稀磁合金的电子比热与s—d混合效应的影响

本利用Ａｎｄｅｒｓｏｎｓ－ｄ混合模型和Ｆａｌｉｃｏｖｓ－ｄ库化互作用模型，定量地研究关于稀磁合金的ｓ－ｄ混合效应和ｓ－ｄ库化互作用效应对低温电子比热及有效热质量的影响。     

s-f交换作用和电子交换作用对s电子比热容的影响

根据s-d交换作用模型，考虑了s-f交换效应对稀土金属电子-声子耦合的影响，具体讨论了s电子的比热容．计算结果表明，s电子的比热容可以写为如下的形式：γ＝γ₀＋γ_ep＋γ_ex＋γ_s-f. 关键词：     

s—d系统的统一模型与稀磁合金低温杂质电阻的特性

本文基于ｓｄ混合效应与ｓｄ交换效应（包括ＲＫＫＹ关联效应）的统一模型，利用格林函数方法，研究了稀磁合金低温杂质电阻的特性，合理地解释了ｓｄ系统中，ｓｄ混合模型、ｓｄ交换模型及ＲＫＫＹ关联模型各单一的物理效应     

s＋d混合波对称性下计入库仑作用和Van Hove奇异性的超导转变…

本文在ｓ＋ｄ混合波对称性下研究了Ｖａｎ Ｈｏｖｅ奇异性、准粒子配对相互作用各向异性并再计入库仑排斥势对超导转变温度（Ｔｃ）和同位素效应的联合效应。结果表明，Ｖａｎ Ｈｏｖｅ奇异性和各向异性都能显著地增高Ｔｃ，库仑作用则降低Ｔｃ。库仑作用和Ｖａｎ Ｈｏｖｅ奇异性都能减小同位素效应指数（α），各向异性和ｄ波成分则增大α。计入库仑作用后α就随ＣｕＯ２面内各向异性参量增大而增大。由此可以推测，如果实验上肯     

传导电子与声子的相互作用对局域磁矩的影响

本文在Anderson提出的s-d混合模型中,考虑了传导电子与声子的相互作用(简写成EPI)和传导电子与d电子之间的库仑相互作用。主要讨论了EPI对局域磁矩的存在和大小的影响。     

S-D系统的统一模型与稀磁合金的热导率和热电势

本文采用Anderson s-d混合模型和s-d交换模型,讨论了磁性杂质溶入金属后,对稀磁合金热导率和热电势的影响,并对Cd-Mn合金进行了定量的讨论。     

在Van Hove奇点模型下计入库仑作用的高温超导电性

本文在Ｖａｎ Ｈｏｖｅ奇点模型下系统地研究了库仑作用对高温超导电性的影响，对超导转变温度Ｔｃ、绝对零度下能隙Δ（０）、同位素效应指数α和Ｔｃ处的比热跃变ΔＣ（Ｔｃ）作了解析和数值计算。结果表明，在Ｖａｎ Ｈｏｖｅ奇点模型下考虑库仑作用后，我们仍能得到高的Ｔｃ，并且能较好地解释同位素效应指数很小的实验结果。同时还表明在Ｖａｎ Ｈｏｖｅ奇点模型下考虑载流子局域性和巡游性的竞争对于解释高温超导体的实验结     

第三讲 半导体的激子效应及其在光电子器件中的应用

人们对半导体中的电子空穴对在库仑互作用下形成的激子态及其有关的物理性质进行了深入研究．激子效应对半导体中的光吸收、发光、激射和光学非线性作用等物理过程具有重要影响，并在半导体光电子器件的研究和开发中得到了重要的应用．与半导体体材料相比，在量子化的低维电子结构中，激子的束缚能要大得多，激子效应增强，而且在较高温度或在电场作用下更稳定．这对制作利用激子效应的光电子器件非常有利．近年来量子阱、量子点等低维结构研究获得飞速的进展，已大大促进了激子效应在新型半导体光源和半导体非线性光电子器件领域的应用．     

纳米晶体ZnS∶Mn~(2 )发光寿命异常减缩机理的探讨

纳米晶体ＺｎＳ∶Ｍｎ２＋中Ｍｎ２＋粒子４Ｔ１→６Ａ１的发光寿命比晶体减缩了５个量级，这颇令人费解，因为通常解除自旋禁戒的磁作用远无如此强的效应．假定基质态的自旋不为零，且考虑了Ｍｎ２＋的ｄ电子和基质之间的交换库仑作用．若基质存在比Ｍｎ２＋的４Ｔ１激发态能量略高的某种激发态，则这种交换库仑作用将导致这两种激发态之间的混合，从而可解除发光能级弛豫中的自旋禁戒．这种混合随基质颗粒尺寸的减小而加强．我们并对此机制进行粗略的数值估计，给出了和实验相容的结果．     

原子核内的夸克效应

这篇评述文章说明了下面四个问题:(i)任何色单态夸克反夸克系统的隐色道一定可以用通常的强子道表示出来,因此任何与隐色道有关的物理总可以用通常的强子自由度来解释;(ii)夸克胶子交换和矢量介子交换产生的重子重子自旋轨道耦合力非常相似,因此不能指望用超核的自旋轨道劈裂来区别夸克胶子交换模型和矢量介子交换模型;(iii)对于破坏电荷独立及电荷对称的重子互作用,电磁作用和夸克质量差同样重要,任何电荷相关互作用的计算必须同时考虑电磁作用和夸克质量差;(iV)和QED中的电子脱局域效应相似,我们猜测对QCD可能有夸克脱囚禁效应并且研究了此效应在双重子系统中的表现。     

主动式磁回热制冷机的磁力及磁功分析

在主动式磁回热制冷机中,由于温跨变化、磁场分布不对称、磁回热器和永磁体气隙长度不一致、磁回热器间相位的影响,采用热力学方法来计算磁功耗会产生较大的误差.本文依据经典分子场理论,建立了通过计算磁力来估算磁功耗的方法,采用该方法可以对磁回热器和永磁体气隙长度比(δ),以及磁回热器之间相位差进行分析和优化设计.分析结果表明,磁回热器温跨的增大会使磁力峰值和消耗磁功率增大,当δ在0到1的范围变化时,磁力峰值和磁功率均存在极大值;当右侧回热器相位超前左侧回热器π时,消耗的磁功率最小,且随着温跨的增加,对应最小磁功率的相位差增大.     

磁偶极子的远场

以载流圆环为例,用毕奥-萨伐尔定律推导出磁偶极子一类模型——电流环模型的远场.     

非晶态磁性合金的磁阻和磁击穿现象

在室温下磁场在0—15kOe范围内测量了非晶态磁性合金(Fe_1-xCo_x)₈₂Cu_0.4Si_4.4B_13.2的横向磁阻△ρ/ρ。发现在高磁场下,磁阻与磁场强度有三种函数关系:(1)磁阻趋于饱和;(2)磁阻随磁场平方正比地增加;(3)对x=0.15的合金,在特殊的电流、磁场方向和确定的磁场强度下,有磁阻尖峰出现。情况(3)是一种磁击穿现象。磁击穿发生在自旋向上和向下的两片Fer 关键词：     

磁镜原理及其在磁约束中的应用

在普通物理教学中对磁镜原理及应用给予定性的阐述及介绍的基础上,对磁镜原理给出了定量的分析说明,并对其前沿应用进行了介绍.     

纳米软磁合金的双相无规磁各向异性模型

按照Ａｌｂｅｎ非晶无规磁各向异性的处理方法，考虑纳米软磁合金的双相组织结构的特点，提出了双相无规磁各向异性模型，得到了纳米软磁合金的有效磁各向异性与显微结构参数及铁磁相磁特性参数间的关系，探讨了磁性与有效磁各向异性的关系．用Ｆｅ_７３.５Ｃｕ_１.０Ｎｂ_３.０Ｓｉ_１３.５Ｂ_９.０纳米软磁合金的Ｘ射线衍射结构分析及磁测量结果进行了分析及验证，为上述研究提供了有力的支持 关键词：     

镍在交变磁场中的一个磁内耗峰

在铁磁性物质中,弹性现象与磁性现象之间的耦合每每引起内耗。过去作磁弹性内耗研究所用的磁场大都是静磁场。我们令镍试样在交变磁场中作扭转振动,测量内耗。把内耗表示为磁场强度的函数时,得到一个显著的内耗峰。这个内耗峰在静磁场下不出现。把镍试样经过冷加工处理或在试样中加碳,都足以把内耗峰的位置移向高磁场强度的一边,而保温退火则把内耗峰移向低磁场强度的一边。此外,这个内耗峰的高度由于所用扭转频率的增加而显著地增加。根据镍的磁化曲线上各部分所相当的可逆及不可逆过程,可以定性地解释上述内耗峰的来源及其所受各种因素的影响。     

半金属磁性材料

半金属材料的一个重要特征为具有高达100%的传导电子自旋极化率。半金属磁性材料是一种具有极大的应用潜能的自旋电子学材料。本文从半金属性的来源、材料的晶体结构、半金属的电子态和电磁特性等不同角度对半金属材料进行了系统分类。对现已发现的几种半金属材料的基本性质和原子结构特征进行了综述。分别对5种传导电子自旋极化率的测量方法进行了分析和讨论。     

稀磁半导体的研究进展

本文主要介绍了III-V族稀磁半导体(Ga,Mn)As的研究进展,包括(Ga,Mn)As的生长制备、基本磁性质、磁输运特征、磁光性质、磁性起源、相关的异质结构和自旋注入等,同时还简单介绍了其它稀磁半导体如IV族、III-VI族和IV-VI族等稀磁半导体的研究进展,在文章的最后描述了理想的稀磁半导体应该具备的特征以及对未来的展望。     

氢对几种非晶态合金磁性的影响

本文研究了电解充氢对3种不同成分的非晶态合金磁性的影响。实验结果表明,充氢后试样变得很脆,软磁特性显著变劣,但饱和磁化强度σ₃和平均超精细场H_f显著提高。将试样在室温下放置,随着氢气的外逸,磁性、韧性以及H_f可得到逐步恢复。 关键词：     

Fe-Cu-Nb-Si-B纳米晶体软磁材料中有效磁各向异性的测定

研究了成分为Fe_73.5Cu₁Nb₃Si_13.5B₉的纳米晶体结构的软磁材料的磁各向异性。理论分析及测量结果说明,用趋近饱和的磁化过程可以测定出这种材料中的有效磁各向异性常数,它比晶粒中的磁晶各向异性常数K₁约小一个数量级。 关键词：