TFT-LCD中升华物组分对柱状隔垫物性能的影响

为了分析升华物组分对柱状隔垫物性能的影响机制,对目前量产通用的隔垫物材料A和含有升华物组分的隔垫物材料B进行了研究。通过FTIR,3D扫描显微镜,弹性测试和量产测试等方法对隔垫物材料的升华物成分、形貌、力学性能和量产稳定性进行了分析。实验结果表明,添加的升华物组分是一种熔沸点较低的丙烯酸酯单体,相同工艺条件下可以增大隔垫物的顶面面积约1.5μm,同时减小其底面面积约1μm。但是在大批量产的过程中,会在掩膜板上凝结升华物形成曲面薄膜,增加辅助隔垫物的尺寸和高度。添加的升华物组分可以提高隔垫物的抗压强度,同时可以对应高PPI TFT-LCD产品的开发需求,但是会使低温气泡等不良发生的概率变大。     

新型TFT-LCD柱状隔垫物的形变研究

介绍了一种可应用于大尺寸TFT-LCD的新型柱状隔垫物(photo-spacer)材料。与已经量产的材料相比,该材料具有更高的弹性恢复率和外压形变承受能力。在相同生产条件下的对比实验显示,该材料经过230℃加热20min柱高的缩小率为3.04%,具有较好的热稳定性。机械性能评价结果显示,摩擦压力对于Spacer柱高没有太大的影响。     

液晶显示器用隔垫物的研究现状与最新进展

液晶显示器用隔垫物对液晶显示器的对比度、响应时间、视角有着重要的影响。目前所用的隔垫物主要分为玻璃隔垫物和塑料隔垫物。隔垫物的喷洒方法主要有干喷法和湿喷法两种。随着液晶显示技术的发展，现在又开发了黑色、无漏光、黏合型、高精度型以及柱状等新型的隔垫物。对液晶显示器用隔垫物的分类、制备方法、分散方法以及作用和最新进展进行了综述。     

叠层方式形成彩色滤光片隔垫物的研究

本文研究了液晶显示面板彩色滤光片工艺中以叠层方式形成隔垫物的关键技术问题,即叠层隔垫物高度控制、主-附隔垫物段差的形成和主-附隔垫物段差受后续平坦层工艺的影响变化等,并提出了解决方案。在黑矩阵、红色、绿色、蓝色滤光层形成一定的叠层高度后,采用形貌追随型平坦化材料对像素区平坦,通过控制像素开口部分OC的厚度,可以实现叠层隔垫物高度的控制。采用改变叠层图案设计的方法形成主-副隔垫物高度差(Main-sub段差),段差达成范围是0.4~1.2μm,达到了灰阶曝光方式可以达到段差的水平,但成本却大幅降低。并且验证了采用形貌追随型OC材料覆盖可以较好的保持OC工艺前形成的Main-sub段差。基于以上技术制备了4 Mask彩色滤光片原型机。     

色阻堆叠在阵列基板上形成液晶屏隔垫物的研究

报道了一种新型液晶显示屏间隙支撑隔垫物的关键技术,可以替换传统的半透/灰阶曝光工艺,仅使用一张普通的全透光罩即可实现不同的支撑高度需求,并且达到遮光的效果,大幅节约了制备成本,可用于曲面或柔性显示面板。其中,主要隔垫物由两层色阻材料堆叠衬垫并覆盖平坦化层及黑色的光阻材料形成高度,辅助隔垫物由一层色阻衬垫并覆盖平坦化层及黑色的光阻材料形成高度,主/辅隔垫物的各自高度及它们之间的段差可以通过改变衬垫色阻的尺寸及平坦化层厚度进行调节。这种调节方式可以使主隔垫物高度的调节范围达0.6μm,辅助隔垫物高度的调节范围为0.5μm,它们之间的段差可以在0.2～1.3μm之间调节,理想段差位于此区间内。基于上述技术制备的液晶显示屏具有良好的显示效果,可用于高世代大尺寸液晶显示面板的生产。     

TFT-LCD改善“斑点不良”的研究

在压力测试时,高分辨率TFT-LCD(Thin Film Transistor-Liquid Crystal Display)液晶面板会发生“斑点不良”。为了预防该不良的发生,本文分析了“斑点不良”的发生机理:压力测试时,隔垫物PS(Photo Spacer)发生滑动,将阵列基板上透光区域的配向膜-聚酰亚胺PI(Polyimide)划伤,而失去配向液晶能力,在暗态画面下,划痕处会发生漏光,形成斑点状。本文对不同尺寸及分辨率的液晶面板进行了压力测试,比较隔垫物挡墙、黑矩阵BM(Black Martrix)、隔垫物站位等不同因素对“斑点不良”的影响:隔垫物挡墙能有效阻挡隔垫物的滑动距离的23.6%,能有效降低“斑点不良”的漏光发生;当隔垫物滑动的距离未超出黑矩阵的遮挡范围时,不可见“斑点不良”或很轻微;站在金属块(Pillow)上的隔垫物比没有站在Pillow上的隔垫物滑动距离小约10%。最后以49in超高清UHD(Ultra High Definition)液晶面板为例,提出一种改善“斑点不良”的的设计方案:增加PS上下挡墙设计,降低PS滑动距离;增加BM宽度设计,保证PS边缘到BM边缘的距离大于PS滑动距离;降低PS的个数,增加PS的大小设计降低透过率损失。该方案客户验证无“斑点不良”发生且透过率下降1.2%,说明此设计方案能够有效地改善“斑点不良”。     

隔物检测方法的研究

详细阐述了微波隔物探测的基本原理。分析了在雷达回波中提取人体运动的信号特征 的基本方法。论证了使用经典的 FFT 处理技术提取特征参量的可能性，并采用长时间的频域积累的方 法提高系统信噪比，同时给出了相应的试验结果。     

关于TN型TFT-LCD中周边Mura的分析与改善

周边Mura在TN型TFT-LCD(Thin film transistor-liquid crystal display)生产中较为常见的一种不良,对画面品质影响较大,文章结合实际生产情况对周边Mura发生的原因进行理论分析和实验验证,周边Mura为光学性不良,通过调整Rubbing强度或者是增加Rubbing Cloth的恢复力等手法验证改善。最终实验得出在实际生产过程中调整Rubbing Cloth厚度和Aging时间,不良率降低80%以上,提高了产品品质。     

TFT-LCD工艺中角落白Mura的成因机理研究与改善

在新产品导入过程中会突发各种Mura类不良。本文为解决TV机种导入中出现的一种原因未知的角落白Mura,首先进行了大量的排查和推理,初步判定异常来源于成盒工艺(Cell)段,利用气相色谱(GC)、高效液相色谱(HPLC)设备测试并对比了角落白Mura区域与正常区域的液晶纯度、液晶组份和框胶溶出的差异,最后探讨了其形成的机理。结果表明角落白Mura区域液晶组份发生较大变动,液晶组份挥发是角落白Mura产生的主因。通过优化贴合时的真空抽气时间、真空保持时间、液晶滴下点数、液晶与边框胶距离等一系列的改善措施,使产品的角落白Mura发生率从16.59%降到了0.001%以下管控范围。实验有效解决了角落白Mura异常并为今后类似Mura类不良的对策提供了思路,同时提升了公司的效益和竞争力。     

TFT-LCD中驱动信号与线残像的关系研究

通过对薄膜晶体管液晶显示器(TFT-LCD)产品易产生线残像的问题进行研究,考察了不同驱动信号电压及反转方式与线残像之间的关系。结果表明,通过减小驱动信号线电压,或提高驱动信号的反转频率,均可降低公共电极与信号线的耦合程度。当灰阶电压由L255减小为L46,耦合电压幅值由240mV降为34.8mV;当驱动信号方式由帧反转变为点反转时,耦合电压幅值由112.6mV降为63.1mV,有效地改善了线残像,并利用德拜弛豫公式分析了驱动信号反转对线残像的作用机理,为线残像的分析和改善提供了理论依据和解决方向。     

TFT-LCD制造过程中的盒厚控制工艺研究

以国内最先进的第5代TFT-LCD生产线为基础,对生产过程中影响盒厚的因素进行探讨和研究,为TFT-LCD生产中的盒厚控制提供参考。主要探讨了TFT-LCD生产中,液晶滴下工艺、垫料散布工艺、封框胶涂敷工艺对液晶盒厚的影响。     

Zara漏光和Rubbing Mura改善研究

研究了摩擦强度对Zara漏光和摩擦痕Mura的影响。实验表明,当摩擦强度偏低时,Zara漏光易发生,而摩擦强度偏高时,则易引发摩擦痕Mura。通过选择合适的摩擦强度,可降低Zara漏光和摩擦痕Mura的发生率。另外,利用FIB对基板表面进行分析,找到了FFS型产品容易发生Zara漏光和摩擦痕Mura的原因。     

基于PenTile RGBWTM算法的高像素密度a-Si TFT移动液晶显示屏

采用传统的移动设备设计规则,基于PenTile RGBWTM算法开发了a-Si TFT移动液晶显示屏。将AFFS模式和PenTile RGBWTM算法相结合,制作的TFT液晶屏获得了超过200 cd/ m2的高亮度,500∶1的高对比度,以及达到VGA标准,可以清晰显示互联网网页的高分辨率。     

一种TFT-LCD Vertical Block Mura的研究与改善

在TFT-LCD(Thin Film Transistor-Liquid Crystal Display)以及其他显示器件产品中,Mura是一种比较常见的不良现象,它可以直接影响到产品的画面品质。文章结合生产工艺的实际情况,采用MM,CD,EPM,SEM,FIB等检测设备,对一种Vertical Block Mura进行了大量的实验测试、数据分析和理论研究工作,特别是对其产生的原因创新性地提出了两种方向上的理论观点。通过加强设备科学管理监控,减小耦合电容效应等一系列改善措施,产品质量得到了很大程度的提升,Vertical Block Mura从改善前的26.1%降到了1.3%,从而使Vertical Block Mura得以改善,很大程度地提高了产品的品质,并为今后相关问题的进一步研究和解决奠定了一定的理论基础。     

TFT-LCD制程对低频横纹色差的影响及研究

LC配向的均一性在LCD中是必不可少的,光配向制程是通过施加紫外偏振光照射在IPS(In-Plane Switch)LCD中形成液晶配向沟槽的一种技术,然而紫外光照射的同时会损伤TFT器件,使非晶硅层产生光生载流子,电子发生迁移,导致TFT漏电流从而影响图像品质,产生横纹色差。在低频时,栅极开关时间延长,相邻扫描线之间容易发生混充电现象,部分充电截止的像素重新充电,从而使横纹色差变严重。本文从制程和电性调整方面对低频横纹色差进行了研究,结果表明:(1)紫外光照射后进行烘烤,可以有效降低漏电流,高温度(240℃)+长时间(4 200s)改善低频横纹色差效果佳(比例:0.00%);(2)延长Out Enable(4.8μs)+降低V_(gh)(18V)+提高GOA(Gate On Array)电路中电压V_(SS_Q)(-7.5V),改善低频横纹色差效果佳(比例:0.00%)。     

PCI结构TFT-LCD产品竖Mura不良机理分析及改善研究

针对像素电极与公共电极换位(P-ITO and C-ITO Interchanged,PCI)结构薄膜晶体管液晶显示器(Thin Film Transistor-Liquid Crystal Display,TFT-LCD)产品中出现的一种竖Mura,结合生产工艺的实际情况,本文运用关键尺寸(Critical Dimension,CD)、EPM(Electrical Properties Measurement)、SEM(Scanning Electron Microscope,扫描电子显微镜)等检测设备,进行了大量的实验测试、数据处理和理论分析工作。通过测量Cell Gap、膜厚、CD、Overlay等特性参数,进行产品设计对比、光效模拟和Lens恶化实验,发现该不良与PCI结构的特殊性有关。其产生的根本原因是不良区域内两层ITO之间左右非交叠区域CD差异造成电场分布异常导致液晶偏转角度异常,最终导致屏幕亮暗不均。通过改变ITO对位方式提高两层ITO之间左右非交叠区域的均一性,有效地降低了不良的发生率(从26%下降到0.1%以内)。     

TFT-LCD制程中Sand Mura的失效模式分析及改善研究

在薄膜晶体管液晶显示器件(TFT-LCD)的制作过程中,Mura是一种常见的不良现象,它可以直接影响到产品的画面品质。本文结合生产工艺的实际情况,采用宏观微观检查设备Macro/Micro(M/M)、扫描电子显微镜(SEM)、聚焦离子束测试仪(FIB)等设备进行检测分析,研究了产品开发过程中出现的Sand Mura问题。实验结果表明,Sand Mura发生的主要原因是像素电极ITO在刻蚀过程中由于过刻发生断裂,导致在通电时该处液晶分子偏转发生异常,进而阻挡了光的透过而形成暗点;通过变更ITO薄膜的厚度及刻蚀时间等一系列措施,防止了像素电极在PVX过孔处因过刻引起的断裂,不良发生率降至0.3%,产品质量得到了很大的提高。此外,过孔设计优化方案有助于新产品开发阶段避免该不良的发生,为以后相关问题的研究奠定了一些理论基础。     

周边配向膜Mura改善研究

在大世代线液晶面板厂,因产品切换便捷、产能高等优势,配向膜材料涂布多采用喷墨印刷方式。但随着高分辨率、无边框等技术升级,喷墨印刷方式面临的挑战也随之增加,产生了很多新的配向膜不良。本文研究了一种周边配向膜Mura,分析原因为阵列基板上的配向膜固化时,在基板周边过孔处出现堆积,造成周边显示区配向膜厚不均匀,导致显示区边缘形成暗线不良。文章从配向膜边界位置、预固化温度、预固化环境气压和配向膜膜厚4个方面进行分析实验,证明了外扩配向膜边界、降低预固化温度、降低预固化环境气压和降低配向膜膜厚,可以有效减轻配向膜在周边过孔处堆积,进而成功解决此不良,获得优异的显示品质。