CdTe量子点的制备与应用

在微波样品处理器中, 合成了量子产率为65%的CdTe量子点, 发射波长为510~670 nm. 该方法合成的量子点半峰宽较窄, 发光强度较高. 为了提高光稳定性, 在制备的CdTe量子点表面包覆了硅层, 得到尺寸分布较均匀的纳米粒子, 并对其进行毒性检验.     

量子点所含重金属大部分会残留在动物体内

量子点通常用于生物医药研究中的成像和传感，但是由于其中一些组分含有重金属，量子点的毒性引发了人们的关注。最近出版的《自然——纳米技术》上的一项初步研究显示，在科学家将含有重金属的量子点注入一些非人灵长类动物的体内后，实验动物虽然未出现急性中毒反应，但是化学分析显示，     

球型量子点量子比特内电子的概率密度分布

通过精确求解能量本征方程及变分方法,得到球型量子点中电子-声子相互作用体系的基态和第一激发态能量,以这样一个两能级体系构成一个量子比特.数值计算表明,当量子点尺寸一定时,量子比特中电子的概率密度随空间位置的变化而变化,且各个空间点的概率密度均随时间做周期性振荡,振荡周期随球半径的增大而增大.     

基于水溶性CdTe量子点的荧光猝灭选择性测定对苯二酚

依据弱碱性条件下水溶性碲化镉量子点的荧光猝灭建立了一种测定对苯二酚的新方法.最佳条件下,工作曲线的线性范围是0.09-6.0μmol/L,检测限为1.36×10-2μmol/L.对0.5μmol/L浓度对苯二酚进行六次平行测量,相对标准偏差为2.2%.本法具有简单灵敏的优点,并有高的选择性,邻苯二酚、间苯二酚等其它酚类物质不干扰测定.将本法用于废水中对苯二酚的测定,结果令人满意.     

谷胱甘肽碲化镉量子点的合成及痕量铅离子检测

利用一步法在水相中合成表面包裹谷胱甘肽的碲化镉(CdTe@GSH)量子点.所合成的CdTe@GSH量子点水溶性好,在水溶液中性质稳定.量子点具有较高的量子产率,并且可以通过控制反应条件使荧光光谱在整个可见光范围内可调.溶液中的铅离子能够造成CdTe@GSH量子点发生荧光猝灭,猝灭效率与铅离子浓度成正比.利用此现象发展出检测痕量铅离子浓度的方法,线性范围在0.5～500 nmol/L,检出限低至0.1/L,且具有较好的选择性.利用电喷雾-质谱和动态光散射研究了铅离子与CdTe@GSH量子点的相互作用,并探讨了量子点发生荧光猝灭的机理.     

量子点层厚度对量子点发光二极管发光特性的影响

采用湿法旋涂技术制备量子点发光二极管器件(QD-LEDs)。PEDOT作为空穴注入层,TFB作为空穴传输层,量子点作为发光层,采用无机二氧化钛(TiO2)作为电子传输层,在相同的工艺条件下调节量子点层旋涂转速(800~1 100r/min),制备不同厚度的量子点发光二极管发光器件(QD-LEDs)。实验结果表明,当量子点层的旋涂转速为900r/min时,此时的量子点层厚度为30nm,所制备的量子点发光二极管器件(QD-LEDs)的发光性能最好,开启电压最低,只有5.5V。     

甜瓜枯萎病原菌的微生物学特性及其在植株体内分布

2003年于福州永泰采集甜瓜枯萎病病株,病原菌经鉴定为尖孢镰刀菌(Fusariumoxysporum),在甜瓜健株、病株体内均有分布.菌量分布依次为根茎部含量最大,茎蔓中部次之,茎蔓顶部最少.不同发病级别植株体内的平均含菌量测定结果表明:发病级别为2级的植株体内的菌量最大,为10.75×104cfu/g鲜质量,其次为发病级别为3级和1级的植株,含菌量分别为8.90×104cfu/g鲜质量和8.63×104cfu/g鲜质量;健株中的含菌量最少,仅为0.08×104cfu/g鲜质量.该尖孢镰刀菌菌丝体生长的适宜温度为25±1℃,pH为7.     

抛物线性限制势量子点量子比特的振荡周期

在抛物量子点中电子与体纵光学声子强耦合的条件下，应用Pekar变分方法得出了电子的基态和第一激发态的本征能量及基态和第一激发态本征波函数．量子点中这样二能级体系可作为一个量子比特．当电子处于基态和第一激发态的叠加态时，计算出电子在空间的几率分布作周期性振荡．并且得出了振荡周期随受限长度及耦合强度的变化关系．     

石墨烯及其衍生物在小鼠体内的分布与毒性效应

石墨烯以其独特的二维结构具有的性质,吸引着世界科学家的高度关注.毫无疑问,石墨烯以及功能化石墨烯的潜在应用必然会被不断挖掘;即使是极少一部分性质被应用,也将导致其在环境中数量的急剧增长.本文介绍了石墨烯的化学性质、表征方法和应用前景;重点阐述了近几年关于石墨烯及其衍生物进入小鼠体内在各脏器中的分布和相应毒性效应的研究进展,阐明其进入环境后对环境生物可能引起的危害,为评价其生态和健康风险提供了基础信息.本文最后对石墨烯相关材料在医药应用研究需要关注的问题和未来研究方向进行了展望.     

柱形量子点qubit的振荡周期

通过精确求解能量本征方程获得柱型量子点中的电子能态,并利用电子的基态和第一激发态构造一个量子比特．对GaAs量子点的数值计算表明：量子点能量随半径或柱高的增大而减小;量子比特的振荡周期随半径或柱高的增大而增大．     

纳米材料锰掺杂量子点中的近藤效应

采用非平衡格林函数方法,探讨了量子点掺杂锰原子纳米材料的低温输运特性。结果表明,输运受到掺杂锰原子的强烈影响。具体来说,在微分电导中出现（2S＋1）个近藤劈裂峰,锰原子表现为一个多值量子化有效磁场,导致这种劈裂。     

双层垂直耦合量子点研究

用精确对角化的方法研究了处于外磁场中两层单电子垂直耦合量子点系统.发现在强耦合情况下,随着外磁场的增加,系统基态的角动量会发生跃迁;而在弱耦合的情况下,基态角动量L和自旋都不会随着外磁场的变化而改变,L=0的自旋单态始终为基态.     

量子点中对称性限制

讨论量子点中对称性限制, 揭示了其与电子构形和幻角动量间的内在联系, 即量子点的电子构形选择高度对称的几何图形; 由于几何图形的对称性限制, 只有幻角动量的态才可访问这些几何图形.      

球型量子点电子填充性质的研究

利用基于高斯基函数的限制Hartree-Fock-KRoothaan（UHFR）方法，研究球型量子点的剩余量子填充效应，量子点的三给限制势采用了有限深势阱，我们主要考虑量子点内电子相互作用，对于试探波函数中高斯基函数，采用了简化计算的两参数法，在此球型量子点中，可以得到类原子的剩余电子填充的壳层结构。     

掺杂稀土或d区元素的硫化镉量子点发光材料

本文主要介绍了掺杂稀土离子和过渡金属离子的硫化镉量子点材料的合成方法、表征以及发光机理,说明了Cds量子点发光材料的用途、优缺点和应用前景.     

磁场中量子点施主的低激发态

采用量子点的三维抛物势近似，利用Larsen给出的计算磁场中量子阱中心施主能级的方法，来计算磁场中量子点施主的低激发态，给出这些低激发态能量随外磁场的变化关系。     

InAs/GaAs量子点生长中应力分析

围绕InAs（InGaAs）/GaA叠层量子点电池的制作,本文通过文献研究和对近邻面生长实验研究认为,InAs/GaAs量子点生长形貌和特性受生长环境条件和生长条件影响。其中,客观、不可改变的外延层与衬底晶格常数、生长台面、超晶格结构等环境条件对量子点生长最为重要。这些环境条件通过生长应力,决定了量子点生长中的有序成核、生长、合并,直至出现缺陷的多晶体生长,其作用贯穿整个量子点生长过程。     

纳米硅薄膜中量子点的库仑阻塞效应

用纳米硅薄膜制成了共振隧穿量子点二极管，在77K温度下对其I－V特性进行了测量，得到了具有共振隧穿特征的实验结果。对实验结果分析表明，纳米尺寸晶粒构成的量子点具有库仑阻塞效应。     

量子点光跃迁性质的研究

针对半导体量子点中电子的光跃迁性质进行了研究 ,建立起盘形量子点模型 ,具体分析了该模型的电子结构和电子态 .讨论了光场作用下 ,量子点中电子的跃迁几率、跃迁频率、选择定则和能级结构 ,并给出了吸收系数α的解析表达式和相应的吸收曲线 .最后 ,还讨论了量子点光跃迁性质对尺寸的依赖性以及此模型的一维、二维过渡 .结果表明 ,当束缚增强 ,能级随半径变小而增高 ,能级差变大 ;而且 ,吸收峰随尺寸减小向短波方向移动 ,即发生蓝移