激子模型中的激子态寿命和激子态跃迁率与发射率

通过预平衡核反应理论中的激子模型理论 ,给出了激子模型中的激子态寿命和激子态发射率与跃迁率的表达式。并通过计算给出了轻核 (9Be、1 6O) ,中等核 (56Fe、64Zn) ,重核 (1 75Lu、1 84W)等核的各激子态寿命以及它们的发射率和跃迁率。结果表明对于轻核 ,前几个激子态在反应中占主要的部分 ,使用时可以作无返回近似。这反映了在轻核反应中 ,预平衡反应占主要的地位。     

半导体微腔中腔模、重空穴激子模和轻空穴激子模耦合

采用传输矩阵方法利用半经典的线性色散模型,计算半导体微腔内同时存在重空穴激子、轻空穴激子时,在不同入射角度下的反射谱,同时,利用三简谐振子耦合模型计算了在不同入射角度下,腔模同时和重空穴激子模、轻空穴激子模耦合所形成的三支腔极化激元的能量,以及腔模、重空穴激子模、轻空穴激子模分别在三支腔极化激元中所占的权重,结果表明随着入射角的增加腔极化激元的高能支和两个低能支之间存在明显的反交叉现象,同时,腔模和重空穴激子模、轻空穴激子模在腔极化激元中所占的权重呈现增加或减小的趋势 关键词： 半导体微腔 腔极化激元 激子     

纳米材料二氧化锡的制备和激子态光学特性研究

报道纳米材料二氧化锡的制备和室温下激子态光学特征，应用弱量子限域下激子响应模型对结果进行了解释。     

圆柱状量子点量子导线复合系统的激子能量和电子概率分布

建立了圆柱状量子点量子导线复合系统中激子满足的方程，用微扰论求出激子能量.以CdS/HgS/CdS/HgS/CdS圆柱状量子点量子导线复合系统为例，研究了系统中电子的概率分布和系统线度对激子能量的影响.结果表明：系统中电子、空穴以及激子的能量均随量子点高度h₀的增大而减小，电子-空穴相互作用对基态激子能量的影响要大于激发态；电子沿径向方向的概率分布呈起伏状，在轴线和表面附近的概率趋于零，而在R/2附近概率最大；在量子点附近电子沿轴向方向的概率分布呈振荡特征 关键词： 量子点 量子导线 激子 能量     

奇偶相干态的Wehrl熵和Shannon熵

研究了奇、偶相干态的Ｗｅｈｒｌ熵和Ｓｈａｎｎｏｎ熵，结果表明，其Ｗｅｈｒｌ熵随总噪声的增加而增大，并趋向同一个常数。Ｓｈａｎｎｏｎ熵随力学量起伏的减小而减小，且这两种态的Ｓｈａｎｎｏｎ熵均可小于相干态的Ｓｈａｎｎｏｎ熵，但这时并不与压缩效应的出现相对应，因而Ｓｈａｎｎｏｎ熵不能成为压缩存在的判据。     

共轭聚合物中受激吸收与受激辐射的量子动力学研究

基于扩展的一维SSH紧束缚模型结合非绝热的分子动力学方法,理论研究了共轭聚合物分子(PPV)在光脉冲作用下受激吸收和受激辐射的量子动力学过程.首先,设定分子初始处于基态,讨论了受激吸收过程中不同的电子受激跃迁模式与光激发脉冲的关系.通过对终态的分析,发现分子受激后只能产生电子-空穴的束缚态,包括:激子、双激子和高能激子.计算了各种激发态的产率,特别是,给出了各种激发态产率与光激发能量的定量关系.此外,基于实验,分别讨论了光激发强度对高能激子和双激子产率的影响,并与实验结果进行了比较.最后,设定分子初始分别处于激子和双激子态,研究了分子内定域能级之间的受激辐射过程,并简单讨论了激子和双激子受激辐射与光激发能量及强度的关系.     

半导体中激子的叠加态及其复合辐射

本文在玻色近似和“ 非玻色近似” 两种情形下, 讨论单激子和双激子Dicke和Fock 叠加态及处在这些态的激子的压缩特性、反聚束特性和亚泊松统计特性.文中指出了处在这些态的激子的复合辐射光也可具有这些非经典特性, 并对各种情形s所得结果作了比较和解释. 关键词：     

球型核壳量子点结构中二类激子向一类激子的转化

在有效质量近似下,采用变分方法研究了球型核壳量子点中激子的性质。数值计算了电子波函数随位置的变化关系以及临界势随球壳宽度和核半径的比值的变化关系。结果表明,当球壳宽度和核半径的比值为给定值时,存在一临界势,当局域势减小到临界势时,激子从二类激子转化为一类激子;当局域势为给定值时,存在一临界比值,当球壳宽度和核半径的比值减小到临界比值时,激子亦从二类激子转化为一类激子。该结果对研究球型核壳量子点中的电子结构有参考价值。     

二维激子极化激元凝聚中涡旋叠加态稳态及动力学特性研究

利用分步Crank-Nicolson方案的虚时和实时有限差分方法求解耗散系统的Gross-Pitaevskii(GP)方程,研究了二维激子极化激元凝聚(exciton-polariton condensates)体系中正反涡旋叠加态的稳态结构并直观地验证这种稳态结构在半导体微腔旋转下的稳定性和动力学特性.通过虚时和实时演化相结合的方法求解出几种角动量情况下所对应的稳定涡旋叠加态.然后利用实时演化方法研究在半导体微腔旋转的情况下,正反涡旋叠加态的稳定性及其旋转角速率和半导体微腔旋转角速率之间的定量关系.最后研究了单涡旋态在半导体微腔旋转时形成涡旋阵列的动力学过程,并给出了泵浦光宽度和增益项对涡旋阵列结构的影响.研究表明,系统的泵浦,损耗和增益对稳定性和动力学特性有重要影响.     

旋转二维激子极化激元凝聚涡旋叠加态的动力学特性

研究了二维激子极化激元凝聚正反涡旋叠加态在半导体微腔极化激元波色爱因斯坦凝聚(Bose–Einstein condensate, BEC)体系旋转情形下的稳定性和动力学特性.在体系旋转情形下对单分量Gross-Pitaevskii方程进行重构,利用四阶龙格库塔方法和时域有限差分方法构建数值模型.利用实时演化方法研究在体系旋转的情况下,不同拓扑荷数的正反涡旋叠加态的实时演化过程及稳态局域粒子数和体系旋转角速率之间的关系.研究了涡旋叠加态激发区域的旋转速率与体系旋转速率的关系,并阐明了体系的旋转速率对涡旋叠加态相位稳定性的影响机理.研究表明,半导体微腔极化激元BEC体系的旋转速率对激子极化激元凝聚叠加态的演化过程及其动力学特性有重要影响.     

高分子中激子和双激子的极化率(解析计算)

高分子的电致发光是载流子在电场中的输运和复合,为了阐明它的机理,需要研究高分子中激子的极化性质,首先求得了激子和双激子的解析解,然后用线性响应的Green函数方法计 算了两者的极化率,解析地证明了一个重要的结论：激子的极化率为正,双激子的极化率为负.从激子跃迁至双激子,高分子的电偶极矩要反转方向. 关键词： 激子 双激子 解析解 负极化率     

重力场中原子的衍射态及其概率分布

使用量子力学中Feynman的路径积分方法,导出了重力场中原子经单缝、双缝及多缝衍射后的量子态及其概率分布.在一定近似条件下,证明了干涉条纹的移动与重力加速度有关,而条纹间隔与重力加速度无关.     

高分子中双激子态对外电场的线性响应

在外电场中,非简并基态共轭高分子中的双激子具有反向极化的奇异特性.利用响应函数求得高分子链的双激子态在任意频率下的动态极化率χ(ω),并通过求ω→0极限,给出双激子态的静态极化率χ,证实了χ确实为负值.并与激子态和基态作了比较,分析了分子负极化率的起因.考察了响应函数在低频时的行为,指出激子和双激子的激发浓度增大会导致材料折射率n(ω)向不同方向变化. 关键词：     

KMgF3晶体的色心和自陷态激子研究

应用从头计算方法对KMgE3离子晶体中的色心和自陷态激子(STE)进行了模拟研究.对包含F心的量子团簇进行几何结构优化,并计算了F心处于1s基态和2p激发态的Mulliken电荷分布.模拟结果表明,F心周围的晶格弛豫较小,处于基态的F心电子主要局域在阴离子空位处,而处于激发态的F心电子波函数则比较扩展.计算结果表明,Vk心移向邻近的间隙位置,但仍保持分子轴向与[110]晶向平行.自陷态激子的弛豫是分子轴向平移与转动的叠加.计算得到的F心、Vk心的光学激发能及STE的发光能与实验符合得较好.     

电场诱导聚合物分子取向对单线态和三线态激子形成截面的影响

通过对聚乙烯咔唑(PVK) 掺杂三(2-苯基吡啶)铱(Ir(ppy)₃)和4-二氰亚甲基-2-叔丁基-6-(1,1,7,7-四甲基久咯呢定基-9-烯基)-4H-吡喃(DCJTB)，PVK 掺杂DCJTB和PVK掺杂Ir(ppy)₃聚合物在成膜时高压电场作用下分子取向变化对单线态和三线态激子形成截面的研究，发现，随着成膜时电场的增强，单线态激子的形成截面在增加，而三线态激子的形成截面却减小. 关键词： 分子取向 激子形成截面 三线态 单线态     

激发压缩真空态的相位概率分布

应用Pegg和Barnett提出的相位算符和相位态理论,研究了激发压缩真空态的相位概率分布特性.数值计算结果表明,激发压缩真空态的相位概率分布主要受到相位参量和压缩参量的调节,相位参量使相位概率分布呈峰值结构,压缩参量的变化将影响相位概率分布的峰值强度,此外激发光子数对相位概率分布也有较大的影响.     

叠加对相干态的相位概率分布特性

讨论了叠加对相干态的完备性关系,并根据Pegg和Barnett的相位算符和相位态的定义,计算了叠加对相干态的相位概率分布函数,并应用数值计算讨论了其特性.结果表明,叠加对相干态的相位概率分布受到相位参数和叠加参数的调制.     

闪锌矿GaN/AlGaN量子点中激子态及光学性质的研究

在有效质量近似的框架下,运用变分方法研究闪锌矿GaN/AlGaN量子点中的激子态及相关光学性质,探讨电子与空穴在量子点中的三维空间受限和有限势效应.数值计算结果显示,当量子点的尺寸增加时, 量子尺寸效应对电子和空穴的影响减弱,基态激子结合能和带间光跃迁能也都降低;而当该量子点中垒层AlGaN中 Al含量增加时,提高了量子点对电子和空穴的束缚作用, 同时基态激子结合能和带间光跃迁能都增加.数值的理论结果与相关实验测量结果一致.     

奇偶相干态的Wehl商和Shannon熵

研究了奇、偶相干态的Ｗｅｈｒｌ熵和Ｓｈａｎｎｏｎ熵、结果表明，其Ｗｅｈｒｌ熵随总噪声的增加而增大，并趋向同一个常数。Ｓｈａｎｎｏｎ熵随力学量起伏的减小而减小，且这两种态的Ｓｈａｎｎｏｎ熵均可小于相干态的Ｓｈａｎｎｏｎ熵，但这时并不与压缩效应的出现相对应，因而Ｓｈａｎｎｏｎ熵不能成为压缩存在的判据．。     

荧光染料和磷光染料激子形成截面的比较

为了比较单线态激子与三线态激子形成截面的大小,作者将荧光染料4-(dicyanomethylene)-2-t-butyl-6-(1,1,7,7-tetramethyljulolidyl-9-enyl)-4H-pyran (DCJTB) 和磷光材料factris-(2-phenylpyridine) iridium [Ir(ppy)₃]共掺杂在N-vinylcarbazole (PVK)中作为发光层,制作了多层有机电致发光器件。通过对其光致发光及电致发光特性的研究,计算出Ir(ppy)₃激子的形成截面比DCJTB激子的形成截面大得多。