柔性透明导电薄膜(ITO)简介

柔性透明导电薄膜(ITO)是一种新型半导体材料, 目前主要依赖进口, 但价格昴贵, 国内生产厂家较少. 深圳市北庆薄膜技术有限公司经多年研制、开发, 形成了年产50,000m2透明导电膜(ITO)的能力, 产品质量完全可以替代同类进口产品.     

柔性透明导电薄膜(ITO)简介

柔性透明导电薄膜（ＩＴＯ）是一种新型半导体材料，目前主要依赖进口，但价格昂贵，国内生产厂家较少．深圳市北庆薄膜技术有限公司经多年研制、开发，形成了年生产５０，０００Ｍ透明导电膜（ＩＴＯ），产品质量完全可以替代同类进口产品．北庆公司所生产的导电膜具有重量轻、体薄、导电性能好、透过率高、耐冲击、可弯曲、可任意冲裁加工等优点，该产品可以用作光电子器件的透明电极、电磁静电屏蔽的透明视窗、观察窗以及防霜加热膜，还可以用在特殊要求的透明器件上作防静电包装，在某些方面它可以取代导电玻璃，并且可以开拓许多导电玻…     

柔性透明导电薄膜(ITO)简介

柔性透明导电薄膜 (ＩＴＯ)是一种新型半导体材料 ,目前主要依赖进口 ,但价格昴贵 ,国内生产厂家较少。深圳市北庆薄膜技术有限公司经多年研制、开发 ,形成了年产 50 ,0 0 0ｍ2 透明导电膜 (ＩＴＯ)的能力 ,产品质量完全可以替代同类进口产品。北庆公司所生产的导电膜具有重量轻、体薄、导电性能好、附着力强、透过率高、耐冲击、可弯曲、可任意冲裁加工等优点 ,该产品可以用作光电子器件的透明电极、电磁静电屏蔽的透明视窗、观察窗以及防霜加热膜 ,还可以用在特殊要求的透明器件上作防静电包装 ,在某些方面它可以取代导电玻璃 ,并且可以开…     

柔性透明导电薄膜(ITO)简介

柔性透明导电薄膜 (ITO)是一种新型半导体材料 ,目前主要依赖进口 ,但价格昴贵 ,国内生产厂家较少。深圳市北庆薄膜技术有限公司经多年研制、开发 ,形成了年生产 5 0 ,0 0 0 M透明导电膜(ITO) ,产品质量完全可以替代同类进口产品。北庆公司所生产的导电膜具有重量轻、体薄、导电性能好、透过率高、耐冲击、可弯曲、可任意冲裁加工等优点 ,该产品可以用作光电子器件的透明电极、电磁静电屏蔽的透明视窗、观察窗以及防霜加热膜 ,还可以用在特殊要求的透明器件上作防静电包装 ,在某些方面它可以取代导电玻璃 ,并且可以开拓许多导电玻璃所不…     

ITO导电薄膜透明图案对比度增强方法

铟锡氧化物(Indium Tin Oxide,ITO)导电层是触控显示技术的绝对定位元件,为保障定位的灵敏性和准确性,需对导电层表面缺陷进行质量检测.本文针对导电层透明区域机器视觉自动检测存在的问题,提出了图案对比度增强的方法.该方法首先利用ITO材料的光谱属性及其表面光学特性,设计出用于ITO导电层检测的近红外同轴光照明,将图像对比度从零提高到4.5%.在通过光学方法实现了对比度从无到有的转变后,充分利用数字图像预处理的优势,结合基于小波变换的非线性增强方法,最终成功将对比度提高至16%,为后续ITO导电层缺陷的分析和识别提供了良好保障.     

高分辨率ITO导电薄膜透明区域缺陷识别

为识别铟锡氧化物导电薄膜透明区域内可能存在的加工型和移交型缺陷,并满足实际应用需求,提出了基于高分辨率视觉系统的自动缺陷识别方法.根据铟锡氧化物薄膜光学特性和空间要求,设计了工作距离为30mm的科勒式同轴光照明模块.此外,为了与照明部分通用光学元件,设计了适用于应用检测的高分辨率成像模块.完成图像采集后,为便于分别检测两类缺陷,采用了两种预处理方法:对图像进行邻域半径r=7的中值滤波并与原图像相减后,获取清晰的划痕缺陷;对图像进行形态学和与阈值处理后,获取对比度为48%的透明电路图案.处理后的图像为缺陷的自动识别提供了可靠的依据,保障了铟锡氧化物薄膜定位的灵敏度和准确度.     

透明导电薄膜

<正> 引言金属薄膜和半导体薄膜都具有透明、导电和反红外线三种性能。我们镀制的掺锡(SnO_2)三氧化二铟(In_2O_3)薄膜,方电阻R_□=20±10Ω;可见光透光率T_(0.4～0.75)=(96±2)%,激光1.06μ透光率T_(1.06)=(92±2)%;对直径140㎜、厚12㎜的玻璃上镀膜后,施加28V的电压,经过5min可以从-45℃低温下上升到5℃;用功率50MW,能量500mJ的激光器连续2min600次发射激光冲击膜层,膜层未见损伤。本文将要介绍透明导电膜的分类、几种制备方法、透明导电膜的机理、镀膜的工     

透明导电薄膜ITO对浅面浮雕VCSEL的影响

对于顶面出光的浅面浮雕VCSEL结构,有源区的电流密度分布的不均性制约着单模稳定性的提高。为此,提出了一种新型结构:氧化铟锡透明导电薄膜(ITO)浅面浮雕VCSEL。该结构不仅能够增大高阶模式的阈值增益,还能够提高基模的增益,实现基模对高阶模式的稳定抑制。研究了ITO的厚度对阈值增益的影响及ITO对VCSEL有源区电流密度分布的影响。研究结果表明:在ITO的厚度为半波长的整数倍时,基模对高阶模式的限制作用最强;ITO通过改善VCSEL有源区的电流密度分布,达到了增大基模的增益和降低高阶模式增益的目的,同时还降低了串联电阻和外电压。     

InZnO薄膜透明导电的制备及其柔性的表征

利用激光脉冲沉积(PLD)技术在室温条件下将IZO薄膜生长在塑料衬底上,通过控制生长压强来调节薄膜的电学性质。然后对光电性质最优的薄膜进行了柔性测试,结果显示薄膜的内弯折半径小于9 mm后电阻会显著增加,对于弯折引起的电学性能的变化进行了初步的讨论。     

透明导电薄膜研究现状

一透光率高电阻率低的透明导电薄膜,在飞机、航天飞行器和太阳能光伏电池诸方面,都有重要应用．具体地说,可用作电光显示器件的透明电极;超大口径电光快门透明电极;飞行器上防霜加热玻璃窗;防反射多层膜以及特制毛玻璃等．透明导电薄膜,有各种制备材料及制膜方法．制备材料有金、钢等纯金属和金属氧化物．金属氧化物中,目前最好的材料为ＳｎＯ２和Ｉｎ２Ｏ３等．获得透明导电膜的方法,通常有下列几种．１．蒸熏法把Ｓ?...     

导电玻璃ITO上有机薄膜的受激发射

本文以有机薄膜Perylene:PS为增益介质，在透明导电薄膜ITO衬底上，实现了在光泵浦条件下光增益放大。观察到的放大自发发射峰位于478nm，光谱半高全宽为7nm。     

红外透明导电金属网栅薄膜

介绍了一种既高效透过红外光 ,同时又能有效屏蔽电磁干扰的金属网栅薄膜的基本原理和制备工艺。分析了网栅参数对其光学及电磁性能的影响。介绍了利用光刻和镀膜技术 ,在红外基片上制作线条宽度小于 10 μm ,周期约 35 0 μm的金属网栅。     

V掺杂ZnO透明导电薄膜研究

本文分别采用磁控溅射技术与基于密度泛函理论的平面波赝势方法两种方式, 对高价态差元素V掺杂ZnO薄膜进行研究. 实验研究结果表明: V的掺入并未改变ZnO的生长方式, 所制备的薄膜都呈(002)择优生长; 随着衬底温度增加, VZO薄膜的结晶质量逐步改善, 当衬底温度超过280 ℃时薄膜的结晶质量恶化; 在280 ℃时获得的VZO薄膜电阻率最低3.8×10^-3 Ω·m, 500-2000 nm平均透过率高于85%. 理论模拟结果表明: V以替位形式掺入ZnO六角纤锌矿晶格结构中, 费米能级进入导带, 材料表现出n 型半导体的特性, 导电电子主要由V 3d及O 2p电子轨道提供. 理论计算结果与实验结果的一致性, 表明VZO薄膜具有作为高效Si基薄膜太阳电池透明导电薄膜的应用潜力.     

氧化铟掺铪红外透明导电薄膜

采用射频磁控溅射与退火工艺相结合的方法,分别在石英和硒化锌(ZnSe)衬底上制备了掺铪氧化铟(IHfO)薄膜,掺杂比例In2O3∶HfO2为98wt.%∶2wt.%.测试了薄膜的组成结构和3～5μm红外波段的光电性质,分析了退火温度、薄膜厚度和氧气流速对薄膜性能的影响.X射线衍射、扫描电子显微镜和X射线能谱表明,制备的IHfO薄膜具有氧化铟的立方体结构,掺杂铪并没有影响氧化铟的生长方向,但是减小了晶格间距,铪与铟外层电子形成新的杂化轨道.傅里叶变换红外光谱表明,随着退火温度的增加,IHfO薄膜在3～5μm波段的透过率逐渐下降,沉积在ZnSe衬底上的薄膜具有更平稳的透过率,厚度为100nm薄膜在3～5μm波段平均透过率为68%.测试霍尔效应表明,随着氧气流速的增加,IHfO薄膜电阻率逐渐增加,载流子浓度减小,霍尔迁移率变化不明显.晶界散射是影响IHfO薄膜迁移率的主要因素,当氧气流速为0.3sccm时,薄膜最佳电阻率为3.3×10~(-2)Ω·cm.与透可见光波段的导电氧化铟锡(ITO)薄膜相比,制备的IHfO薄膜可以应用在3～5μm红外波段检测气体,红外制导等领域.     

电子束蒸镀氧化铟透明导电薄膜

用电子束蒸发掺SnO2氧化铟靶,可以制得性能良好的透明导电薄膜,电阻率在2.5-3.5×10-4Ωcm,可见光透过率达90%.这种导电薄膜能代替SnO2透明导电薄膜,并优于SnO2导电薄膜. 本文着重研究了影响氧化铟透明导电薄膜导电性、透光性的主要因素,为获得性能良好的透明导电薄膜提供了重复性较好的工艺条件.]     

掺铪氧化锌红外透明导电薄膜

采用射频磁控溅射法在蓝宝石衬底上制备了Hf∶ ZnO (HZO)薄膜,研究了氧气流速和退火温度对薄膜微观结构和光电性能的影响.为了提高薄膜的结晶性,将制备的薄膜在800℃下退火30 min,并自然冷却到室温.测试、分析了退火后薄膜的微观结构和光电性能.研究发现,随着氧气流速从0增加到0.6 mL/min,薄膜的致密度逐渐增大,电阻率逐渐降低,而当氧气流速继续增大到0.8 mLL/min时,薄膜的结晶性恶化,电阻率突然升高.氧气流速为0.6 mL/min时制备的薄膜光电性能最佳,利用傅里叶红外光谱仪和霍尔测试仪进行测试,得到薄膜在3～5 μm波段的平均透过率为83.87％,电阻率为1.66×10-2 Ω·cm,载流子迁移率为13.4 cm2·V-1·s-1,载流子浓度为2.82×1019 cm-3.利用X射线衍射仪进行测试,发现薄膜样品具有ZnO的六方纤锌矿结构,并沿(002)方向择优生长,通过扫描电子显微镜可以看到薄膜表面生成致密均匀的球状结构颗粒.这种薄膜可以用作3～5 μm波段的透明窗口.     

高均匀性柔性纳米银线透明导电薄膜的制备及其性能研究

对真空抽滤法进行了改进,制备出高均匀性且只存在极少量纳米银微粒的纳米银线透明导电薄膜.将纳米银线在同一片衬底上依次进行真空抽滤和压制并重复多次,然后对制备的透明导电薄膜的表面形貌以及透光率和方阻的分布进行了讨论.结果表明通过三次压制制备出的导电薄膜的透光率约为82.7%,平均方阻为7.47Ω/sq.     

基于金属掺杂ITO透明导电层的紫外LED制备

为降低ITO薄膜对紫外波段的光吸收,制备低电压高功率的紫外LED,研究了一种基于金属掺杂ITO透明导电层的365 nm紫外LED的制备工艺。利用1 cm厚的石英片生长了不同厚度ITO薄膜以及在ITO上掺杂不同金属的新型薄膜,并研究了在不同的退火条件下这种薄膜的电阻和透过率,分析了掺杂金属ITO薄膜的带隙变化。将这种掺杂的ITO薄膜生长在365 nm外延片上并完成电极生长,制备成14 mil×28 mil的正装LED芯片。利用电致发光（EL）设备对LED光电性能进行测试并对比。实验结果表明:掺Al金属的ITO薄膜能够相对ITO薄膜的带隙提高0.15 eV。在600℃退火后,方块电阻降低6.2 Ω/□,透过率在356 nm处达到90.8%。在120 mA注入电流下,365 nm LED的电压降低0.3 V,功率提高14.7%。ITO薄膜掺金属能够影响薄膜带隙,改变紫光LED光电性能。     

透明导电氧化铟锡薄膜的特殊应用

阐述了氧化铟锡（ＩＴＯ）薄膜的气敏特性及其导电扩散阻挡作用，对ＩＴＯ气敏薄膜及扩散阻挡层薄膜的制备过程、测试方法和应用进行了研究讨论。