注入和输运对单层有机发光器件复合发光的影响

通过分析聚合物电致发光器件中载流子注入、输运、激子的解离与复合过程,提出了激子解离与复合的理论模型. 基于电流连续性方程和Poisson方程,给出了激子复合密度、电流密度及复合效率表达式.研究两电极与有机层之间在Ohmic和Fowler-Nordheim接触条件下载流子迁移率对器件中激子的复合密度及外加电压和注入势垒对器件电流和复合效率的影响.结果表明:1)在一个较宽的注入势垒和迁移率范围内,复合密度不是由两个注入电极的相对注入比决定而是由有机层电子和空穴迁移率之比所支配;2)固定阴极势垒,而阳极势垒由小变大时,器件电流由接触限制向空间电荷限制转变;3)复合效率随外电压升高先增加,当电压达一临界值时而陡降,存在一个最佳的注入势垒值.结果说明:电极与有机层的能带匹配及有机层间的迁移率匹配对器件复合发光有着极其重要的影响.其计算值与所报道的理论结果相符.     

物理学符号、单位和术语(续完)

1)希文大写德塔,不是三角形符号. 8.建议使用的数学符号8.1一般符号等于 =不等于 ≠恒等于 ≡按定义等于 定义(def)相当于近似等于 ≈渐近等于正比于　∝趋近于 →大于>小于<远大于远小于大于或等于≥小于或等于 ≤加 减-加或减 ±a乘以b ab,a·b,a×ba除以b　a/b,a6-1一个圆的     

微波低噪声晶体管电磁脉冲敏感端对研究

 在研究电磁脉冲对微电子器件作用效应的过程中,针对三种不同型号的微波低噪声硅半导体器件进行了电磁脉冲（静电放电和方波电磁脉冲）直接注入的试验,结果发现该类器件对电磁脉冲最敏感的端对并不是EB结（发射极-基极）,而是CB结（集电极-基极）。通过对器件结构与放电过程的分析,分别得出了CB结、EB结的损伤机理：随放电电压的增大,热载流子撞击界面,使流经界面处的少数载流子复合速度增加,少数载流子在界面处及界面附近被复合,从而降低了器件的电流放大系数。而无论从哪个结注入,器件完全失效均是由热二次击穿造成。从而更进一步地证明了CB结比EB结更敏感。     

矩形与圆形截面载流平行双导体间安培力研究

截面形状不同的载流导体在空间中的磁场分布以及对其他导体的安培力,在实际工程应用中有重要意义.本文从理论上分析计算无限长矩形截面和圆形截面载流导体磁场分布,进而对两根平行的矩形截面导体间、圆形截面导体间的安培力进行分析,并利用Matlab软件对磁场分布和安培力做了模拟.结果表明:矩形截面载流导体的磁感线呈近似椭圆状;两平行矩形截面载流导体间的安培力不仅与距离、截面尺寸有关,当距离、截面尺寸一定时还和放置的方向有关.当边长比a/b1时,安培力小于同样面积和载流密度情况下的圆截面导体,且a/b值越小,作用力越大,当a/b1时,大于同样载流情况下的圆截面导体,但随着导体间距增大作用力的差别越来越小.     

AlGaN/GaN 高电子迁移率晶体管漏电流退化机理研究

本文首先制备了与AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管 (HEMT) 结构与特性等效的AlGaN/GaN异质结肖特基二极管, 采用步进应力测试比较了不同栅压下器件漏电流的变化情况, 然后基于电流-电压和电容-电压测试验证了退化前后漏电流的传输机理, 并使用失效分析技术光发射显微镜 (EMMI) 观测器件表面的光发射, 研究了漏电流的时间依赖退化机理. 实验结果表明: 在栅压高于某临界值后, 器件漏电流随时间开始增加, 同时伴有较大的噪声. 将极化电场引入电流与电场的依赖关系后, 器件退化前后的 log(I_FT/E)与√E 都遵循良好的线性关系, 表明漏电流均由电子Frenkel-Poole (FP) 发射主导. 退化后 log(I_FT/E)与√E 曲线斜率的减小, 以及利用EMMI在栅边缘直接观察到了与缺陷存在对应关系的“热点”, 证明了漏电流退化的机理是: 高电场在AlGaN层中诱发了新的缺陷, 而缺陷密度的增加导致了FP发射电流I_FT的增加. 关键词： AlGaN/GaN 高电子迁移率晶体管 漏电流 退化机理     

AlGaInP-LED微阵列单元的热效应分析

对AlGaInP-LED微型阵列发光单元的内部自发热机制进行了分析,并通过对具有回型上电极的发光单元的理论分析与计算,得到了其内量子效率与注入电流的变化关系及器件温度与所加偏压的变化关系。为保证内量子效率取值范围大于85%,得到了器件的最佳工作电流和最佳驱动电压范围以及微阵列各层结构在最佳驱动电压下的热阻分布。通过计算得出器件在2.2 V电压下,从p-n结到外部环境的有效热阻为96.7 ℃/W。讨论了减小器件热阻的方法,计算得出在理想情况下,添加热沉结构后有效热阻降为30.6 ℃/W,表明所设计的热沉结构对器件的散热起到了明显的改善作用。     

单轴应变SiNMOSFET源漏电流特性模型

本文在建立单轴应变Si NMOSFET迁移率模型和阈值电压模型的基础上, 基于器件不同的工作区域, 从基本的漂移扩散方程出发, 分别建立了单轴应变Si NMOSFET源漏电流模型. 其中将应力的影响显式地体现在迁移率和阈值电压模型中, 使得所建立的模型能直观地反映出源漏电流特性与应力强度的关系. 并且对于亚阈区电流模型, 基于亚阈区反型电荷, 而不是采用常用的有效沟道厚度近似的概念, 从而提高了模型的精度. 同时将所建模型的仿真结果与实验结果进行了比较, 验证了模型的可行性. 该模型已经被嵌入进电路仿真器中, 实现了对单轴应变Si MOSFET 器件和电路的模拟仿真.     

一种测量GaAs-GaAlAs行波激光放大器增益特性的实验方法

本文报导了一种测量光耦合效率η的新实验方法。这个方法是建立于p-n结短路光电流原理上的。本文推导出适合于行波激光放大器的光耦合效率的公式。短路光电流用一检流计测量,利用公式获得光耦合效率的实验值。利用实验所测光耦合效率,测量了行波激光放大器的增益随注入电流变化的规律,其结果和实验符合。另外本文还介绍了在脉冲注入电流条件下测行波半导体激光放大器增益的实验方法。     

电介质/半导体结构样品电子束感生电流瞬态特性

电子束照射下电介质/半导体样品的电子束感生电流(electron beam induced current,EBIC)是其电子显微检测的重要手段.结合数值模拟和实验测量,研究了高能电子束辐照下SiO2/Si薄膜的瞬态EBIC特性.基于Rutherford模型和快二次电子模型研究电子的散射过程,基于电流连续性方程计算电荷的输运、俘获和复合过程,获得了电荷分布、EBIC和透射电流瞬态特性以及束能和束流对它们的影响.结果表明,由于电子散射效应,自由电子密度沿入射方向逐渐减小.由于二次电子出射,净电荷密度呈现近表面为正、内部为负的特性,空间电场在表面附近为正而在样品内部为负,导致一些电子输运到基底以及一些出射二次电子返回表面.SiO2与Si界面处俘获电子导致界面附近负电荷密度高于周围区域.随电子束照射样品内部净电荷密度逐渐降低,带电强度减弱.同时,负电荷逐渐向基底输运,EBIC和样品电流逐渐增大,电场强度逐渐减小.由于样品带电强度较弱,表面出射电流和透射电流随照射基本保持恒定.EBIC、透射电流及表面出射电流均随束流呈现近似正比例关系.对于本文SiO2/Si薄膜,透射电流随束能的升高逐渐增大并接近于束流值,EBIC在束能约15 keV时呈现极大值.     

脉冲厄米高斯光束的载波相位分析*

采用复q参量法对脉冲厄米高斯光束在自由空间中的传输进行了分析.在振幅0阶和位相一阶近似条件下,得到其传播过程中载波位相近似公式.运用数值方法和近似公式进行对比研究,发现在脉宽大于5 fs或在远场情况下,两者符合较好.采用近似办法,分别研究了厄米函数阶次、束宽与位置对载波相位的影响.研究表明,在光轴上远场,载波相位趋近于－m+n+1π/2,其变化快慢与厄米函数阶次m+n+1成正比|束腰宽度越大,则载波相位变化越慢|另外,离光轴距离越远,其导致的载波相位越大,且最大位置都出现在z=ZRω0/3处.     

功率晶体管的发射极设计

本文讨论功率晶体管设计中设计发射极时所需考虑的两个问题。一个是在给定的注入条件下如何保证足够大的电流放大;另一个是如何提高发射极发射电流的有效面积。文中着重分析在各种注入条件下发射结面上发射极电流密度的分布,亦即所谓基区电阻自偏压截止效应,最后给出主要结论。     

Effect of deep dislocation levels in silicon on the properties of p-n junctions

We present the results of studies on the influence of deep levels, due to dislocations in electronic-grade silicon, on the lifetime of minority carriers and on the current-voltage and capacitance-voltage characteristics of p-n junctions. The parameters of the deep levels were determined by means of dynamic spectroscopy. The carrier lifetime in the high-resistance region of the p-n junction correlates well with the dislocation density and varies from 10^–7 sec to 3 · 10^–8 sec when the dislocation density N_d varies from 10⁷ cm^–2 to 5 · 10³ cm^–2. The voltage across the p-n junction at a high level of injection varies 1.6 to 6.2 v as a function of N_d. The ionization energy of deep levels associated with dislocation in silicon is 0.44 and 0.57 eV, measured from the bottom of the conduction band.Translated from Izvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii, Fizika, No. 1, pp. 81–84, January, 1988.     

HgCdTe器件中载流子扩散长度的硼离子注入效应研究

报道了非直接接触、高分辨率的激光束诱导电流谱表征技术在检测半导体材料、器件工艺中的应用.研究结果表明:p型HgCdTe薄膜经硼离子注入后形成的n型区面积大于实际的离子注入区域;对不同注入剂量系列单元不同区域载流子扩散长度进行了提取,表明n区载流子扩散长度随硼离子注入剂量增加而减小.     

Analysis of the planar transistor at medium and high injection levels

The processes occurring in the base of a planar transistor of the p-n-p type at medium and high injection levels were investigated by an approximate method, taking into account explicity the space charge, the electric field, and scattering at moving carriers. For nonstationary injection the current densities are described by the used combination of hyperbolic functions.Notation pa, n0 equilibrium concentration of holes and elections - Tp, rn lifetime of holes and electrons taking into account surface recombination - jp, jn current density of holes and electrons - Dp, Dn, p, jjn diffusion coefficients and mobilities for holes and electrons respectively - NA, NQ concentration of acceptor and donor impurities - E electric field intensity - q charge per hole - s dielectric constant of semiconductor - b = Mn/Mp! x coordinate measured from emitter towards collector - Wn width of base - Wp width of emitter region - d(Vc) width of p-n junction with reverse bias Vc at junction - k Boltzman's constant - T absolute temperatme - h Planck's constant - mo mass of free electron     

Spin-polarized transport in inhomogeneous magnetic semiconductors: theory of magnetic/nonmagnetic p-n junctions

A theory of spin-polarized transport in inhomogeneous magnetic semiconductors is developed and applied to magnetic/nonmagnetic p-n junctions. Several phenomena with possible spintronic applications are predicted, including spin-voltaic effect, spin valve effect, exponential and giant magnetoresistance. It is demonstrated that only nonequilibrium spin can be injected across the space-charge region of a p-n junction, so that there is no spin injection (or extraction) at low bias.     

多极管中正偏pn结光注入载流子的作用

通过扫描电子显微镜束感生电流图象的观察,提出了必须考虑多极管中正偏pn结光注入载流子的作用,本文给出了有关的实验结果,并基于Ebers-Moll模型和相应的假设,通过计算,得到一个可以同时考虑饱和电流、正偏pn结和反偏pn结处光注入载流子作用的统一公式,并与有关的实验结果进行比较,基本相符。 关键词：     

Electron self-energy effect on a heterojunction bipolar transistor at T=0

An electron self-energy effect on a graded-gap heterojunction bipolar transistor at T=0 is considered. It is found that two competing mechanisms affect the collector current vs. emitter base bias voltage relations: (I) threshold voltage lowering for electron injection from emitter to base improves it: while (II) a decelerating field on injected minority carriers in the base degrades it. In a sufficiently large built-in field in the graded-gap base, negative transconductance appears as a result of the effect (I).     

Effect of anisotropic pressure on the parameters of silicon diodes

We analyze experimental data on the effect of external pressure on the following parameters of silicon alloyed diodes: charge capacitance of the p-n junction, lifetime of the minority charge carriers in the diode base, the rate of surface recombination on the base surface, and the reverse current.     

升华外延碳化硅p-n结的性质

本工作测量了升华外延碳化硅p-n结的电流-电压特性和空间电荷电容。通过对正向电流-电压特性及电容-电压特性的分析,表明:随着外延生长条件的不同,这种p-n结的结构可以在相当宽的范围内变化,从近于线性梯度结直到典型的p-i-n结,而大多数p-n结则介于这两者之间。文中就外延生长条件对p-n结结构的影响进行了简略的讨论。此外,还给出了升华外延碳化硅p-n结正向电发光的亮度-电流关系、光谱分布以及脉冲和交流激励的测量结果。 关键词：     

Super-radiant surface emission from a quasi-cavity hot electron light emitter

The Hot Electron Light Emitting and Lasing in Semiconductor Heterostructure (HELLISH-1) device is a novel surface emitter which utilises hot carrier transport parallel to the layers of a Ga1–xAlxAs p-n junction incorporating a single GaAs quantum well on the n-side of the junction plane. Non-equilibrium electrons are injected into the quantum well via tunnelling from the n-layer. In order to preserve the charge neutrality in the depletion region, the junction undergoes a self-induced internal biasing. As a result the built-in potential on the p-side is reduced and hence the injection of non- equilibrium holes into the quantum well in the active region is enhanced. The work presented here shows that a distributed Bragg reflector grown below the active region of the HELLISH device increases the emitted light intensity by two orders of magnitude and reduces the emission line-width by about a factor of 3 in comparison with the original HELLISH-1 structure. Therefore, the device can be operated as an ultrabright emitter with higher spectral purity.