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相似文献
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1.
制备了结构为ITO/NPB/CBP:TBPe:rubrene/BAlq:Ir(piq)2(acac)/BAlq/Alq3/Mg:Ag的白色磷光有机电致发光器件.利用两种不同的主体材料,即用双载流子传输型主体材料CBP掺杂荧光染料TBPe及rubrene作为蓝光和橙黄光发光层;用电子传输型主体材料BAlq掺杂磷光染料Ir(piq)2(acac)作为红色发光层.以上双发光层夹于空穴传输层NPB与具有电子传输性的阻挡层BALq之间.讨论了如何控制 关键词: 有机电致发光 磷光染料 掺杂 白光  相似文献   

2.
制备了一种结构为ITO/NPB/NPB:Ir(piq)2(acac)/CBP:TBPe/BAlq:rubrene/BAlq/Alq3/Mg:Ag的白色磷光有机电致发光器件.其中空穴传输型主体NPB掺杂磷光染料Ir(piq)2(acac)作为红色发光层,双载流子传输型主体4,4′-N,N′-dicarbazole-biphenyl (CBP)掺杂TBPe作为蓝色发光层,电子传输型主体材料BAlq掺杂rubrene作为绿色发光层.以上发光层夹于 关键词: 电致发光 磷光染料 异质结 白光  相似文献   

3.
制备了结构为ITO/NPB/CBP:TBPe:rubrene/BAlq:Ir(piq)2(acac)/BAlq/Alq3/Mg:Ag的白色磷光有机电致发光器件.利用两种不同的主体材料,即用双载流子传输型主体材料CBP掺杂荧光染料TBPe及rubrene作为蓝光和橙黄光发光层;用电子传输型主体材料BAlq掺杂磷光染料Ir(piq)2(acac)作为红色发光层.以上双发光层夹于空穴传输层NPB与具有电子传输性的阻挡层BALq之间.讨论了如何控制  相似文献   

4.
在Si/SiO2衬底上生长金属银作为阳极,4,4,4-tris(3-methylphenylpheny-lamino)-triphenylamine(m-MTDATA):MoOx/m-MTDATA/N,N-bis-(1-naphthyl)-N,N-diphenyl-1,1-biphenyl-4,4-diamine(NPB)作为空穴注入及传输层,发光层采用4,4-N,N-dicarbazole-biphenyl(CBP)掺杂磷光染料(1-(phenyl)isoquinoline)iridium(III) acetylanetonate(Ir(piq)2(acac))的结构,4,7-di-phenyl-1,10-phenanthroline(BPhen)作为空穴阻挡层及电子传输层,阴极为LiF(1 nm)/Al(2 nm)/Ag(20 nm)复合阴极结构.通过在光取出的复合阴极上方生长一层CBP光学覆盖层,有效地改善了复合阴极膜系的透射率,从而改善了顶发射结构的光学耦合输出特性,在提高器件的正向发光效率的同时还使色坐标往深红光区移动.并且生长光学覆盖层结构的器件角度依赖特性明显得到改善,这对于制作高显示质量的显示器件具有重要意义.在原有结构的基础上增加20 nm的NPB掺杂磷光染料Ir(piq)2(acac)作发光层,从而得到双发光层结构为NPB:Ir(piq)2(acac)(1%,20 nm)/CBP:Ir(piq)2(acac)(1%, 20 nm).由于NPB具有较高的空穴迁移率,避免了由于光学厚度的增加而引起器件工作电压的大幅升高,而双发光层的结构有利于增大激子复合区域,提高辐射复合几率,减少非辐射损耗,实现主客体之间高效的三线态能量传递,相对单发光层顶发射结构,双发光层结构不仅提高了器件的发光效率,而且改善了器件的色坐标.  相似文献   

5.
空穴传输层对有机电致发光器件性能的影响   总被引:3,自引:1,他引:2  
袁桃利  张方辉  张微  黄晋 《发光学报》2013,34(11):1457-1461
制备了结构为ITO/MoO3(40 nm)/空穴传输层/CBP:Ir(ppy)2acac(8%)(30 nm)/BCP(10 nm)/Alq3(40 nm)/LiF(1 nm)/Al(100 nm)的器件,其中Ir(ppy)2acac为绿色磷光染料,空穴传输层分别为TAPC(50 nm)、TAPC(40 nm)/TCTA(10 nm)、NPB(50 nm)、NPB(40 nm)/TCTA(10 nm)。通过使用4种不同结构的空穴传输层,对器件的发光性能进行了研究。结果表明,空穴传输层对器件的发光性能有较大影响。在电压为6 V、电流密度为2 mA/cm2的条件下,4种结构的器件的电流效率分别为52.5,67.8,35.6,56.6 cd/A。其原因是TAPC/TCTA及NPB/TCTA能级结构更有利于空穴对发光层的注入而且TAPC拥有较高的空穴迁移率;另外,TAPC及TCTA拥有较高的LUMO和三线态能量,可以有效地将电子和三线态激子束缚在发光层内,增加绿光染料的复合发光几率。所制备的器件均表现出良好的色坐标稳定性。  相似文献   

6.
研究利用溶液法制备的有机磷光双重掺杂体系电致发光器件的光致发光特性与电致发光特性,并研究了在这种体系中深能级陷阱导致的器件效率衰退现象。首先利用紫外光谱仪和光致瞬态寿命测试系统对基于旋涂法制备的以宽带隙材料4,4’-bis(N-carbazolyl)-1,1’-biphenyl(CBP)为主体,绿色磷光材料tris(2-phenylpyridine) iridium(Ⅲ)(Ir(ppy)3)和红色磷光材料tris(1-phenylisoquinolinato-C2,N)iridium(Ⅲ)(Ir(piq)3)为客体材料的薄膜进行了光致发射光谱测试和薄膜在Ir(ppy)3发光峰516 nm处的光致发光寿命测试,实验发现在Ir(ppy)3掺杂比例保持定值时,随着深能级掺杂材料Ir(piq)3的引入,其光致发光光谱中Ir(ppy)3的相对发光强度减弱且发光寿命变短,当Ir(piq)3掺杂浓度继续提高时,薄膜光致发光光谱基本保持不变且Ir(ppy)3的发光寿命基本不变。实验说明在低浓度掺杂下两者的三线态能级之间存在着能量传递,但当掺杂浓度达到高浓度时,能量传递主要来自于主客体之间的传递,两者作为独立的发光中心发光。然后利用溶液法制备了发光层分别为CBP∶Ir(ppy)3,CBP∶Ir(ppy)3∶Ir(piq)3和CBP∶Ir(ppy)3∶PTB7的三组器件,器件结构为ITO/PEDOT∶PSS/Poly-TPD/EML/TPBi(15 nm)/Alq3(25 nm)/LiF(0.6 nm)/Al(80 nm)。在Ir(ppy)3和Ir(piq)3共掺杂器件和Ir(ppy)3单掺杂器件的对比实验中发现,加入一定比例的深能级材料后,器件的电致发光光谱发生改变,Ir(piq)3的相对发光强度增强,器件发光效率下降且效率滚降现象明显。通过对器件进行J-V测试,发现在Ir(ppy)3单掺杂器件中陷阱填充电流随着掺杂材料浓度的提高而提高,但在加入等浓度深能级材料Ir(piq)3后,陷阱填充电流基本保持一致。瞬态电致发光测试表明,随着Ir(ppy)3掺杂比例的提高,器件内由于陷阱载流子释放而产生的瞬时发光强度降低,这是由于Ir(ppy)3具有一定的传导电荷作用,会减少器件中的陷阱载流子,这进一步说明了具有较深能级的Ir(piq)3是限制载流子的主要能级陷阱。同时发现随反向偏压的增大,瞬态发光强度增大且发光衰减加速,这是因为位于深能级陷阱的载流子在高电压下被释放,重新复合发光,说明深能级陷阱的确限制住了大量载流子,而由于主体三线态激子具有较长的寿命,激子间相互作用产生的单线态激子在高反压下解离,从而引起三线态激子-极化子相互作用的加剧,导致发光衰减加速。在窄带隙聚合物材料PTB7与Ir(ppy)3共掺杂器件实验中发现,随着PTB7掺杂浓度提高,陷阱浓度变大且器件效率降低,具有较深能级的PTB7成为了限制载流子的深能级陷阱。因此说明在双掺杂有机磷光电致发光器件中,深能级材料会成为限制载流子的能级陷阱,引起载流子大量堆积,从而导致三线态激子与极化子相互作用加剧,使器件的发光效率衰退。  相似文献   

7.
以铱配合物红色磷光体Ir(piq)2(acac)为掺杂剂,制备了基于BAlq材料的红色电致磷光器件,其结构为ITO/NPB(30nm)/Ir(piq)2(acac):BAlq(25nm)/BCP(13nm)/Alq3(35nm)/LiF(1nm)/Al(1000nm),当掺杂浓度为8%的时候,器件发光的色坐标为(x=0.67,y=0.32),基本满足了全色显示对红色发光的要求。在电压为16V时,器件达到最高亮度9380cd/m2。在电流密度为5.45mA/cm2时,外量子效率达到最大5.7%。由于磷光体Ir(piq)2(acac)的磷光寿命较短,所以器件在高电流密度下,仍然保持较高的外量子效率。电流密度为100mA/cm2时,外量子效率仍然维持在4.7%。进一步研究表明在器件中短程的Dexter能量传递以及红光染料对空穴的直接捕获两种机制同时存在。  相似文献   

8.
基于量子阱结构的高效磷光有机电致发光器件   总被引:1,自引:0,他引:1       下载免费PDF全文
采用多重量子阱结构制作了高效红色磷光有机电致发光器件。以4,4'-bis(N-carbazolyl)-1,10-biphenyl (CBP)掺杂bis(1-phenyl-isoquinoline)(Acetylacetonato) iridium(Ⅲ) (Ir(piq)2(acac))为发光层,4,4'-bis(N-carbazolyl)-1,10-biphenyl(Bphen)为电荷控制层,形成了Ⅱ型双量子阱结构,器件的最大亮度为15 000 cd/m2,最大电流效率为7.4 cd/A,相对于参考器件提高了21%。研究结果表明:以Bphen为电荷控制层形成的Ⅱ型多重量子阱结构能有效地将载流子和激子限制在势阱中,并且使空穴和电子的注入更加平衡,从而提高了载流子复合的几率和器件的效率。  相似文献   

9.
采用不同的真空热梯度升华条件,获得了不同纯度的乙酰丙酮酸二(2-苯基吡啶)铱Ir(ppy)2(acac)。以不同纯度Ir(ppy)2(acac)为客体材料,制备了结构为ITO:MoO3/CBP/CBP:Ir(ppy)2(acac)/TPBi/LiF:Al的有机发光二极管(OLEDs),其中CBP和TPBi分别是4,4'-二(9-咔唑)联苯和1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯。评价了不同纯度磷光铱配合物制备的器件的电致发光性能,探索了磷光铱配合物纯度对器件性能的影响。结果表明:Ir(ppy)2(acac)升华后可以提高器件的稳定性,纯度高的材料可以在较低的掺杂浓度下获得较高的发光效率。  相似文献   

10.
介绍了具有可调节发光光谱的高效红光有机发光二极管(OLED)器件,利用具有高三重态能量的9.9-螺二芴二苯基氧化磷(SPPO1)作为发光层的主体材料及空穴阻挡层,二(1-苯基异喹啉)(乙酰丙酮)合铱(III) (Ir(piq)2(acac))作为客体发光材料,在发光层内SPPO1的能量分别由福斯特和迪克斯特传递到Ir(piq)2(acac)的单重态和三重态从而发出红色磷光,通过调节磷光客体材料的比例得到最优器件结构,从而得到具有较好发光效率和发光亮度并可调节色纯的有机发光二极管器件。  相似文献   

11.
A novel phosphorescent organic white-light-emitting device (WOLED) with contiguration of ITO/NPB/CBP: TBPe:rubrene/Zn(BTZ)2:Ir(piq)2(acac)/Zn(BTZ)2/Mg:Ag is fabricated successfully, where the phosphorescent dye bis (1-(phenyl)isoquinoline) iridium (Ⅲ) acetylanetonate (Ir(piq)2 (acac)) doped into bis-(2-(2-hydroxyphenyl) benzothiazole)zinc (Zn(BTZ)2) (greenish-blue emitting material with electron transport character) as the red emitting layer, and fluorescent dye 2,5,8,11-tetra-tertbutylperylene (TBPe) and 5,6,11,12-tetraphenyl-naphthacene (rubrene) together doped into 4,4'-N,N'-dicarbazole-biphenyl (CBP) (ambipolar conductivity material) as the blue-orange emitting layer, respectively. The two emitting layers are sandwiched between the hole-transport layer N ,N'-biphenyl-N , N'-bis (1-naph thyl)-(1,1'-biphenyl)-4, 4 Cdiamine (NP B) and electron-transport layer (Zn(BTZ)2 ) The optimum device turns on at the driving voltage of 4.5 V. A maximum external quantum efficiency of 1.53%. and brightness 15000 cd/m^2 are presented. The best point of the Commission Internationale de 1'Eclairage (CIE) coordinates locates at (0.335, 0.338) at about 13 V. Moreover, we also discuss how to achieve the bright pure white light through optimizing the doping concentration of each dye from the viewpoint of energy transfer process.  相似文献   

12.
This paper reports the fabrication of novel white organic light-emitting device(WOLED) by using a high efficiency blue fluorescent dye N-(4-((E)-2-(6-((E)-4-(diphenylamino)styryl)naphthalen-2-yl)vinyl)phenyl)oN- phenylbenzenamine (N-BDAVBi) and a red phosphoresecent dye bis (1-(phenyl) isoquinoline) iridium (III) acetylanetonate (Ir(piq)2(acac)). The configuration of the device was ITO/PVK:TPD/CBP: N-BDAVBi /CBP/ BALq: Ir(piq)2(acac)/BCP/Alq3/LiF:AL. By adjusting the proportion of the dopants (N-BDAVBi, Ir(piq)2(acac)) in the light-emitting layer, white light with Commission Internationale de l'Eclairage (CIE) coordinates of (0.35, 0.35) and a maximum luminance of 25350cd/m2 were obtained external quantum and current efficiency of 6.78% and between the two light-emitting layers and using BCP at an applied voltage of 22V. The WOLED exhibits maximum 12cd/A respectively. By placing an undoped spacer CBP layer as hole blocking layer, the colour stabilization slightly changed when the driving voltage increased from 6 to 22 V.  相似文献   

13.
制备了三种结构的白色有机电致发光器件,通过比较得出:在发光层中间插入2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-菲咯啉(BCP)能有效控制载流子在不同发光层的分布,进而对器件色度进行调节;而掺杂磷光染料Ir(ppy)3作敏化剂能有效提高器件的效率. 结构为:氧化铟锡/聚乙烯基咔唑∶N,N′-二(1-萘基)-N,N′-二苯基-1,1′-联苯-4-4′-二胺(30nm)/二-(2-甲基-8-羟基喹啉)-4-联苯酚铝:3.0 wt%2,5,8,11-tetra-tertbutylperylene(TBPe)(30nm)/BCP(5.0nm)/4,4N,N二咔唑基二苯:5.0 wt%Ir(ppy)3:2.0 wt%红荧烯(15nm)/BCP(10nm)/Mg:Ag的器件色度和效率俱佳. 其在17V工作电压下具有的亮度为4670cd/m2,对应色坐标为(0.31,0.37). 器件具有的最大外量子效率为1.4%,当驱动电压从5.0V升高到17V,器件色坐标严格位于白光色域区内. 关键词: 磷光染料 阻挡层 白光 双发光层  相似文献   

14.
基于铱配合物材料的高效高稳定性有机发光二极管   总被引:1,自引:0,他引:1       下载免费PDF全文
使用基于重金属Ir的新磷光材料(tpbi)2Ir(acac),制备了多层结构有机发光二极管器件: ITO/CuPc (40 nm)/α-NPD (45 nm)/CBP: (tpbi)2Ir(acac) (3%, 30nm)/BCP(20 nm)/Alq3 (20 nm)/LiF (1 nm)/Al (100 nm).测试了材料的寿命、光谱吸收性质和器件的I-V-L特性.器件在低电压下电流符合热发射注入模型,高电压下I-V呈线形关系.不同偏压下器件发光光谱稳定,多峰拟合结果表明器件光谱由α-NPD发光峰(450 nm),(tpbi)2Ir(acac)主发光峰(518 nm)和肩峰(543 nm)构成.驱动电压为6 V时,器件效率达到最大12.1 lm/W,此时亮度为136 cd/m2,器件亮度最大为13500 cd/m2,此时效率为0.584 lm/W. 关键词: 有机发光二极管 磷光 效率 I-V-L特性')" href="#">I-V-L特性 光谱  相似文献   

15.
制备了ITO/NPB/LiF/Alq3/LiF/Al的器件,测量了该组器件效率和亮度的磁效应.结果表明,在50 mT磁场中,当LiF缓冲层厚度为0.8 nm时,器件的效率最大增加了12.4%,磁致亮度最大变化率17%.同时,制备的磷光器件ITO/NPB/LiF/CBP:6 wt% Ir(ppy)3/BCP/Alq3/ LiF/Al,在50mT磁场作用下,当LiF缓冲层的厚度为0.8 nm时,器件的效率最大增加12.1%.在Alq3 关键词: 有机发光 磁场 效率 磁致亮度  相似文献   

16.
We used N,N′-bis-(1-naphthyl)-N,N′-1-diphenyl-1,1′-biphenyl-4,4′-diamine (NPB), 4,4′-N,N′-dicarbazole-biphenyl (CBP) and tris(8-hydroxyquinoline) aluminum (Alq3) to fabricate tri-layer electroluminescent (EL) device (device structure: ITO/NPB/CBP/Alq3/Al). In photoluminescence (PL) spectra of this device, the emission from NPB shifted to shorter wavelength accompanying with the decrease of its emission intensity and moreover the emission intensity of Alq3 increased relatively with the increase of reverse bias voltage. The blue-shifted emission and the decrease in emission intensity of NPB were attributed to the polarization and dissociation of NPB excitons under reverse bias voltage. The increase of emission intensity of Alq3 benefited from the recombination of electrons (produced by the dissociation of NPB exciton) and holes (injected from the Al cathode).  相似文献   

17.
唐晓庆  于军胜  李璐  王军  蒋亚东 《物理学报》2008,57(10):6620-6626
通过对一种新型贵金属铱的配合物磷光材料(pbi)2Ir(acac)与咔唑共聚物进行物理掺杂, 制备了结构为indium-tin oxide(ITO)/poly(N-vinylcarbazole)(PVK): (pbi)2Ir(acac)(x)/2,9-dimethyl-4,7-diphenyl-1,10-phenan throline(BCP)(20nm)/8-Hydroxyquinoline aluminum(Alq3)(10nm)/Mg:Ag的聚合物电致磷光器件,研究了磷光聚合物掺杂体系在低掺杂浓度时(0.1%和0.5%(质量百分数,全文同))的光致发光(PL)和电致发光(EL)特性. 结果表明, 该掺杂体系的PL光谱和EL光谱中均同时存在主体材料PVK与磷光客体(pbi)2Ir(acac)的发光光谱, 但主客体的发射强度不同,推测该掺杂体系在电致发光条件下, 同时存在主体材料到客体的不完全的能量传递和载流子直接俘获过程. 磷光掺杂浓度为0.1%的器件在19V电压下实现了白光发射, 色坐标为(0.32, 0.38), 掺杂浓度为0.5%的器件在20.6V电压下的最大发光亮度为11827 cd·m-2, 而在13.4V电压下的最大流明效率为4.13 cd·A-1. 关键词: 有机电致发光器件 铱配合物磷光 聚合物掺杂  相似文献   

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