半导体用高利用率长寿命溅射靶材的研制

半导体制造工艺中使用的高纯金属溅射靶材的利用率直接关系到靶材自身的使用寿命和芯片制作的成本,在靶材研制中需要重点关注。以晶圆制造中广泛应用的高纯铝、铜等靶材为例,介绍了溅射靶材的发展演变,并以靶材使用前后轮廓测量为基础,研究了100~300 mm晶圆制造用靶材的利用率。结果表明,常规靶材随着尺寸增加和溅射工艺的严格控制,靶材利用率减小(30%)。制备高利用率的大尺寸长寿命靶材,需对靶材的溅射面形貌和靶材厚度等方面进行结构优化设计,经优化设计后的靶材利用率最大可达到50%以上,使用寿命亦显著延长。     

霍尼韦尔扩大用于半导体生产的靶材及相关金属材料的产能

霍尼韦尔公司电子材料部今日宣布，作为长期投资计划的一部分，公司将扩大300mm溅射靶材及相关金属材料的产能，以适应半导体行业需求的反弹。霍尼韦尔将提高靶材产量以及用于制造靶材的铜、钴、钛和钨等原材料的内部产能。此次扩大产能将有助于霍尼韦尔满足不断增长的靶材需求，     

薄膜电阻器用磁控溅射高阻靶材

在用磁控溅射技术制备金属膜电阻器的生产过程中,靶材非常关键,它制约着金属膜电阻器的精度、可靠性、稳定性和电阻温度系数等性能.根据理论分析,提出了高稳定性的高阻靶材的最佳成分比例.自行设计了熔炼模壳及冷却方法,有效解决了因Si元素的脆性而引发的靶材开裂问题.溅射的金属膜电阻器,其高温储存试验、寿命试验、耐湿试验均达到了国家有关标准.     

薄膜电阻器用磁控溅射高阻靶材

在用磁控溅射技术制备金属膜电阻器的生产过程中,靶材非常关键,它制约着金属膜电阻器的精度、可靠性、稳定性和电阻温度系数等性能.根据理论分析,提出了高稳定性的高阻靶材的最佳成分比例.自行设计了熔炼模壳及冷却方法,有效解决了因Si元素的脆性而引发的靶材开裂问题.溅射的金属膜电阻器,其高温储存试验、寿命试验、耐湿试验均达到了国家有关标准.     

中国半导体行业的现状及发展趋势

中国半导体行业走过了四十年的发展历程，现在已形成251个企业，14．5万人的产业规模，其中半导体分立器件216个企业，12万人，集成电路35个企业，2．5万人。     

集成电路互连线用高纯铜靶材及相关问题研究

随着半导体技术的发展,芯片特征尺寸缩小到深亚微米和纳米时,铜互连技术在集成电路的设计和制造中成为主流技术,从而对高纯铜靶材的要求越来越高。从靶材制造的角度利用材料学的知识对铜靶材的晶体结构、纯度、致密度、微观组织及焊接性能等方面作了分析,并且较全面地分析了可能影响靶材溅射性能的很多关键因素,从而为靶材供应商和集成电路制造商对于铜靶材的了解搭建了桥梁,为进一步开发超大尺寸的高纯铜靶材打下基础。     

2005年半导体材料市场增长放缓部分产品短缺

半导体材料市场发展正在减慢，但是该领域预计仍将保持正面增长，并在2005年取得6％的年度增长。预计2005年部分半导体材料将会出现短缺，包括200毫米硅晶圆和多晶硅材料。     

约束层材料及靶材表面特征对激光冲击波的影响

观测了不同约束层材料及不同靶材表面特征情况下产生的激光冲击波。实验发现 ,约束层对激光冲击波的脉宽有显著的展宽作用 ,且冲击波的峰压值随约束层材料的声阻抗的增大而增大。另外 ,研究了表面涂层对冲击结果的影响 ,重新认识了其作用。针对于实际应用 ,还试验了曲面靶材的冲击强化 ,讨论了约束结构的有效性问题。     

霍尼韦尔宣布拓展在亚太地区的电子材料制造

霍尼韦尔公司（Honeywell）（纽约证券交易所代码：HON）今天宣布，该公司电子材料业务部门将提升在亚太地区的制造能力，以生产300mm物理气相沉积（PVD）溅射靶材。霍尼韦尔位于韩国Jincheon的工厂将为这一关键地区客户就地提供用于半导体生产的领先技术材料。     

下一代半导体封装用材料

概述了芯基板材料,微细线路形成用积层材料,电路形成用抗蚀剂和阻焊剂等下一代半导体封装用材料。     

半导体材料的新发展

近来,半导体科学主要的发展方向是制作高完整性和大面积杂质均匀的衬底材料和超薄外廷材料,并研究它们的特殊性能。本文主要对半导体材料的发展作一简单评述。     

中国半导体专用材料市场实现高速增长

近年来，得益于国家政策的支持和半导体产业新一轮发展高峰的带动，中国半导体产业实现快速发展。在半导体行业发展的强势拉动下，半导体专用材料行业也取得了高速发展，2004年中国半导体专用材料市场规模达到了173．4亿元，与2003年相比增长了82．9％。2000—2004年间，中国半导体专用材料年复合增长率为42．6％。     

半导体材料技术动向及挑战

引言 半导体制造技术能否持续突破,材料一直扮演着重要的角色,从最早的锗(Ge),到随后普遍应用的硅(Si),近年来又衍生出更多新材料,本文将针对此方面的新材料、新趋势的发展,以及现有的技术难题等进行讨论.     

宽禁带半导体材料及器件

以Si和GaAs为代表的传统半导体材料的高速发展推动了微电子、光电子技术的迅猛发展,然而受材料性能所限,用这些材料制成的器件大都只能在200℃以下的热环境下工作,且抗辐射、耐高击穿电压性能以及发射可见光波长范围等都不能满足现代电子技术发展对高温、高频、高功率、高压以及抗辐射、能发射蓝光等提出的新要求。而以SiC、GaN、金刚石为代表的宽禁带半导体材料具有禁带宽度大、击穿电压高、     

第二代半导体材料、器件及电路的发展趋势

砷化镓(GaAs）、磷化铟(InP）、硅锗(SiGe）单晶性能优异。适用于高速、高频、高温和大功率电子器件，是制作高性能微波和毫米波器件及电路的优良材料，广泛应用于相控阵雷达，电子对抗，卫量通信、移动通信等领域，具有广阔的军民两用市场和发展前景，对发展微电子工业起着关键作用。     

八年只做一件事——访宁波江丰电子材料有限公司董事长姚力军及他的团队

日前，在第82届中国电子展上，宁波江丰电子材料有限公司董事长姚力军非常自豪地表示：我们带来了同内第一块C8．5铝溅射靶材。     

从国际半导体设备及材料西部展览会看半导体设备发展趋势与策略

半导体设备及材料国际组织(SEMI)于1992年6月16至18日在美国旧金山举办了一年一度的国际半导体设备及材料西部展览会.展览会规模很大,参展公司约1110家,展位2800个,展馆建筑面积为120万平方英尺;参展和参观人数约7万人.展出的产品涉及超大规模集成电路的设计、制造及测试等各个方面所需的设备和材料,品种齐全多样,IC设计     

石墨在半导体行业中将取代硅

碳在元素周期表中的独特位置，为CNT带来许多令人难以置信的特性。它们比钢硬，但比铝轻。它们显示出了在RAM，MEMS（微电子机械系统）、传感器和显示器方面应用的潜力。它们有望首先提高存储器然后是逻辑电路的密度、功率和可靠性。