形成半导体量子线结构的质子注入方法研究

用20keV的质子(H~+)注入到Al_(0.3)Ga_(0.7)As/GaAs/Al_(0.3)Ga_(0.7)As单量子阱,经快速退火,促使势垒上的Al向量子阱内扩散,尝试制备了线宽从0.5μm到0.1μm的量子线结构.由低温(14K)下阴极射线发光谱测量,观察到量子线中发光谱峰的蓝移,并通过与理论计算比较,讨论注入区内外Al的内扩散及掩膜区边缘横向离散的影响. 关键词：     

聚焦Ga~ 离子束注入方法研制半导体量子线结构

采用聚焦Ga~ 离子束注入方法,在GaAs/Al_(0.3)Ga_(0.7)As多量子阱材料上尝试制备半导体量子线。通过低温光致发光谱,测量了量子线的光电特性,并观察了由于沟道效应导致的深层量子阱的光谱蓝移。     

聚焦离子束研制半导体材料光子晶体

介绍了利用聚焦离子束设备在多种半导体材料上成功研制的近红外波段二维光子晶体，给出了相关微加工结果，发现微加工的尺寸和理论设计尺寸相吻合；测试了所加工的无源光子晶体光子带隙和有源光子晶体的发光谱. 实验证明聚焦离子束可以研制二维光子晶体及相关光子晶体器件. 关键词： 聚焦离子束 半导体材料 光子晶体     

电子在圆柱形半导体量子线中的行为研究

用计算一维势阱波函数的方法简化了圆柱形量子线波函数的计算, 得出了量子线中电子的能态、 能级图和波函数。 在确定温度条件下, 讨论了量子线的线宽与它的光谱蓝移、 能级分离或兼并以及电子能态的关系。The wave function of column quantum wires has been calculated with the means of calculation for the quantum wave function in one dimensional potential well. The energy state, energy level diagram and wave function of column quantum wire have gained. Under assured temperature, the relations of column quantum wire diameter to its spectrum blue shift, separation or annexation of energy level, and electrons energy state have been discussed.     

半导体中的自旋弛豫——从体材料到量子阱、量子线、量子点

本文对半导体中的自旋弛豫过程给出一个简要的回顾,介绍了半导体材料从体材料到量子阱、量子线、量子点不同维数的结构中各种自旋弛豫过程,主要关注了自旋去相位和相干控制。对于不同材料中的各种弛豫机制,关注的重点在于如何能够在实验上以一种可以控制的方式来改变可调参数从而达到控制自旋弛豫过程。这些参数主要有电场、磁场、温度、应变、有效g因子等等。本文的组织上,首先介绍研究前景,第1部分简要介绍了自旋弛豫的四种机制。第2部分按照维数的不同将半导体中自旋弛豫分为3个部分:体材料、量子阱、量子线、量子点,在每一部分中又基本上按照电子、空穴、激子的顺序进行了简要的总结:对于不同的载流子,考虑了自旋弛豫对可调参数的依赖关系。这些结果要么试图解释了已有的实验结果,要么从理论上给出预言从而给实验指明了方向,为室温下可以使用的自旋电子学器件设计提供了依据,为固态量子计算和量子信息处理铺平了道路。最后简单地给出展望。     

半导体中的自旋弛豫--从体材料到量子阱、量子线、量子点

本文对半导体中的自旋弛豫过程给出一个简要的回顾,介绍了半导体材料从体材料到量子阱、量子线、量子点不同维数的结构中各种自旋弛豫过程,主要关注了自旋去相位和相干控制。对于不同材料中的各种弛豫机制,关注的重点在于如何能够在实验上以一种可以控制的方式来改变可调参数从而达到控制自旋弛豫过程。这些参数主要有电场、磁场、温度、应变、有效g因子等等。本文的组织上,首先介绍研究前景,第1部分简要介绍了自旋弛豫的四种机制。第2部分按照维数的不同将半导体中自旋弛豫分为3个部分:体材料、量子阱、量子线、量子点,在每一部分中又基本上按照电子、空穴、激子的顺序进行了简要的总结:对于不同的载流子,考虑了自旋弛豫对可调参数的依赖关系。这些结果要么试图解释了已有的实验结果,要么从理论上给出预言从而给实验指明了方向,为室温下可以使用的自旋电子学器件设计提供了依据,为固态量子计算和量子信息处理铺平了道路。最后简单地给出展望。     

InGaAs/GaAs应变脊形量子线分子束外延非平面生长研究

提出了新型InGaAs/GaAs应变脊形量子线结构．这种应变脊形量子线结合了非平面应变外延层中沿不同晶向能带带隙的变化、非平面生长应变层In组分的变化，以及非平面外延层厚度的变化等三方面共同形成的横向量子限制效应的综合作用．在非平面GaAs衬底上用分子束外延生长了侧面取向为（113）的脊形AlAs/In GaAs/AlAs应变量子线．用10K光致荧光谱测试了其发光性质．用Kronig-Penney模型近似计算了这种应变脊形结构所具有的横向量子限制效应，发现其光致荧光谱峰位的测试结果，与计算结果相比，有10meV的“蓝移”．认为这一跃迁能量的“蓝移”是上述三方面横向量子限制效应综合作用的结果 关键词：     

142—146,148,150Nd+同位素位移的共线快离子束激光光谱学实验研究

原子光谱中,同位素位移是少数几个能够将原子物理学和原子核物理学这两个不同的物理学分支联系起来的课题之一.本文利用共线快离子束激光光谱学方法,测量了正一价钕离子所有7个稳定同位素(A=142—146,148,150)之间的能量位移.与已有的结果比较,测量精度提高了一个数量级 关键词： 同位素位移 快离子束激光光谱学     

Tb3+、Yb3+共掺BaGd2ZnO5荧光粉的制备及其近红外量子剪裁研究

采用高温固相法合成了Tb3+、Yb3+共掺杂的BaGd2ZnO5荧光粉。XRD测量数据表明合成的样品为纯相。在Tb3+特征激发(297 nm)下得到了Yb3+的特征发射(977 nm),并且对Tb3+与Yb3+能级图进行分析,证明Tb3+到Yb3+为合作能量传递。测量了不同Yb3+浓度下Tb3+的5D4能级(544 nm)的发光寿命曲线,计算得到Tb3+与Yb3+的能量传递效率和量子效率,最高量子效率为125.5%。Yb3+的发射与硅太阳能电池的吸收匹配,该材料有可能应用于硅太阳能电池以提高其转换效率。     

能谷间相互作用对量子阱Ge0.3Si0.7/Si/Ge0.3Si0.7的电子能带结构的影响

采用建立在经验赝势理论基础上的推广k·p方法及电流密度算符技术，计算了生长在Ge_0.3Si_0.7（001）衬底上的量子阱Ge_0.3Si_0.7/Si/Ge_0.3Si_0.7的导带电子束缚能级．详细地研究了因能谷间相互作用而引起的能级分裂情况，同时也讨论了电子束缚能级在阱平面方向上的色散关系 关键词：     

量子阱半导体激光器的光束质量

本文给出了一种非截取地收集非傍轴激光束,并把它变换成傍轴光束的方法,将之运用到量子阱半导体激光器的实验中发现了一些重要的现象.经过测量和计算得到它垂直于结方向的等效光束质量原子M_y²明显小于1,根据该结果对半导体激光器的设计和使用提出了建议.     

Si离子注入对分子束外延Si1-xGex/Si量子阱发光特性的影响

对分子束外延生长带边激子发光的Si_1-xGe_x/Si量子阱结构，通过Si离子自注入和不同温度退火，观测到深能级发光带和带边激子发光的转变.Si离子注入量子阱中并在600℃的低温退火，形成链状或小板式的团簇缺陷，它导致深能级发光带的形成，在850℃的高温退火后重新观测到带边激子发光.这种团簇缺陷的热离化能约为0.1eV，比Si中空穴或填隙原子缺陷的热激活能(约0.05eV)高.这表明早期文献中报道的深能级发光带是由类似的团簇缺陷产生的. 关键词：     

半导体激光器的M2因子可以小于1

根据Porras的非傍轴矢量矩理论,对双异质结半导体激光器的光束质量进行了研究.结果表明,在有源层厚度d_a远小于波长λ的条件下,半导体激光器的M²因子可以小于1,并且没有下限.     

硼注入砷化镓的电子阻止本领

由文献上R_p的实验数据,用相对校正法和我们编制的LSS方程数值求解程序,算得B⁺→GaAs的电子阻止本领为NS_e(E)=12.4E^0.605,以及B⁺→GaAs的射程统计参数R_p,△R_p和R⊥。 关键词：     

等离子体噻吩聚合膜的研究及I+注入的掺杂效应

以噻吩为单体,在等离子体环境中聚合成致密的有机膜。利用Rutherford背散射(RB2S)和质子弹性反冲(ERD)、傅里叶红外谱(FTIR)测定了膜的成分和结构;从近红外-可见-紫外光的反射和透射谱,运用传递矩阵方法研究了膜的光学性质;此外,还探讨了24keV的I⁺离子束的注入对等离子体噻吩聚合膜的掺杂效应。结果表明,注入层内电荷载流子的输运机理可用Mott的可变自由程跳跃(VRH)理论给以解释。 关键词：     

RESONANCE CONTRIBUTION TO 1s-2s ELECTRON-IMPACT EXCITATION OF He+ ION

In the frame of quantum defect theory, the resonance excitation cross sections of 1s-2s electron-impact excitation of He⁺ ion are calculated by a simple relativistic configuration interaction method. The present theoretical results are in agreement with the previous experimental measurements .     

氢、氘和氚离子在固体表面上的反射

本文应用最近发展的离子输运双群模型计算了氢,氘和氚离子在固体表面的反射系数。与有关的实验资料和Monte-Carlo计算比较表明,双群模型所取得的结果是合理的、可用的。同时也表明了双群模型有可能成为研究离子在固体表面反射的有效的理论方法。 关键词：     

共溅射和离子注入制备的SiO2(Eu)薄膜中Eu3+到Eu2+的转变

采用共溅射方法和Eu离子注入热生长的SiO₂方法得到SiO₂(Eu)薄膜,Eu离子的浓度为4%和0.5%.对样品X射线吸收近边结构(XANES)的研究和分析表明,在高温氮气中发生了Eu³⁺向Eu²⁺的转变.SiO₂(Eu)薄膜高温氮气退火下蓝光的发射证明了这一结论 关键词： 2(Eu)薄膜')" href="#">SiO₂(Eu)薄膜 XANES     

HT-6M托卡马克C6+离子的径向分布

利用光学多道分析仪测量了HT-6M托卡马克CⅥ（207.1nm）谱线线形分布．结果表明CⅥ谱线来源于电荷交换复合辐射．根据对CⅥ谱线时间行为的测量，进一步证明了这一结果，并推算出完全剥离C⁶⁺离子的径向分布． 关键词：     

C20富勒烯的Ar+离子辐照合成

Ar⁺离子辐照聚乙烯靶表面在室温情况下合成的C₂₀,已采用高分辨率透射电子显微镜/电子衍射装置、飞行时间质谱、红外和拉曼谱仪进行了研究.结果认为,辐照诱发的微晶体由笼式C₂₀组成. 关键词：