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研究了Co:KNSBN晶体和重还原Co:KNSBN晶体中光致吸收的变化特性。Co:KNSBN晶体的吸收系数随泵浦光强的增加而减小,吸收系数变化的最大值为3.2cm^-1,重还原Co:KNSBN的吸收系数随泵浦光强的增加而增加,吸收系数变化的最大值为6.5cm^-1,在泵浦光关掉后,探测光频率很高的增幅振荡,然后呈现阻尼振荡,采用最近建立的双载流子(电子,空穴)和多重陷阱能级(两个深陷阱能级,两个浅 相似文献
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掺杂KNSBN晶体中的电子—空穴竞争 总被引:1,自引:1,他引:0
通过测量掺杂KNSBN晶体光折变光栅记录和擦除动态特性,首次分析了掺杂KNSBN晶体中的电子-空穴竞争,根据耦合波理论,指出,响应时间越快的晶体,电子-空穴竞争越激烈,因而导致净调制折射率越小,衍射效率赵低,最后,分析了空穴产生的原因,并估算有效载流子浓度为10^15/cm^3量级。 相似文献
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提出了外加电场减小散射光的方案。根据库赫塔列夫(Kukhtarev)方程,对外加电场减小散射光的机理进行了理论性的探讨。 相似文献
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采用非同时读出条件下晶体两波耦合实验装置,以单束光入射Ce:KNSBN光折变晶体,通过改变抽运光偏振方向和品体c轴的夹角φ.系统记录了不同φ角下的抽运光透射光强I',随时间的变化情况.实验结果表明,当φ≤30°时,基本没有光扇效应;实验研究了正交偏振光写入下Ce:KNSBN晶体的两波耦合动态过程,并与e光写入下两波耦合动态过程进行了比较,发现正交偏振光写入时光扇噪声得到了明显抑制,在相同的写入参量条件下光栅的衍射效率明显提高. 相似文献
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本文给出了关于光折变晶体各向异性衍射的二波耦合方程,还给出了三种分别掺Cu,Ce,Co的钨青铜结构系列单晶(厚度为0.6—0.8cm)钾钠铌酸锶钡(KNSBN)在He-Ne激光(λ=6328?)照射下产生的光致光栅衍射实验结果。根据二波耦合理论,解释了这三种光析变晶体的衍射图样分布。根据波矢图的分析得出结论:对于不同性(正或负)单轴晶体,只能存在一种各向异性衍射的圆环图样(e→o衍射或o→e衍射)。理论分析与实验基本符合。
关键词: 相似文献
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介绍了近年来有关外电场对高分子中极化子激子影响的研究工作。它们包括:研究方法,外电场注入的或光激发引起的电子和穴穴会在高分子中形成极化子激子,弱或中等强度电场使极化子激子极化,强电场解离极化子激子,发现高分子中极化子双激子具有反向极化新性质,探讨反向极化这个新的物理现象的物理起因、意义及可能的应用。 相似文献
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The threshold potentials for different types of electric Freedericksz transitions are calculated from the free energy density expression for nematics in an external electric field derived by the present authors. It is found that the experimentally determined elastic constants should be replaced by the effective elastic constants. With the effective elastic constants some of the discrepancies between earlier theoretical calculations and experimental data can be expl ained qualitatively. 相似文献
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根据适用于光折变聚合物系统的空间电荷场形成的动力学微分方程,将陷阱情况分为四类,分别讨论了光折变聚合物中光生载流子的量子产生效率及其迁移率对空间电荷场的稳态和动态特性的影响.结果发现空间电荷场的稳态特性相对于光生载流子的量子产生效率的变化比较敏感,而空间电荷场的动态特性则易受到载流子的迁移变化的影响. 相似文献
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采用分子动力学模拟的方法研究了过冷水的结构和形核过程随电场强度变化的情况。对系统微观结构的分析显示在电场强度为0~10~(10)V/m范围内,处于200K的过冷水在5 ns时间内不足以发生形核,只有当电场强度增加到10~(11) V/m或者温度降低到100K时系统才能在5 ns内发生形核。模拟结果表明电场强度的改变对系统中水分子团簇的微观结构有明显影响,电场强度的增加能促进系统的短程有序性。 相似文献
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对多种掺杂的铌酸钾钠锶钡(KNSBN)单晶样品进行了二波耦合测量,着重研究了二波耦合中各样品的增益系数Γ与两光束入射夹角2θ的关系,以及Γ与光强I的关系。用光折变理论公式拟合Γ-2θ关系的实验结果,求得不同样品的有效光折变电荷密度、有效电光系数和电子-空穴对抗率等参数值。采用一种模型,推导出测定与光强有关的增益系数的解析表达式,并应用于Γ-I关系的实验结果分析。测量结果显示,一些掺杂的KNSBN晶体具有很大的Γ值(>15cm-1)。 相似文献
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通过对真空蒸发沉积制备的BaO半导体薄膜在外加垂直表面电场作用下光吸收特性的测试, 实验上观察到BaO薄膜在近紫外波段的光吸收随电场强度的增加而明显增强.理论分析表明, BaO半导体薄膜在外加垂直表面电场作用下发生能带倾斜,价带电子隧穿带间位垒而在带隙 中出现的概率增加,近紫外波段光吸收增强是光子协助隧道穿越的结果.不同能量光子激发 下电场作用引起的BaO薄膜光吸收增强现象是夫兰茨-凯尔迪什(Franz-Keldysh)效应和斯塔 克(Stark)效应在金属氧化物半导体材料上的体现.
关键词:
金属氧化物半导体薄膜
光子协助隧道效应
电致吸收
夫兰茨-凯尔迪什效应 相似文献