钨青铜型结构铁电体的低温扩散相转变

对六种钨青铜结构的铌酸盐铁电晶体进行了从15 K 到室温范围的介电特性及热电特性的研究. 分析其介电特性和热电特性与极化电场的关系, 用x 射线粉末衍射进行佐证. 证实在50 一70 K 的范围内, SBN , PBN , KNSBN 三类铁电钨青铜铌酸盐晶体均存在着一个新的相变. 相变是由点群4mm铁电相到点群mm2 铁电相的转变. 铁电自发极化方向由四方晶胞的c轴方向转变到正交晶胞的b 轴方向.介电特性的高频及低频测量表明该相变具有扩散(或称弥散)型特征. 比热的实验结果证明相变是属于高于一阶相变的高阶相变. 对相变前后的晶胞结构提出了一个模型解释. 关键词：     

光折变材料Cu;KNSBN的晶格振动和d—d电子跃迁

比较了铜掺杂钾钠铌酸锶钡和钾钠铌酸锶钡两样品的晶格振动和ｄ－ｄ电子跃迁谱，对于拉曼谱，Ａ１（ｚ）对称类的差别较小，Ｅ（ｘｙ）对称类的差别最大；对于红外反射谱，两对称类的均差别较大，认为Ｃｕ＾２＋部分填充了晶格Ａ位和Ｃ位，可见光范围内，ｄ－ｄ电子跃迁谱表明Ｃｕ＾２＋在晶体中形成两个深能级２．５ｅＶ和２．６４ｅＶ。     

插层化合物钨青铜单晶的物理研究

本工作利用X射线衍射分析、电导测量、红外、喇曼散射等手段,对用熔盐电解法生长的K_xWO₃,Na_yWO₃和K_xNa_yWO₃单晶进行了深入的研究,得出K_xNa_yWO₃是钠离子插入到K_xWO₃的结论,提出了K_xNa_{y关键词：}     

插层化合物钨青铜单晶的生长

本工作对插层化合物钨青铜单晶生长过程中的一些现象进行了仔细的观察.对电流、温度、时间对单晶生长的影响进行了摸索,找到了单晶生长的最佳条件.利用熔盐电解法成功地生长出K_xWO₃,Na_yWO₃和K_xNa_yWO₃. 关键词：     

光折变材料Cu∶KNSBN的晶格振动和d－d电子跃迁

比较了铜掺杂钾钠铌酸锶钡（Ｃｕ∶ＫＮＳＢＮ）和钾钠铌酸锶钡（ＫＮＳＢＮ）两样品的晶格振动和ｄ－ｄ电子跃迁谱，对于拉曼（Ｒａｍａｎ）谱，Ａ１（ｚ）对称类的差别较小，Ｅ（ｘｙ）对称类的差别最大；对于红外反射谱，两对称类的均差别较大，认为Ｃｕ２＋部分填充了晶格Ａ位和Ｃ位，可见光范围内，ｄ－ｄ电子跃迁谱表明Ｃｕ２＋在晶体中形成两个深能级２．５０ｅＶ和２．６４ｅＶ。     

钾钨青铜K_xWO_3的晶体结构和电输运特性研究

以K2WO4、WO3和W粉为原料,用混合微波方法制备了钾钨青铜KxWO3样品.随着名义钾含量x的增加,KxWO3样品的晶体结构由六方(0.20≤x≤0.33)转变为四方(0.50≤x≤0.60).四方相样品均显示金属型导电特性.在六方相样品K0.2WO3中观测到了明显的电荷密度波(CDW)转变,转变温度为265K,其余六方相样品则为半导体型导电特性.在x=0.20不变的条件下,以Ca部分替代K制备了(K1-2 yCay)0.2WO3(名义钙含量y=0.1,0.2,0.3)样品,其主相仍为六方相.当0y≤0.2时,六方相的晶胞参数a和c随y的增加而增大.从电阻率-温度曲线上可以看出,名义钙含量的变化会影响样品中的CDW转变.     

高含硼金刚石的一阶Raman谱特性分析

对B4C为碳源、分别以FeNiCo与NiMnCo合金为触媒,高温高压下合成出的高含硼金刚石(B含量大于1wt%),进行了拉曼谱测试。实验表明:这类金刚石的室温一阶拉曼谱线位移分别为1324cm-1与1320cm-1,半峰宽(FWHM)分别为22cm-1及28cm-1。对比不同含硼量金刚石的拉曼谱发现,随着硼含量增加,拉曼位移的红移量增加,线宽加宽,峰值下降。这与硼杂质原子进入金刚石,造成晶格畸变与缺陷有关     

激光Raman散射光谱法对PWO晶体结构的判定

从PbO和WO₃混合粉末的高温熔体中生长的钨酸铅(PbWO₄)晶体有两种相似的结构见诸文献,然而采用通常的粉末XRD法判定结构有一定困难.为此,本文在对两种结构的振动模式进行了群论分析的基础上,采用激光散射法测定不同几何配置下的Raman谱,判定了从化学计量熔体中生长的钨酸铅晶体的结构为白钨矿结构． 关键词：     

应用积算符理论研究弱耦合双自旋体系的Raman磁共振谱

从积算符理论和实验上详细地研究了弱耦合双自旋体系（CHCl₃的C-H双自旋体系）的Raman磁共振谱．对不同射频场强度及频偏的Raman谱进行了细致的理论和实验研究，表明积算符理论的计算与实验不仅在弱射频场而且在强射频场时都符合得相当好，克服了微扰论的局限，这为进一步研究复杂自旋体系的Raman谱提供了强有力的理论方法．研究还表明，小的射频频偏将有利于多量子跃迁信号的观测，而适当的射频场强则会提高多量子峰的强度 关键词：     

单轴晶体喇曼光谱的x轴和y轴的非等效性

本文表明,单轴晶体的喇曼光谱,对于非极性模和A(z)(或B(z))模,在各种几何配置下,x轴和y轴都是等效的。极性模E(x)和E(y),对于四角和六角晶系,x轴和y轴大部分是等效的;而对于三角晶系,只有少部分是等效的。 关键词：     

分子晶体的高压Raman光谱及结构相变

 本文综合我们从NH₃F（氟化胺）、HCCl₃（氯仿）、HCBr₃（溴仿）、S₈（硫）和C₃N₆H₆（三聚氰胺）等分子晶体获得的高压Raman光谱数据，讨论了分子晶体Raman光谱的谱带强度，频率位移，晶场劈裂和Grüneisen常数等对压力的依赖关系。总结了分子晶体压致结构相变的光谱证据和高压新相结构确定的几种方法。     

钽酸锂铁电相变的喇曼光谱研究

本文测定了钽酸锂晶体从室温到居里温度以上(20—800℃)的喇曼光谱。没有观察到软模现象。我们发现在居里点附近,铁电相和顺电相的喇曼光谱十分一致,经过居里点喇曼光谱不发生变化。根据这个新的实验结果和文献上关于用中子衍射测定的晶体结构资料,我们做出了钽酸锂的铁电相变为有序无序型的推论。 关键词：     

ZY前驱体的拉曼和红外光谱研究

测试和分析了多种ＺＹ（ＺｒＯ２＋２．２５ｍｏｌ％Ｙ２Ｏ３）前驱体的拉曼和红外光谱发现采用湿化学法制ＺＹ超细粉体的过程中，氢键缔合是前驱体产生团聚的主要原因，空间阻效应是聚乙二醇控制团聚生成的主要机理，同时分析了前驱体的在水洗，加热等后处理工艺中聚乙二醇的控制团聚作用。     

旋光性单轴晶体的喇曼光谱中TO和LO模的识别

本文提出一种简便识别旋光性单轴晶体喇曼光谱中横模和纵模的方法。应用90°散射几何配置x(z+Δy,xz)y,散射光的偏振方向与x轴成δ夹角。应用Loudon给出的单轴晶体极性声子的喇曼散射效率公式,计算TO和LO模的散射效率,它们依赖于喇曼张量元和δ角,其极大值分别位于δ_max^TO和δ_max^LO处,这两个角度的符号正好相反。因此,由判定δ_max的符号,可以将TO和LO模区分开来,并且从|δ_max|值可以了解喇曼张量的各向异性。 关键词：     

非线性光学晶体的高压拉曼散射研究

 报道了高压下非线性光学晶体KNbO₃（KN）,KIO₃（KI）和KTiOAsO₄（KTA）的Raman散射研究结果,压力引起的Raman光谱非常丰富,在所有的样品中都观察到了压致相变。另外,在KN晶体中发现了非常强的压致振动耦合现象及高压非晶相。对于KTA,建立了Raman光谱变化与其倍频效率随压力提高之间的可能联系。在22 GPa以上,KI晶体的基本组成集团可能由IO₃变为IO₆。     

LiNbO3:MgO晶体的喇曼光谱研究

首次获得了LiNbO₃:MgO晶体的喇曼光谱。与纯LiNbO₃晶体的喇曼光谱相比较,A₁(TO)模和E(TO)模的谱线数目、频率和相对强度均基本不变,线宽略有增加。这说明,LiNbO₃晶体较强的A₁(TO)和E(TO)振动模的喇曼光谱主要是由氧八面体(NbO₆)特征基团所贡献的。 关键词：     

ZYA系统的拉曼光谱研究

测试了６０ｗｔ％ＺｒＯ２（２．２５ｍｏｌ％Ｙ２Ｏ３）－４０ｗｔ％αＡｌ２Ｏ３（ＺＹＡ）粉末样品受高压前后的拉曼光谱，并由此证明了四方相ＺｒＯ２陶瓷基质的相变增韧机制。     

BaTiO3和Ce:BaTiO3晶体极性声子和电磁激元的喇曼散射研究

从声子-电磁激元频率色散关系的普遍公式出发,推导出了单轴晶体的Merten方程和电磁激元的频率色散关系。测量了BaTiO₃和Ce:BaTiO₃晶体的简正模和斜声子的喇曼散射谱,并根据Merten方程,拟合出了斜声子的方向色散曲线;记录了A₁类电磁激元在不同波矢值下的喇曼谱,观察到其频率色散现象.根据以上结果,对A₁(TO)模喇曼谱中两个宽的非对称峰的归属和BaTiO₃晶体的结构相变机制进行了讨论;计算出了这两种晶体的受夹介电常数;分析了掺Ce对BaTiO₃晶体结构的影响。 关键词：     

P3121(D34)空间群晶体的Raman谱研究(Ⅱ)——α石英晶体的Raman谱

依据P3₁21(D₃⁴)空间群的对称性,认为α石英晶体的元胞包含6个SiO₂分子,某元胞常数应为c=1.0788nm,α=0.4904nm。同时,用实验证实了这个观点。 关键词：