ZnS/ZnSe周期性迭层介质中光的反射特性分析

基于光在多层介质中的传输理论,对ZnS/ZnSe周期迭层介质结构中光的反射特性作了分析和计算,由得到的Bragg反射率与光波长的关系曲线,发现当ZnS/ZnSe的折射率改变时,其Bragg反射率曲线将发生平移,平移的方向与Δn为“正”或“负”有关.据此,提出了利用ZnS/ZnSe的光学非线性特性,可能研制出光控“开关”或“光逻辑门”,用于光计算和光互连.     

基于不同灌溉条件下冠层光谱与参数的关系反演冬小麦冠层含水量

为监测冬小麦冠层含水量,根据TM5的波段响应函数,将不同灌溉条件下地面实测的冬小麦冠层窄波段光谱数据转化为TM5的宽波段反射率,计算了水分指数(NDWI和WI);同时,利用地面实测数据计算了冠层含水量(FMC和EWTc),并对水分指数和冠层含水量进行回归分析。结果表明,TM5的b7比b5波段在反演冬小麦冠层水分含量方面优势明显,NDWI比WI更具优势;利用最小二乘法建立了NDWI(b4,b7)与冬小麦冠层含水量的最佳拟合方程,反演FMC和EWTc的复相关系数分别为0.576 9和0.695 6;在此基础上,对河北保定部分地区的冬小麦冠层水分含量进行了空间填图,结果显示,研究区内冬小麦冠层水分含量具有西高东低的趋势,冬小麦生长旺盛的孕穗期冠层含水量比乳熟期高。     

在RABiTS基带上制备Tl-2212超导薄膜

我们研究了Tl-2212超导薄膜在带有YSZ/CeO2缓冲层和带有CeO2/YSZ/CeO2缓冲层的Ni金属RABiTS基带上的生长情况.基带上的缓冲层是采用PLD方法制备的,Tl-2212薄膜的制备采用了磁控溅射和后热处理两步方法.XRD 实验结果表明,Tl-2212薄膜都具有很好的c轴垂直于膜面的织构,并具有双向外延生长特性.在CeO2/YSZ/CeO2/Ni基带上制作的Tl-2212薄膜的Tc达到102.8 K,Jc(77K,0T)达到2.6 MA/cm2;在YSZ/CeO2/Ni基带上薄膜的Tc可达97.7K,Jc (77K,0T)也可以达到0.45MA/cm2.     

Improved Performance of Organic Light-Emitting Diodes with MgF2 as the Anode Buffer Layer

Organic light-emitting diodes （OLEDs） based on N,N＇-bis（1-naphthyl）-N,N＇-diphenyl-1,l1＇-biphenyl-4,4＇-diamine （NPB） and tris （8-hydroxyquinoline） aluminium （Alq3 ） are improved by using a thin MgF2 buffer layer sandwiched between the indium tin oxide （ITO） anode and hole transporting layer （HTL） of NPB. The current-voltage curves of the OLEDs with MgF2 buffers shift to lower voltages, which can be explained by the tunnelling effect. Under 10 V bias, the current density and brightness for the optimized OLED with a 1.0-nm MgF2 are 196A/m^2 and 517cd/m^2, respectively, while for the OLED without anode buffer layer are only 109A/m^2 and 156cd/m^2, The atomic force microscopy shows that the rms roughness of NPB on ITO/MgF2 is only 1/3 of NPB on bare ITO. The improved morphology of the HTL would lead to more robust OLEDs. The OLED with a 1.0-nm MgF2 layer has a long lifetime of more than five times of the MgF2-free reference device due to the combined electrical and morphological effects of the MgF2 layer.     

Effects of V/III ratio on a-plane GaN epilayers with an InGaN interlayer

The effects of V/Ill growth flux ratio on a-plane GaN films grown on r-plane sapphire substrates with an InGaN interlayer are investigated. The surface morphology, crystalline quality, strain states, and density of basal stacking faults were found to depend heavily upon the V/III ratio. With decreasing V/III ratio, the surface morphology and crystal quality first improved and then deteriorated, and the density of the basal-plane stacking faults also first decreased and then increased. The optimal V/III ratio growth condition for the best surface morphology and crystalline quality and the smallest basal-plane stacking fault density of a-GaN films are found. We also found that the formation of basal-plane stacking faults is an effective way to release strain.     

层错四面体对单晶铜层裂行为影响的分子动力学研究

层错四面体是一种典型的三维空位型缺陷,广泛存在于受辐照后的面心立方金属材料中,对材料的力学性能有显著的影响.目前,关于层错四面体对辐照材料层裂行为的影响还缺乏深入系统的研究.本文使用分子动力学方法模拟了含有层错四面体的单晶铜在不同冲击速度下的层裂行为,对整个冲击过程中的自由表面速度及微结构演化等进行了深入的分析.研究发现,层错四面体在冲击波作用下会发生坍塌,并进一步诱导材料产生位错、层错等缺陷.在中低速度加载下,层错四面体坍塌引起的缺陷快速向周围扩展,为孔洞提供了更宽的形核区域,促进了孔洞的异质成核,造成材料层裂强度大幅度减小.当冲击速度较高时,层错四面体坍塌导致的局部缺陷对材料的层裂强度不再有明显影响.     

下一代网络的QoS保证设计

就下一代网络对高QoS性能要求,分别讨论了网络核心层、汇聚层和接入层的QOS保证措施。     

帽层对极紫外多层膜反射特性影响分析

介绍了在极紫外波段，利用帽层材料来减少多层膜反射镜因外部环境干扰而造成的反射率降低，使多层膜光学元件能够长时间稳定工作.计算了在139nm波长处Mo/Si极紫外多层膜反射镜在表面镀制不同帽层材料时的理论最大反射率，利用单纯形调优法，对帽层和多层膜的周期厚度进行优化，同时把分层理论用于多层膜帽层优化,可使多层膜的反射率得到进一步提高.分析了在加入帽层前后多层膜外层电场强度的分布变化情况. 关键词： 多层膜 反射率 帽层 极紫外     

锰基钙钛矿多层膜中的层间相互作用

本文采用直流磁控溅射方法在(100)取向的LaAlO3基片上制备了系列多层膜: La0.67Ca0.33MnO3-δ/La0.67Sr0.33MnO3-δ/La0.67Ca0.33MnO3-δ (LC/LS/LC).并采用标准四探针方法对所制备样品的阻温关系进行了测量. 结果表明:在零场下,当上下两层厚度一定时,随着中间层(LS)厚度增加,多层膜的电阻率减小,金属-绝缘体转变温度(TM-I)向高温方向移动.在中间层(LS)厚度保持一定时,随着上下两层(LC)厚度增加,其电阻率和金属-绝缘体转变温度(TM-I)出现同样的变化规律.基于双交换理论,我们对以上结果给出了尝试性解释.     

包层泵浦技术在光纤通信中的应用

包层泵浦技术以其独特、高效的特点越来越引起人们的关注，有希望能推动光纤通信新的发展。本文详细介绍了包层泵浦技术在光纤通信中的应用，包括包层泵浦光纤放大器、包层泵浦光纤激光器以及作为光纤拉曼放大器、激光器泵源的大功率掺镱双包层激光器。并且展望了包层泵浦技术中一些关键技术的发展方向。     

包层泵浦技术在光纤通信中的应用

包层泵浦技术以其独特、高效的特点越来越引起人们的关注 ,有希望能推动光纤通信新的发展。本文详细介绍了包层泵浦技术在光纤通信中的应用 ,包括包层泵浦光纤放大器、包层泵浦光纤激光器以及作为光纤拉曼放大器、激光器泵源的大功率掺镱双包层激光器。并且展望了包层泵浦技术中一些关键技术的发展方向     

磁性多层膜层间交换耦合的自由电子模型研究

基于自由电子模型,考虑到不同膜厚和不同磁化排列的费密能的不同,自洽地给出费密能。利用这种方法,计算了材料铁磁层和非磁层电子密度对层间耦合振荡周期的影响,并比较了我们所得结果与他人按巨势法得到的结果的异同,发现振荡周期随着电子密度的变化而改变,并且当铁磁层和非磁层的电子密度不同时,将出现不等周期的振荡。这一新的理论结果与最近的实验相符。此外,还计算了极化强度和由于能带不匹配造成的接触势对耦合强度及振荡相位的影响:前者是决定耦合强度的主要因素,后者则会影响振荡相位,甚至周期。 关键词：     

一种近似计算金属多层膜界面过渡层厚度的方法

在用小角射线衍射研究离子束溅射法制备的多层膜基本结构时,提出了一个可以计算界面过渡层厚度公式。由实验曲线和文中提出公式得到过渡层厚度,并与用实验曲线和理论曲线进行拟合所得值进行了对比,结果表明这两种方法得到的过渡层厚度基本一致。     

A Comparison of GaN Epilayers with Multiple Buffer Layers and with a Single Buffer Layer Grown on Si（111） Studied by HRXRD and RBS/Channeling

Two hexagonal GaN epilayers （samples A and B） with multiple buffer layers and single buffer layer are grown on Si （111） by metal-organic vapour phase epitaxy （MOVPE）. From the results of Rutherford backscattering （RBS）/channeling and high resolution x-ray diffraction （HRXRD）, we obtain the lattice constant （a and c） of two GaN epilayers （aA = 0.3190 nm, cA = 0.5184 nm and aB = 0.3192 nm, CB = 0.5179 nm）, the crystal quality of two GaN epilayers （ ХminA=4.87%, ХminB =7.35% along 〈1-↑213〉 axis） and the tetragonal distortion eT of the two samples along depth （sample A is nearly fully relaxed, sample B is not relaxed enough）. Comparing the results with the two samples, it is indicated that sample A with multiple buffer layers have better crystal quality than sample B with a single buffer layer, and it is a good way to grow GaN epilayer on Si （111） substrates using multiple buffer layers to improve crystal quality and to reduce lattice mismatch.     

考虑共振电荷转移的离子引出过程理论研究

离子引出是激光法分离同位素技术中的关键环节之一,对产品丰度和产率有重要的影响,而离子引出中离子和原子间的共振电荷转移过程则会对产品丰度造成污染,因此在研究离子引出过程时应考虑共振电荷转移的影响.本文利用粒子模拟(PIC)法以及基于PIC法和杂化PIC法的混合算法研究了考虑共振电荷转移的电场法离子引出过程,通过对一维平行板法的引出方式进行数值计算,获得了离子引出过程中共振电荷转移的基本性质和关键影响因素—共振电荷转移截面、引出时间、背景原子密度和蒸气宽度,并据此得到了离子发生共振电荷转移比例的经验公式;二维工况下的平行板法、交替偏压法、P型电场法和M型电场法四种引出方式的计算结果则表明,在其他条件相同的情况下, M型电场法具有最小的离子引出时间和共振电荷转移损失比例.本文的研究结论对于指导激光法分离同位素技术中离子引出装置设计和实验工艺设计具有比较重要的参考意义.     

磁电子学讲座第三讲 磁性金属多层膜中的巨磁电阻效应

在许多磁性金属多层膜系统中都存在巨磁电阻效应，这些系统是由厚度为几个纳米的磁层与非磁层交替重叠而构成．出现巨磁电阻效应的必要条件是系统的磁化状态能被外加磁场所改变．该效应的物理原因是传导电子在界面处或磁层内的所谓自旋相关散射．层间耦合随隔离层厚度变化而振荡的现象，在隔离层为非磁过渡金属和贵金属的系统中普遍存在．自旋阀多层结构在信息存储技术中磁电阻“读出”头方面极具应用前景．     

上波导层In摩尔分数对InGaN基蓝光激光器性能研究

基于实验样品结构，利用PICS3D模拟软件，构建了具有同样结构的InGaN基蓝光激光器，并采取了与实验样品一致的内部参数测定方式，结果表明，内部损耗相对误差为3.5%，实现了严格的比对。随后，构建了一系列InGaN基蓝光激光器，通过比较不同In摩尔分数下的光输出功率、载流子分布、光场分布、辐射复合系数和能带曲线等参数，对上波导层中的In摩尔分数进行优化研究。设计得到了光功率更优的两种不同的优化结构，均有效减少了电子泄漏，提高了斜率效率，从而有效提高了光电转化效率，其中渐变In摩尔分数上波导层结构提升效果更为显著。