变温度以下,ESR谱显示MgTi2O4的磁性偏离了顺磁行为。对ESR谱线的参数拟合结果显示,MgTi2O4在发生轨道诱导Peierls相变时,自旋耦合作用逐渐增强。这说明:自旋耦合作用的增强很有可能是导致相变的一个重要的因素。     

有限长扶手椅形单壁碳纳米管分子静电势的理论研究

在混合密度泛函B3LYP理论下,用3-21G基函数对有限长扶手椅形单壁碳纳米管(4,4)、(5,5)和(6,6)的构型进行优化和分子静电势计算.结果表明:除近核区域为正常的正电势外,碳纳米管结构模型的管内和管外为负电势区域;在碳纳米管结构模型的管内,管心处均出现负电势的最小值,且负电势的绝对值随着碳纳米管的曲率降低而增大,管心轴线上静电势的变化随碳纳米管的曲率降低而减少,带电粒子流比较容易通过纳米管.     

等离子体诱导碳纳米管到纳米金刚石的相变

采用氢等离子体，实现了碳纳米管向金刚石的结构相变，并实现了金刚石的高密度成核，有效成核密度可达10\+\{11\}／cm\+2以上，处于目前金刚石成核密度的最高行列，为制备优质的金刚石薄膜提供了保证.高分辨透射电镜、x射线衍射和拉曼光谱都证实了金刚石的形成.同时，对纳米金刚石晶粒的生成机理进行了初步探讨. 关键词： 等离子体 碳纳米管 纳米金刚石 结构相变     

VO2金属-绝缘体相变机理的研究进展

VO₂是一种热致相变金属氧化物. 在341 K附近, VO₂发生由低温绝缘体相到高温金属相的可逆转变, 同时伴随着光学、电学和磁学等性质的可逆突变, 这种独特的性质使得VO₂在光电开关材料、智能玻璃、存储介质材料等领域有着广阔的应用前景. 因此, VO₂金属-绝缘体可逆相变一直是人们的研究热点, 但其相变机理至今未有定论. 首先, 简要概述了VO₂相变时晶体结构和能带结构的变化情况: 从晶体结构来讲, 相变前后VO₂从低温时的单斜相VO₂(M)转变为高温稳定的金红石相VO₂(R), 在一定条件下此过程也可能伴随着亚稳态单斜相VO₂(B)与四方相VO₂(A)的产生; 从能带结构来看, VO₂处于低温单斜相时, 其d_//能带和π^*能带之间存在一个禁带, 带宽约为0.7 eV, 费米能级恰好落在禁带之间, 表现出绝缘性, 而在高温金红石相时, 其费米能级落在π^*能带与d_//能带之间的重叠部分, 因此表现出金属导电性. 其次, 着重总结了VO₂相变物理机理的研究现状. 主要包括: 电子关联驱动相变、结构驱动相变以及电子关联和结构共同驱动相变的3种理论体系以及支撑这些理论体系的实验结果. 文献报道争论的焦点在于, VO₂是否是Mott绝缘体以及结构相变与MIT相变是否精确同时发生. 最后, 展望了VO₂材料研究的发展方向.     

高温高压条件下富勒碳的相变

 利用工业金刚石高压合成装置研究了C60和巴基管在高温（1 450 ℃）高压（5~6 GPa）下的相变。SEM、XRD和Uv/Vis分析结果表明，试样中有大量金刚石生成和少量石墨出现，同时有极少部分C60保留了下来；所生成的金刚石晶体同时以二维台阶和螺旋台阶方式生长。     

一维金属中的Peierls相变和电荷密度波相变

关键词：     

等离子体处理碳纳米管的研究现状及展望

采用等离子体处理技术对碳纳米管进行表面处理是一项新兴的技术,本文对在碳纳米管处理过程中,等离子体处理工艺参数的选择,以及处理前后表面结构变化、形貌变化、场发射效应等进行了综述,并对等离子体处理技术在碳纳米管表面修饰中的应用前景进行了展望.     

纳米碳管的分叉结构

应用催化剂热解碳氢气及热丝CVD两种不同的方法制备了含有分叉结构的纳米碳管,并用透射电镜考察了分叉碳管的形貌及微结构特征.结果表明：分叉结构的形态与制备方法有关,前者沿生长方向的呈规则节突状分布,而后者的分支碳管与未分支的形态类同.纳米碳管分叉结构的形成可能与制备条件的扰动有关,并因此改变其输运特性. 关键词：     

多层纳米碳管膜的大面积可控制生长

文章介绍了利用化学气相沉积法在Si和石英基片上大面积生长多层碳纳米管膜的研究成果,通过调节生长参数,不仅可以获得高度取向的碳纳米纤维,还可获得不同直径,不同图案的高度取向的碳纳米管膜,取向碳纳米管膜的可控制制备,为研究碳纳米管的物理,化学性能,特别是为碳纳米管场发射平面图像显示器的应用研究,奠定了坚实的基础。     

高压腔内叶蜡石相变对发热石墨管电阻的影响

 在高温高压实验中，发现叶蜡石相变过程引起旁热式合成腔的加热石墨管电阻异常变化现象。对这一现象的若干规律及与叶蜡石相变的内在联系，进行了测试研究。本实验现象为在高温高压过程中实时地观察与研究叶蜡石相变规律，提供了可能性。     

液晶相变的微结构研究

用正电子湮没和差示扫描量热(DSC)变温测量液晶(EBBA)样品的正电子湮没寿命谱及DSC曲线,结果表明正电子湮没的短寿命(τ_s)基本不变,而长寿命(τ₁)和强度(I₁)明显地有两次跳变,其跳变的温度范围与DSC所测定的相转变温度范围基本一致,在加热和冷却过程中样品在晶体相←→向列相之间的相互转变的相转变温度范围显著不同。用正电子湮没的ORE模型讨论了由于液晶相转变所引起的微结构变化,从而提出正电子是研究液晶(EBBA)相变的探针。 关键词：     

DEPENDENCE OF PHASE TRANSITION ON THE MASS NUMBER OF HOT NUCLEI

The dependence of phase transition,associated with the disassembly of hot nuclei,on the mass number of hot nuclei is investigated.By studying six hot nuclei ranging from ⁵⁶Ni* to ²³⁸U*,we find that in the curves of excitation energy of hot nuclei vs.Thermodynamic temperature T(E*) of ⁶³Cu* and heavier ones there are always two temperature plateaus,but in T(E*) of ⁵⁶Ni the first temperature plateau (at lower excitation energy) shrinks into a kink.     

最短轨道凝聚模型的相变

应用重整化群计算最短轨道模型的生长几率分布{P_α,i}及其构型权重C_α(2×2原胞和3×3原胞),从而得出多分形热力学的配分函数Z(q,L),自由能F(q,L),能量E(q,L),比热c(q,L)和广义维数D_q,结果表明该模型在q=q_c≈0处发生相变,即当q < q_c时,生长几率分布{P_α,i}不具有多分形性质。