Bi2Te3的杂质微分凝对温差电性质的影响

在Bridgman法生长的P型和N型Bi₂Te₃等取向晶体中发现杂质微分凝次结构,对不同微分凝程度的Bi₂Te₃晶体的电导率、温差电动势率、热导率和霍尔系数在80—330°K温度范围内进行了测量,并分析了在有外场和温度梯度存在时载流子的输运性质,着重研究了杂质微分凝对温差电参数的影响,证实了增加晶体表观热导率的一种机构。     

拓扑绝缘体Bi_2Te_3的热膨胀系数研究

利用低温X射线衍射研究了Bi2Te3晶体的线热膨胀系数.结果表明:拓扑绝缘体Bi2Te3晶体的线热膨胀系数α||和α⊥表现为各向异性,并遵从不同的温度依赖关系.反映a-a平面内的膨胀系数α⊥在较宽的温区内服从Debye关系,而反映垂直于a-a平面方向的膨胀系数α||在100 K左右就开始出现与Debye模型在定性上的差别.利用Debye模型并结合Bi2Te3晶体的面内和层间原子之间的键合特性对α||和α⊥所表现出的不同温度依赖特性进行了解释.     

不同Te源和表面活性剂对水热法合成Bi_2Te_3纳米粉体形貌的影响（英文）

采用水热法合成了具有不同形貌的热电合金材料Bi_2Te_3纳米粉体.讨论了不同Te源和表面活性剂对Bi_2Te_3纳米粉体形貌的影响.纳米粉体通过XRD衍射仪分析物相,扫描电镜分析其表面形貌.通过改变Te源和表面活性剂得到了了纳米颗粒、纳米线、纳米片和花状团簇等不同的形貌.讨论了不同Te源和表面活性剂下Bi_2Te_3纳米结构可能的成核和生长机理.     

杂质对两能带超导体性质的影响

本文中用一个简单的两能带模型讨论了费米面复连通性对超导体性质的影响。计算表明,它的效应与各向异性类似。利用Абрикосов和Горъков所发展的格林函数方法讨论了杂质散射的影响。有杂质时只有一个能隙,且大于纯超导体两个能隙中较小的一个。加杂后转变温度,临界磁场及其在T=0°K附近的温度系数下降,但转变点比热跳跃的相对值增加。低掺杂时在实验中同时测量这些量的变化可以定量地检验理论计算。高掺杂两能带超导体的性质与单能带情形完全相同。此外,利用本文的结果讨论了Pb膜的隧道效应实验和In-Sn,In-Pb系统中的转变温度反常。     

对温差电效应的讨论

温差电效应是热力学不可逆过程的一个典型例子.本文讨论的重点是:采用与现行教材不同的方法(方向导数与梯度的关系),处理其动力系数与温差电动系数的关系,从而避免了绝对温差电动系数“　i”的出现,使动力方程和开尔文第一、二关系式可以直接用由实验得来的相对温差电动系数“　AB”,使有关问题得到简化.为了讨论的需要,把必要的过程写出来,以保证问题的系统性. 一、三个实验定律 1.塞贝克效应: 如图1所示,A、B是两种不同的金属导体构成的闭合回路,并使两个接头处与两个恒温热源相接触,T1相似文献   

杂质对Nb2GeC性质影响的第一性原理研究

为进一步研究Nb₂GeC在辐照环境中的稳定性, 本文研究了O, H和He杂质在Nb₂GeC中的稳定情况. 所有杂质的研究都是从替代和间隙两个方面来进行的, 计算得到了替代和间隙的形成能, 存在替代和间隙时Nb₂GeC的晶格常数, 以及单胞体积, 并且与完美的晶胞进行了比较. 此外, 通过电荷密度分布和Mulliken 布居, 分析了O, H, He杂质对Nb₂GeC 的电子性质的影响.     

Bi_2O_3-B_2O_3-Ga_2O_3玻璃的三阶非线性研究

采用传统熔融淬冷法制备了4组高Bi2O3含量的Bi2O3-B2O3-Ga2O3玻璃样品。测试了样品的密度、折射率和透过光谱,并分析了它们和Ga2O3含量之间的关系,拟合了样品的线性折射率随波长的变化曲线。根据Z扫描实验原理,利用钛宝石飞秒激光器测量了800 nm波长下各个样品的三阶非线性折射率n2以及非线性吸收系数β。结果表明:随着Ga2O3含量的增加,样品的线性折射率n0和三阶非线性折射率n2也随之增加,线性折射率最大样品对应的n2和β分别为3.331×10-18m2/W和0.695 cm/GW,表明该系列玻璃样品是一种优良的三阶非线性光学基质材料。     

热电偶的温差电特性

利用UJ27c型直流电位差计,我们设计了一个用于热电偶测量的实验。中描述了电位差计实验中热电偶的温差电动势的测量、热电偶的温差电特性曲线以及实验的可行性及意义。     

Ca~(2+)和Mn~(4+)掺杂对烧绿石铱化物Bi_2Ir_2O_7电输运性质的影响（英文）

近年来,烧绿石铱化物在凝聚态物理方面引起了越来越多的关注,原因是人们意识到铱化物在实现新型拓扑态方面具有很大的潜力.在本文中,我们详细介绍了Ca~(2+)和Mn~(4+)离子掺杂对Bi_2Ir_2O_7的晶格结构,电输运以及磁性质的影响,研究发现Ca~(2+),Mn~(4+)掺杂增强了体系的反铁磁性,并使电阻率发生了金属绝缘体转变.     

Sb_2Te_3热电薄膜的离子束溅射制备与表征

采用离子束溅射技术交替沉积Sb-Te-Sb多层薄膜后进行高真空热处理,直接制备Sb2Te3薄膜.利用X射线衍射(XRD)仪、霍尔系数测试仪、薄膜Seebeck系数测量系统对所制备的薄膜特性进行表征.XRD测量结果显示,薄膜的主要衍射峰与Sb2Te3标准衍射峰相同,在[101]/[012]晶向取向明显,存在较多的Te杂质峰;霍尔系数测试结果表明,薄膜为p型半导体薄膜,薄膜电阻率较低,其电导率接近于金属电导率,载流子浓度量级为1023cm-3,具有良好的电学性能;Seebeck系数测量结果显示,薄膜具有良好的热电性能,在不同条件下制备的薄膜的Seebeck系数在7.8—62μV/K范围;在所制备的薄膜中,退火时间为6h、退火温度为200℃的薄膜其Seebeck系数达到最大,约为62μV/K,且电阻率最小.     

热处理对Li2O-Al2O3A-SiO2系统玻璃性质的影响

测量了线性升温热处理后Li2 O Al2 O3 SiO2 系统零膨胀微晶玻璃V0 2的性质变化。在一个较小的温度区间内 ,玻璃物理性质由于相变而出现显著变化。折射率增加 175× 10 -4、密度增加 0 .0 94g/cm3 、热膨胀系数降低4 1× 10 -7/℃、努普 (Knoop)硬度增加 18.6MPa、线收缩达 1.12 %。短波区透射率随着热处理温度的升高先出现下降而后再次上升。实验结果为大尺寸微晶玻璃毛坯的晶化工艺过程提供有实用意义的建议     

Kondo效应对磁杂质碳纳米管电输运特性的影响

从碳纳米管中Kondo效应的影响出发, 在有限温度下采用Anderson模型表征碳纳米管/磁杂质系统, 利用Landauer公式对磁杂质碳纳米管的电导和热电势进行研究, 得出和实验结果一致结论. 关键词： Kondo效应 碳纳米管 电输运特性     

GeO2对Eu3+掺杂Bi2O3-B2O3-ZnO玻璃光谱性质的影响

用高温融熔法制备了Eu^3＋掺杂摩尔分数为1％的（60-X）Bi2O3-XGeO2-30B2O3-10ZnO（摩尔分数X=5,10,20,30）系统玻璃。测定了玻璃的差热分析曲线、发射光谱与激发光谱。从发射光谱与稀土Eu^3＋离子光学跃起矩阵元的特点,计算了Eu^3＋光学跃迁的参量Ω2与Ω1。结果显示强度参量Ω2与Ω4随着GeO2量的增加而增加,表明材料的对称性降低,Eu-O键强增加,共价性增加。玻璃的软化温度随GeO2组份的增加而提高。在GeO2摩尔分数达10％时．析晶起始温度与玻璃软化温度的差达最大,约146℃,表明该玻璃的热稳定性最好。     

温差电现象的进一步讨论

一般认为温差电动势与温差及导体的材料有关，与温度梯度无关。本文通过实验和理论两个方面证明了温差电动势与温度梯度也有关系。     

组合优化设计制备Y~(3+)/Dy~(3+)共掺Bi_2ZnB_2O_7新型荧光粉的发光性质

为获得Bi2ZnB2O7:Y3+/Dy3+新型荧光粉材料的最强黄光发光强度,运用均匀设计和二次通用旋转组合设计相结合法对Y3+/Dy3+最佳离子掺杂浓度进行优化研究,得到Y3+和Dy3+离子的最佳掺杂浓度分别为4.498mol%和6.001mol%.采用高温固相法合成最优样品,对样品结构进行表征,测定其激发光谱和发射光谱对Dy3+离子在Bi2ZnB2O7基质中的发光性质,研究发现:样品在452nm激发下,发射光谱主要由(460~500nm)蓝光发射、(550~610nm)黄光发射、(650~700nm)红光发射组成,分别对应于Dy3+的4F9/2→6H15/2、4F9/2→6H13/2及4F9/2→6H11/2跃迁;Bi2ZnB2O7基质为Dy3+提供了非中心对称的晶格格位;最优样品中Dy3+的荧光寿命为0.427ms,与相同浓度Dy3+单掺杂样品相比较可知引入Y3+在一定程度上提高了发光强度.     

Sb_2Te_3 mode-locked ultrafast fiber laser at 1.93μm

Ultrafast pulse generation was demonstrated in thulium doped fiber laser mode locked by magnetron sputtering deposited Sb_2Te_3with the modulation depth,non-saturable loss,and saturable intensity of 38%,31.2%,and 3.3 MW/cm~2,respectively.Stable soliton pulses emitting at 1930.07 nm were obtained with pulse duration of 1.24 ps,a 3-dB spectral bandwidth of 3.87 nm,an average output power of 130 m W,and signal-to-noise ratio(SNR)of 84 dB.To our knowledge,this is the first demonstration of Sb_2Te_3-based SA in fiber lasers at 2-μm regime.     

热处理温度对La4/3Sr5/3Mn2O7的结构及电输运性质的影响

用溶胶-凝胶法并经过不同温度(TA)处理而制备出La4/3Sr5/3Mn2O7多晶样品.零场下阻温关系测量表明,较低TA处理的样品有较高的绝缘体-金属转变温度Tp,而对较高TA处理的样品,其Tp在表面和体内有较大差别,表面上有较高的Tp值,且电阻率较低,但在体内Tp低且电阻率高.结合结构分析,我们认为,较高温度处理有利于Sr3Ti2O7相的形成,但太高温度(如高于1450℃)处理的样品,虽然以Sr3Ti2O7相为主,但其表面易形成(La,Sr)MnO3相.     

Bi_2O_3-Li_2O玻璃的热致变色研究

发现氧化和氧化锂所形成的玻璃有着明显的热致变色现象 .温度系数随氧化含量的增加而上升 ,反映了热致变色现象主要来源于氧化 .这种热致变色现象与半导体同样 ,来源于玻璃中的电子 声子相互作用而产生的随温度变化的光学能隙 .氧化重金属氧化物玻璃中高电子密度和低声子能量的化学键是产生强电子 声子相互作用的主要原因     

F掺杂对Bi_4O_4S_3化合物超导电性的影响

用固相反应法制备了名义组分为Bi_4O_(4-n)F_nS_3(n=0,0.24,0.96)的多晶样品,并对其电输运性能及磁性能进行研究.X射线衍射结果表明,随着F掺杂量的增加,样品在不同晶向的衍射峰偏移方向不同,晶格参数a变大但c略有减小.少量的F掺杂可抑制系统的超导电性,F掺杂量为0.24时,样品超导转变温度由未掺杂时的4.68 K降低到3.32 K,但当掺杂量达到0.96时,样品超导转变温度升高到5.05 K.     

有机分子结构对其电输运性质的影响

利用从头算理论和弹性散射格林甬数的方法,对有机分子1,4.苯二硫酚(benzene-1,4-dithiol)、4,4二巯基联苯(4,4-biphenyldithiol)、4,4:二巯基联苯醚(bis-(4-mercaptonphenyl)-ether)以及对苯二甲氰(1,4-phenylene diisocy-anide)的电子输运性质进行了理论研究和比较分析.结果显示前三种巯基分子在开启电压位置、电导的平台效应和电流的线性响应等方面有相似性,其中1,4-苯二硫酚分子的电输运性能优越于其他两个分子,但氰基分子对苯二甲氰却有较明显的区别.