半导体表面晶体完整性的SEM电子通道花样研究

本文对各种GaAs晶体表面作了SEM电子通道技术测量,对测得的电子通道花样进行了结晶学注释,确定了评价晶体完整性的标准。可广泛用来检查和评估半导体表面的晶体完整性.     

微通道板背散射电子探测器的设计

本文介绍了一种先进的新型背散射电子探测器。随着电子束曝光机的发展,特别是加速电压高的时候,对背散射电子探测器的性能要求就愈来愈高,例如,信噪比、响应时间等。在与各种探测器比较的基础上,我们设计了微通道板探测器,它是目前用于电子束曝光机的最先进的探测器。     

用SEM的电子通道分析技术研究IF钢晶内结构

IF(interstial free)钢是指无间隙固溶C、N原子的钢,它是一种新型的汽车板材料。为了阐明IF钢的深冲性能,其织构及其形成机理是人们关注的问题。本工作是应用电子通道分析技术对IF钢的不同工艺阶段的组织结构状态进行分析,其优点是可以在任何倍数下选择视场。因此它可以弥补传统方法(如X射线衍射分析技术和透射电子显微分析技术)的不足。     

EBSD花样的图像畸变及其修正

EBSD花样存在图像畸变,使得由其三维重构解析晶体Bravais点阵变得困难。本文详细介绍了EBSD衍射数据几何修正的方法：利用样品到屏幕的距离,由EBSD花样上的衍射数据修正晶体倒易矢量的长度及其夹角。使用透辉石晶体的EBSD花样,验证了几何修正的效果,结果表明衍射测量数据经过修正并用最小二乘法重新拟合后,倒易矢量偏离二维拟合网格的程度降低,其分布更接近真实情况。     

T3铜的电子背散射衍射(EBSD)花样分析

材料的性能主要由显微特征决定,如：成分,织构等。本文采用INCA Crystal电子背散射仪,对T3紫铜晶体材料进行了衍射花样分析,从试样中选定矩形区域或任意形状的区域进行面扫描,获得极图,反极图,欧拦角分布图、晶粒尺寸、重位点阵晶界的分布和显示、取向和位差数据,组织自动识别,并标定出不同织构类型所占的百分比等信息。     

研究用于离子检测的通道电子倍增器

研制了大型号的通道电子倍增器,其性能基本满足离子检测的要求。并指出将其作为离子检测器件,仍有很多问题需要解决。     

用SACP技术分析立方晶系金属中晶粒位向的一种方法

ＳＡＣＰ分析技术是分析多晶材料中晶粒位向的一种有效方向，应用ＳＡＣＰ技术，本文发展了一种确定立方晶系金属中晶粒位向的新方法，此方法的优点是：可以直接从给定ＳＡＣＰ的几何特征确定晶粒位向，而不需象通常方法那样，要对给定ＳＡＣＰ进行结晶学注释和有关矢量运算。     

电子通道技术在YBa2Cu3O7外延超导薄膜研究中的应用

本研究采用电子通道技术（ＥＣＰ）对单晶和双晶外延生长的ＹＢａ＿２Ｃｕ＿３Ｏ＿７（ＹＢＣＯ）超导薄膜的结构、取向和表面完好性作检测，并证实对衬底的预处理可改善外延超导薄膜的质量；还对ＹＢＣＯ／ＣｅＯ＿２／ＭｇＯ／ＳｒＴｉＯ３的双外延薄膜作研究。     

低维纳米材料中五次孪晶结构的透射电镜研究

本文对Ag纳米线中的五次孪晶结构进行了深入系统的透射电镜研究。首次获得了Ag纳米线截面的五次孪晶结构的高分辨图像和电子衍射花样;研究了单根孪晶Ag纳米线中五次孪晶的结构特性。结果表明:Ag纳米线沿着[110]方向生长,具有显著的五次孪晶结构特点,其中五次孪晶是由五个{111}晶体旋转组成。并针对五重旋转孪晶产生7°20′本征间隙的这一典型结构问题,进行了统计实验分析,提出了纳米线中五次孪晶的新的结构模型。电子能量损失谱(EELS)研究表明:五次孪晶的中心部位相对于Ag单晶,其Ag M4,5峰向低能量方向有轻微漂移。单根纳米线的选区电子衍射或者是由[112]和[110]方向,或者是由[110]和[111]方向叠加产生的。对五次孪晶纳米线高温动态行为的透射电镜原位观察将有利于了解纳米线的生长机理。     

Application of an electron backscatter diffraction pattern to Cu damascene-fabricated interconnections filled by a high-pressure anneal process

The microstructure of Cu interconnections fabricated by high-pressure annealing was evaluated using a field emission scanning electron microscope/electron backscatter diffraction pattern (FE-SEM/EBSP) technique, and the results are compared with as-deposited and normally annealed Cu films. The results show some grains extending from the bulk field to the via regions in the case of the high-pressure annealed Cu films. The existence of via holes was also observed, in which all grains were (111) oriented. This indicates that the high-pressure annealing process enables the Cu that in-fills the via holes to develop into favorable microstructures, i.e., single-crystal and with (111) orientation.     

电子显微学在结构生物学研究中的新进展

电子显微学是结构生物学的重要分支，已经成为一种公认的研究生物大分子、超分子复合体及亚细胞结构的有力手段。本文先回顾了近期电子显微学在技术上的新进展，后概述了生物电子显微学的三个组成部分——电子晶体学，单颗粒技术，电子断层成像术的基本原理，技术方法与研究现状。最后，对电子显微学与其他结构生物学研究手段的结合以及电子显微学的未来发展做了简单的展望。     

通道效应在透射电镜样品厚度估测中的应用

通道效应是出射波函数的样品厚度周期效应。像差校正高分辨像中像点强度随样品厚度的变化正是这种效应的直接体现。本文提出了利用通道效应估测样品厚度的方法,通过多片层法高分辨像模拟,研究了元素种类、离焦量、像散以及带轴偏离等参量对于厚度估测的影响,并以钛酸钡陶瓷样品为实例,对厚度进行了估测。     

改善场发射扫描电镜分辨本领的原理和展望

本文讨论了改善场发射扫描电镜分辨本领的原理。分析结果表明 ,仪器的分辨本领主要依赖于物镜的球像差系数 Cs。如果等效球像差系数能降低到 0 .1× 10 -2 cm的水平 ,则二次电子像的分辨本领为 0 .3 2 2 nm(当扫描电子束的加速电压 VA=3 0 k V)。此外 ,在 Cs=0和扫描电子束的半开角 α=5× 10 -2 rad,本文估计场发射扫描电镜的极限分辨本领可望达到 0 .178nm(当 VA=3 0 k V)。     

已知晶体电子衍射指标化中的实际问题

电子衍射是晶体结构分析最为常用的实验技术之一,电子衍射花样能直接反映晶体倒易点阵的特征。但利用传统方法对电子衍射花样进行指标化相当耗时、繁杂。为此,本文基于一些常用软件和DM插件对指标化过程中衍射点间距的测量、晶面间距的计算和米勒指数的指认等环节进行实例分析,对指标化过程中的一些常见问题进行可行性讨论,以期实现更为便捷的衍射分析。     

激光光学系统设计中球差对像方束腰的影响

文章主要针对激光光学系统设计中存在的球差对高斯光束像方束腰半径的影响进行了详细的讨论,并给出了具体关系。同时以曲线的形式分析了当物方束腰的位置和光学系统焦距变化时,由球差引起的像方束腰半径变化量也随之改变。最后通过激光羽烟衰减测试系统中聚光光学系统的设计实例说明了球差对高斯光束像方束腰的影响。     

球差透镜对余弦高斯光束聚焦特性的影响

本文基于余弦高斯光束通过球差透镜聚焦的轴上光强分布表达式,讨论了球差系数格。及高斯光束菲涅耳数Nw对轴．卜光强的影响。数值计算结果表明负球差可作为获得轴向光强平顶分布的一种方法。当无球差时,最佳聚焦点位于几何焦点的左侧。当透镜具有正球差时,通过改变菲涅耳数Nw可以实现最佳聚焦点由几何焦点左侧zf1快速跃变到右侧zf2,此时出现焦开关现象。球差系数越大,对应的相对跃迁量△zf=｜zf1-zf2｜也越大,而临界菲涅耳数（Nw）。则越小,如当格kS2=0．5和0．3时,发生跃变的临界点分别为（Nw）0.5=7．03和（Nw）0.3=8．68,其相对跃迁量△zf分别为0．246及0．146。