CdSxSe1-x纳米微晶的辐射跃迁过程

利用变温吸收光谱和光致发光光谱研究了CdS_xSe_1-x纳米微晶的辐射跃迁过程.由Varshni公式,拟合了微晶的吸收峰随温度的变化.根据变温发射光谱,研究了发光峰位置和温度的依赖关系,并分析了吸收峰和发光峰随温度变化的快慢.对发光的动力学过程.作了简单的分析.     

CdS_xSe_（1－x）半导体微晶掺杂玻璃在抗共振环APM激光器中不能压窄脉

本文对具有较大非线性系数，较快非线性响应和回复时间的ＣｄＳ＿ｘＳｅ＿（１－ｘ）半导体微晶掺杂玻璃能否在挽共振环（亦称为非谐振环）ＡＰＭ激光器中有效地压缩脉宽等问题做了详尽的理论与实验的切耐与分析。理论计算与实验研究的结果均表明：在抗共振环ＡＰＭ激光器中，应用ＣｄＳ＿ｘＳｅ＿（１－ｘ）半导体微晶掺杂玻璃不能使超短光脉冲宽度被压窄．     

掺CdS_xSe_（1－x）玻璃波导分布反馈光学双稳器件

本文给出了掺ＣｄＳ_ｘＳｅ_(１－ｘ)玻璃平面波导分布反馈（ＤＦＢ）光学双稳器件的设计和制备方法，实现了低功耗、快速的本征光学双稳。     

稀磁半导体Zn_（1－x）Co_xSe的光谱特性

本文首次报道一类新型半导体材料：含Ｃｏ＋＋离子的稀磁半导体Ｚｎ１－ｘＣｏｘＳｅ晶体的光谱特性研究实验结果。对组分Ｘ＝０．００１，０．００９７，０．０３０，０．０３７系列样品，在７３Ｋ—３００Ｋ范围内分别在可见和近红外区测量了吸收光谱和光致发光谱。实验观测到一系列与Ｘ值无关的吸收峰和光致发光峰，两者—一对应，它们分别对应于具有几对称的晶体场中Ｃｏ＋＋离子不同能级间的跃迁，对这些峰进行了初步指认。从光致发光谱实验结果给出能隙随Ｘ值的变化。     

Y_（1－x）Nd_xSr_2Cu_（2．7）Mo_（0．3）O_（7－δ）体系的拉曼和红外光谱研究

利用拉曼散射和红外吸收光谱研究了Ｙ１－ｘＮｄｘＳｒ２Ｃｕ２．７Ｍｏ０．３Ｏ７－δ（ｘ＝０，０．２，０．５，０．８，１．０）系列样品的声子振动性质。实验结果表明，对ｘ＝０的样品，在拉曼光谱中主要出现３２３，４４３，５２２和５７８ｃｍ－１几个特征峰，在中红外吸收光谱中出现５２２，５８０和６４６ｃｍ－１特征峰。随着样品中Ｎｄ组分的增加，３２３ｃｍ－１峰向低波数发生位移，而５２２和６４６ｃｍ－１峰则向高波数发生位移。本文对这些振动模进行了指认，并对其随不同样品组分的变化行为进行了讨论     

In_xGa_（1－x）As缓冲层上In_yGa_（1－y）As／（Al）Ga

本文中，发现在Ｉｎ＿ｘＧａ＿(１－ｘ)Ａｓ缓冲层上非故意掺杂的ＩｎｙＧａ＿(１－ｙ)Ａｓ／（Ａｌ）ＧａＡｓ超晶格样品中存在着两个互相反向的自建电场区，一个位于样品表面，另一个位于Ｉｎ＿ｘＧａ＿(１－ｘ)Ａｓ缓冲层和超晶格界面．据此，合理地解释了样品的光伏测试结果，并对此类样品的ＭＯＣＶＤ生长工艺给予指导．     

BaFCl_xBr_（1－x）：Sm的发光研究

本文报道了ＢａＦＣｌｘＢｒ１－ｘ：Ｓｍ中Ｓｍ２＋、Ｓｍ３＋的光致发光、光激励发光和热释发光特征．讨论了基质组分对发光的影响及Ｓｍ２＋、Ｓｍ３＋的相对发光效率．发现Ｓｍ２＋的复合发光能力大于Ｓｍ３＋的复合发光能力，并从复合发光的过程及途径对这一现象进行了说明．     

Cd_xHg_（1－x）Te／SiO_2固溶体微晶掺杂玻璃三阶非线性光学性质的

本文首次报道了对采用溶胶凝胶和原位生长工艺制备的Ｃｄ_ｘＨｇ_(１－ｘ)Ｔｅ／ＳｉＯ_２固溶体微品掺杂玻璃进行的三阶非线性光学性质实验研究及其结果。利用回返式简并四波混频技术，测得该固溶体掺杂玻璃的三阶非线性极化率的值为１０￣（－１２）ｅｓｕ量级。此结果比纯ＳｉＯ_２基体提高了２个数量级。表明该固溶体掺杂玻璃三阶非线性明显增强，在同样条件下，测得ＣＳ_２的三阶非线性极化率ｘ（３）为（１．７±０．２）×１０￣(－１２)ｅｓｕ，与国际上报道完全一致。     

Zn_（1－x）Mg_xS_ySe_（1－y）四元半导体合金的拉曼散射光谱研究

用分子束外延方法在ＧａＡｓ（１００）衬底上生长了Ｚｎ１－ｘＭｇｘＳｙＳｅ１－ｙ四元半导体合金薄膜．用Ｘ－射线衍射方法确定了外延层的结构和晶格常数．测量了这些样品在平行和垂直两种不同几何配置下的拉曼散射光谱并对其特性做了研究。从实验上观察到了四类不同的晶格振动模：类ＺｎＳｅ的ＴＯ和ＬＯ模以及类ＺｎＳ和类ＭｇＳ的ＬＯ模，实验发现：在ＺｎＳｅ和ＺｎＳＳｅ中加入Ｍｇ使得类ＺｎＳｅ的ＴＯ和ＬＯ模的振动频率下降；同时，也使类ＺｎＳ模的频率随Ｓ的增加率减小。     

混晶（Rb_xK_（1－x））_2SnCl_6的相变研究

用非极性喇曼散射光谱研究了混晶（Ｒｂ_ｘＫ_（１－ｘ））_２ＳｎＣｌ_６性质随组份（０＜ｘ＜１）及温度（１０Ｋ＜Ｔ＜３００Ｋ）的变化。发现在纯Ｋ_２ＳｎＣｌ_６晶体中用Ｒｂ￣＋部分替代Ｋ￣＋后，将降低原Ｋ_２ＳｎＣｌ_６的相变温度Ｔｃｌ。当混晶中Ｒｂ￣＋成份超过极限浓度（ｘ＞０．７）后，该相变就被抑制。不同组份样品的同一喇曼模频率，随Ｒｂ￣＋的增加，向低频方向移动。用平均力常数拟合给出很好的理论解释。     

SiO2玻璃掺杂固溶半导体(ZnxCd1-xS)的光致发光研究

利用Sol-Gel工艺制备了掺杂固溶半导体ZnxCd1-xS的SiO2玻璃.吸收光谱研究表明材料的吸收边随Zn含量的增加而向短波方向移动;温度提高有利于生成较完整的晶粒.以短脉冲激光为激发光源对材料的光致发光效应作了分析,认为光致发光光谱是由电子与空穴复合发光和表面态与缺陷的复合发光组成,电子-空穴复合发光分布在较大的波长范围内,并且随Zn含量的增加向短波方向移动,材料热处理温度提高有助于降低表面态与缺陷的复合发光强度.     

MCDF程序包和电偶极辐射跃迁几率的相对论计算程序

本文讨论如何利用Grant等多组态Dirac-Fock(MCDF)程序包(1980)中的现成资源,依据相对论辐射跃迁的普遍理论,计入组态相互作用和跃迁中的轨道驰豫效应,在Coulomb规范和长度规范下,续编原子的电偶极辐射跃迁几率的计算程序。     

Anomalous temperature dependent photoluminescence properties of CdS_xSe_(1-x) quantum dots

CdSxSe1-x quantum dots were fabricated by a simple spin-coating heat volatilization method on InP wafer.Temperature dependent photoluminescence of CdSxSe1-x quantum dots was carried out in a range of 10-300 K.The integrated photoluminescence intensity revealed an anomalous behavior with increasing temperature in the range of 180-200 K.The band gap energy showed a redshift of 61.34 meV when the temperature increased from 10 to 300 K.The component ratio of S to Se in the CdSxSe1-x quantum dots was valued by both the X-ray diffraction data and photoluminescence peak energy at room temperature according to Vegard Law.Moreover,the parameters of the Varshni relation for CdS0.9Se0.1 materials were also obtained using photoluminescence peak energy as a function of temperature and the best-fit curve:α=(3.5 ± 0.1)10-4 eV/K,and β=210 ± 10 K (close to the Debye temperature θD of the material).     

MOCVD生长InxGa1-xN合金微观结构和光学特性

利用发光光谱、X射线衍射(XRD)、原子力显微(AFM)等实验方法对MOCVD生长的InxGa1-xN合金进行了研究。原子力显微图样表明样品表面出现纳米尺度为微岛状结构。样品PL和PLE谱表明,其主要吸收峰位于波长为365,474nm,发光峰的位置位于波长为545,493nm处,其中545nm发光峰半高宽较493nm发光峰宽,这两个峰分别起源于In(Ga)N浸润层和InGaN层发光,浸润层局域化激子和岛状微观结构弛豫特性是产生发光峰Stokes移动的重要原因。     

稀磁半导体Cd_（1－x）Fe_xTe的磁光光谱

在７０－３００Ｋ温度范围内测量了组分ｘ为０．０１和０．０４的Ｃｄ１－ｘＦｅｘＴｅ及ＣｄＴｅ的法拉第效应随入射光子能量的变化，首次获得了Ｃｄ１－ｘＦｅｘＴｅ在布里渊区Γ点和Ｌ点的有效ｇ因子及其与温度的关系。给出了Ｆｅ２＋离子与载流子间的ｓｐ－ｄ交换作用常数Ｎ０（β－α）＝（－１．５７±０．０３）ｅＶ。     

Zn1-xMgxO和Zn1-xMnxO薄膜的制备及其发光性能

采用溶胶-凝胶技术,在Si(110)衬底上制备了Mg、Mn掺杂外延生长的Zn_1-xMg_xO和Zn_1-xMn_xO薄膜,通过XRD、AFM、PL等考察不同杂质浓度对薄膜结晶质量和发光性能的影响。结果表明:Zn_1-xMg_xO和Zn_1-xMn_xO薄膜均具有较高的T_c(002)结构系数和较为光滑、平整的表面形貌。掺杂使得薄膜的紫外发光峰向短波方向移动至365 nm左右,同时Zn_1-xMn_xO薄膜的室温可见光发射得以有效地钝化,使其近带边紫外光发射与深能级可见光发射比例高达56,极大地提高了薄膜紫外发光性能。并对掺杂薄膜紫外发光蓝移和Zn_1-xMn_xO薄膜室温可见光发射的猝灭机理进行了深入探讨,得出掺杂组分为Zn_0.85Mg_0.15O、Zn_0.97Mn_0.03O时,薄膜具有最强的紫外光发射性能。     

AlxGa1-xAs/AlyGa1-yAs微腔中的激子吸收增强效应

文章采用Al_xGa_1-xAs/Al_yGa_1-yAs微腔结构,研究了微腔中激子的吸收行为,在室温下观察到了激子吸收的增强效应,激子的峰值吸收强度是自由空间中激子吸收强度的2,6倍;我们从激子与光波场相互作用和腔中模函数的分布建立了计算.激子先吸收的模型,文中给出的微腔结构的数值计算表明激子的吸收增强与实验结果相一致;数值计算表明,微腔中激子吸收的强弱不仅与上、下两腔镜的反射率和腔长有关,而且还取决于量子阱在腔中的位置.