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相似文献
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1.
介绍LTCC一体化基板/外壳封装的设计、制作与性能检测。  相似文献   

2.
大功率LED用封装基板研究进展   总被引:1,自引:0,他引:1  
LED被称为第四代照明光源及绿色光源,近几年来该产业发展迅猛.由于LED结温的高低直接影响到LED的出光效率、器件寿命和可靠性等,因此散热问题已经成为大功率LED产业发展的瓶颈.文章阐述了大功率LED基板的封装结构和散热封装技术的发展状况,从基板的结构特点、导热性能及封装应用等方面分别介绍了金属芯印刷电路基板、覆铜陶瓷...  相似文献   

3.
大功率白光LED封装结构和封装基板   总被引:1,自引:0,他引:1  
随着LED在照明领域的不断发展,功率和亮度不断提高,尤其是大功率白光LED的出现,热问题成为制约LED进一步发展的关键问题。介绍了大功率白光LED引脚式封装、表面贴装式(SMT)、板上芯片直装式(COB)和系统封装式(SiP)封装结构和金属、金属基复合以及陶瓷封装材料。重点阐述了金属芯印刷电路板(MCPCB)、金属基复合材料板以及陶瓷基板(如厚膜陶瓷基板、薄膜陶瓷基板、低温共烧陶瓷基板)等应用于大功率白光LED的封装基板,对各个基板的特点和散热能力进行了分析和对比。最后对大功率白光LED封装结构和封装基板的发展趋势进行了展望。  相似文献   

4.
LTCC基板与封装的一体化制造   总被引:3,自引:2,他引:3  
本文介绍了LTCC一体化基板/外壳封装的设计、制作与性能检测。  相似文献   

5.
封装基板     
《印制电路资讯》2006,(5):28-31
PC/NBPCB旺季到光电和手机板3Q末回春,三星电机2008年可望跃升全球PCB龙头,CSP封装基板PCB行业下一增长点,佳鼎宣布与志超进行策略结盟,多家PCB厂跨入LED散热板,台积电投资1.9亿美元扩大6英寸8英寸晶圆产量,……[编者按]  相似文献   

6.
大功率LED封装基板技术与发展现状   总被引:2,自引:0,他引:2  
散热是大功率LED封装的关键技术之一,散热基板的选用直接影响到LED器件的使用性能与可靠性.文章详细介绍了LED封装基板的发展现状,对比分析了树脂基板、金属基板、陶瓷基板、硅基板的结构特点与性能.最后预测了今后大功率LED基板的发展趋势及需要解决的问题.  相似文献   

7.
LTCC应用中,有些用户要求提供不切透的大尺寸联片LTCC基板,以方便后步自动贴装、自动粘片加工。本文选取为某用户加工的蓝牙基板为例,介绍了LTCC半切割基板制作技术,并从LTCC半切和激光半切的角度阐述了两种半切加工方法和工艺优化过程,对两种工艺试验结果进行了分析比较。  相似文献   

8.
封装基板     
《印制电路资讯》2007,(3):42-44
订单增加载板供货商今年营运逐季上扬;日月光接获奇梦达基板材料订单;芯片尺寸覆晶封装登场引爆商机;南电新增覆晶基板七百万颗月产能生产线;Actel CEO预言FPGA市场将在2008年强劲增长;英特尔基板单转向台湾地区[编者按]  相似文献   

9.
低温共烧多层陶瓷(LTCC)基板是微电子先进产品MCM的重要组成部分。这种基板的通孔金属化是制作成功基板的关键。本文重点分析了形成稳定金属化通孔导体的固有应力和热应力产生的原因,以及如何采取对策来解决。  相似文献   

10.
文章介绍了封装基板的技术概况与我国封装基板的整体市场状况。  相似文献   

11.
龙乐 《电子与封装》2004,4(4):24-28,32
本文介绍了发光二极管的多种形式封装结构及技术,并指出了其应用前景。  相似文献   

12.
抗折强度是反映低烧基板性能的一个非常重要的技术指标。通过试验找出了粉料粒度及配方、热压工艺条件、烧成曲线等与抗折强度的关系,并分析了其机理。试验得到的最佳工艺参数为:粉料粒度d=1.0~1.5μm;SiO2/玻璃=45/55;热压条件:P=20MPa,θ=110℃,t=40min;烧成条件:θp=850~900℃,升温速度=2.5℃/min,tk=30min。采用该工艺可将抗折强度提高到153N/mm2。  相似文献   

13.
《电子与封装》2017,(4):9-11
烧结是LTCC生产的特殊过程。烧结不仅影响着基板的外观、尺寸,还会对基板的电性能产生重要影响。烧结工序对基板质量的影响不仅要从烧结本身的参数来分析,而且也要对LTCC生产过程中的其他工序进行综合分析。这样不仅能找出基板质量问题产生的原因,同时也能防微杜渐,在生产过程中将质量隐患遏制在萌芽阶段。  相似文献   

14.
低温共烧陶瓷基板及其封装应用   总被引:4,自引:1,他引:4  
低温共烧陶瓷LTCC基板是实现小型化、高可靠微波多芯片组件MMCM的一种理想的封装技术一文章对LTCC技术的特点及应用做出了评述,主要介绍国内外LTCC的现状、发展趋势与问题,同时突出强调了LTCC的飞速发展及对微波器件的重要性。  相似文献   

15.
微电子技术和封装工艺的发展使超大规模集成电路(VLSI)的密度越来越高,而高密度低温共烧陶瓷(LTCC)基板的制作依赖于基板内部导体的精细互连技术.为了满足LTCC多层基板高密度互连的工艺要求,必须使基板微通孔的直径及导线线宽缩小到100 μm以内.基于此,首先介绍了LTCC生瓷带层的微通孔形成与填充工艺,以及所形成的微通孔的特点;利用厚膜丝网印刷技术形成精细导线,分析了影响印刷质量的工艺参数;最后简要介绍了薄膜光刻等新技术.通过应用上述几种先进的精细互连工艺技术,极大地提高了LTCC多层基板的互连密度.  相似文献   

16.
LTCC微波一体化封装   总被引:1,自引:1,他引:0  
文章介绍了采用LTCC技术制作微波一体化封装,重点研究了X波段LTCC一体化封装的微带穿墙结构及其微波特性。同时对封装的散热结构进行了研究,根据不同的散热要求采用不同的散热结构。采用导热孔散热的方式,其热导率与导热孔的排列方式(孔径和间距)有关,热导率可达50W(m·K)-1。封装的气密性与导热孔的结构有密切关系,热沉的焊接可大大提高封装的气密性。  相似文献   

17.
切片是LTCC工艺中的生瓷片流延后的第一道工艺,切片技术的好坏直接影响到后续工艺,其关键点在于其切刀与生瓷片定位技术.在介绍LTCC切片工艺的基础上,重点讨论了切片技术中的关键切刀部分的技术特点、材料特性、工艺过程和工艺控制,并分析了解决办法,介绍了该工艺在近期的应用和发展.  相似文献   

18.
提出一种基于低温共烧结陶瓷(LTCC)技术的封装形式,将声表面波滤波器(SAWF)做成表面贴装器件(SMD).该封装结构可实现SAWF基片表面上方2个换能器间的隔离,提高SAWF的阻带抑制,其器件适合于高密度组装,进而可演变成SAWF集成在电路模块的LTCC多层电路板上,即直接将SAWF的裸基片掩埋在LTCC多层电路板内,实现器件—电路—体化.  相似文献   

19.
微波滤波器在现代微波技术领域中的作用举足轻重,而基于LTCC(低温共烧陶瓷)技术的多层微波滤波器因具有满足现代电子系统要求的高频化、小型化及低成本等许多优点而成为当今微波领域常用滤波器之一。如何提高LTCC滤波器性能使其损耗更小,更适应实际工程的高要求就成为了关键一环。本文结合经典的分布参数理论设计出一个中心频率为1.2GHz,带宽40MHz的新型LTCC多层滤波器,其尺寸为14mm×20mm×2mm,并在此基础上结合金属电导率和趋肤深度的理论对金属层改进,设计出性能更优的LTCC滤波器,从而得出改善LTCC滤波器性能的方法,并做出实物验证了与仿真的一致性。  相似文献   

20.
LTCC专用烧结炉的研制   总被引:1,自引:1,他引:0  
随着低温共烧陶瓷(Low Temperature Co—fired Ceramic,LTCC)多层基板为适应电子器件向着小型化、高密度、多功能的发展,从而对低温共烧工艺设备的也提出了更为严格的要求。针对目前低温共烧工艺设备的主要特点介绍了低温共烧陶瓷技术中新型烧结炉的研制方案及技术难点。  相似文献   

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