仲态电子偶素湮没辐射能量的测量

利用充氧气的气凝硅胶电子偶素源,用与已知的¹⁰⁶Ru γ射线能量511856.2(2.3)eV相比较的方法,测得仲态电子偶素湮没2γ射线的能量为510998.7(2.5)eV将此数值(经结合能修正)与电子静止质量所对应的能量(m_ec²)进行了比较.     

不同气氛下多孔硅中电子偶素湮没行为研究

使用正电子湮没谱学方法,在不同气氛下对电化学腐蚀法制备的多孔硅中电子偶素的湮没行为进行了系统的研究.正电子湮没寿命谱测试结果表明,样品中存在长达40 ns的电子偶素湮没成分,并且进入多孔硅膜层的正电子约有80%形成电子偶素,具有非常高的电子偶素产额;在氧气气氛下,由于气体导致o-Ps发生自旋转化猝灭是使多孔硅样品中电子偶素寿命缩短的主要原因.结合正电子寿命-动量关联谱测量结果,分析了不同气氛下多孔硅样品中电子偶素湮没寿命及动量变化关系,讨论了多孔硅中电子偶素的湮没机理以及气氛对孔径计算理论模型的影响. 关键词： 电子偶素 正电子湮没谱学方法 多孔硅     

ZIFs纳米晶体中电子偶素的自旋转换

ZIFs晶体由咪唑基桥接单金属离子构成,可通过咪唑酯连接物灵活选取合适的官能团对其结构进行调控,因而被赋予更多新的性质和功能. ZIFs晶体中孔结构及其化学环境与其性能紧密相关.本文采用静置法制备了ZIFs纳米晶体. X射线衍射结果证实制备的晶体为典型的ZIF-8晶体,扫描电子显微镜图可观察到其规则的菱型结构. N₂吸附-脱附测试表明ZIFs晶体具有较大的比表面积和孔容,分别为2966.26 m~2/g和3.01 cm~3/g.随着Co摩尔含量的增大, ZIFs晶体比表面积和孔体积逐渐减小,但是其孔径大小几乎稳定保持在12?左右.而N₂吸附-脱附等温线计算得到的孔径分布未显示咪唑配体组成的六元环的超微孔信息(3.4?).此外,利用正电子湮没寿命和多普勒展宽对晶体的微观结构和表面性能进行了研究.正电子的寿命谱有4个分量.较长寿命τ3,τ4分别是o-Ps在其微孔区域和晶体规则棱角间隙处的湮没寿命.随Co摩尔含量增大,其寿命τ3几乎没有变化,而较长寿命τ4从30.89 ns降至12.57 ns,其对应强度I3,I4也分别从12.93%和8.15%急...     

氧分子对电子偶素的态转换

把气凝硅胶作为可变能量的电子偶素源,用时间选择γ能谱仪研究电子偶素在氧气中的运动,验证快速电子偶素与氧分子非弹性碰撞发生的态的转换效应,测得在两个阈能附近的截面为2.1×10^－17cm²和6.6×10^－18cm².研究慢速电子偶素与氧分子弹性碰撞交换电子所致态转换,发现过程的截面与电子偶素平均速度的平方根成反比,这一过程可以提供比较干净的仲态电子偶素源进行其它精密物理实验.     

正态电子偶素衰变率的实验研究

本文提出用外推N_2γ/N_3γ→0的方法测正态电子偶素的真空衰率λ₀,初步结果得到λ₀=7.034±0.013μs^－1,讨论了进一步改进实验的可能性.     

电子偶素在OMC/SBA-15,OMC@SBA-15及CuO@SBA-15催化剂中的化学猝灭

以P123为结构导向剂、TEOS为硅源制备了有序介孔二氧化硅SBA-15,并以此为模板制备了有序介孔碳(OMC).小角X射线衍射、高分辨透射电子显微镜和N₂吸附/脱附等测试结果均证实SBA-15与OMC具有高度有序的孔结构、相对较高的比表面积,且孔洞平均尺寸分别约为7.5 nm和3.3 nm.分别采用固相反应法和浸渍填充法制备了OMC/SBA-15复合材料和OMC@SBA-15及CuO@SBA-15复合材料.随着OMC和CuO质量分数的增大,3种复合材料中o-Ps寿命τ₄和其强度I₄均减小.o-Ps湮没率λ₄随OMC和CuO质量分数的变化可用一条或两条直线很好地拟合,OMC/SBA-15,OMC@SBA-15及CuO@SBA-15复合材料中反应速率常数k分别为(2.39±0.44)×10~7 s^-1/(6.65±0.94)×10~6 s^-1,(2.28±0.19)×10~7 s^-1和(8.76±0.47)×10~6 s^-1<...     

真空电子偶素原子的产生

用慢正电子束入射固体靶表面,通过测量湮没光子能谱随靶温度和入射慢正电子能量的变化,用“峰法”确定慢正电子产生电子偶素原子的转换率。转换率依赖于靶材料、靶温度和入射慢正电子能量。对材料锗转换率可达80％。 关键词：     

正电子偶素三光子衰变的光子角分布

用²²Na和气凝硅胶构成的电子偶素源及三重符合的NaI(T1)计数器,测量了正电子偶素三光子衰变.在末态两个光子对第三光子的夹角为对称的几何条件下,测量了大角度区域的光子角分布.连同已有的小角度区域测量数据,给出了完整的光子角分布曲线.实验曲线与理论预期值符合得很好.     

用正电子湮没多普勒增宽谱测量金属中电子的费变能级

高校中不少实验室具有半导体探头能谱仪,可扩展用作正电子湮没多普勒增宽谱仪,并测量金属中电子的费变能级。     

用正电子湮没多普勒增宽谱测量金属中电子的费米能级

高校中不少实验室具有半导体探头能谱仪,可扩展用作正电子湮没多普勒增宽谱仪,并测量金属中电子的费米能级     

正电子偶素(o-Ps)寿命困惑及其最终解决

正电子偶素o-Ps是由电子和正电子组成的纯轻子束缚系统，o-Ps在真空中的寿命可由量子电动力学进行精确的理论计算，但长期以来理论值和实验测量值之间存在较大的偏差，为了解决这一问题，理论和实验物理学经过长期共同努力，最终于近年解决了o-Ps寿命困惑．文章简要介绍了正电子偶素o-Ps寿命理论值和实验值之间不一致的历史状况和最近的实验技术的改进以及该问题的最终解决情况，并重点介绍了Tokyo实验组和Michigan实验组的最新结果．     

对“微波共振跃迁法测量电子偶素2~3S_1-2~3P_1精细结构”实验拟合公式的探讨

本文对Michigan大学S.Hatamian等人在“微波共振跃迁法测量电子偶素2~3S_1-2~3P_J精细结构”实验中所用拟合公式进行了审慎的分析和推证,修正了该公式的功率增宽项,并就Mainz大学R.Ley等人对该公式的批评作了评价。最后,采用新、旧拟合公式对Michigan组实验数据进行拟合并讨论其结果。     

激光辅助的电子偶素对反质子的反氢生成反应

在一级玻恩近似下, 研究了在激光辅助的电子偶素-反质子碰撞中的反氢合成. 发现在小角范围内, 平行于电子偶素入射方向极化的激光使反氢生成截面变小. 在中等角度范围, 截面有一定的增加, 特别当偏振方向垂直于入射方向时, 截面增加比较明显.     

新激光技术生成冷电子偶素

美国的物理学家发现电子偶素（一种短寿命的电子与正电子的束缚态）可以通过用激光束照射硅的表面而生成.由于这种技术是高度可控的,并且适用于很宽的温度范围,因而对于为寻找物质与反物质特性上的微小差别而设计的低温实验是极为有用的.     

用玻尔理论统-处理氢原子、电子偶素和氦原子基态能级

用玻尔氢原子理论处理氢原子和电子偶素基态的方法，在假定了氦原子基态的经典模型后，给出了氦原子基态能级和半径，并与实验和量子力学变分法计算的结果作比较，说明玻尔氢原子理论对氦原子基态能级的计算有一定的意义．     

用玻尔理论统一处理氢原子、电子偶素和氦原子基态能级

用玻尔氢原子理论处理氢原子和电子偶素基态的方法,在假定了氦原子基态的经典模型后,给出了氦原子基态能级和半径,并与实验和量子力学变分法计算的结果作比较,说明玻尔氢原子理论对氦原子基态能级的计算有一定的意义.     

重夸克偶素质量谱的相对论夸克模型研究（已撤稿）

使用量子场论中准势途径的相对论夸克模型,计算了重夸克偶素的质量谱.所采用的同味正反夸克间的有效相互作用包括通常的直接单胶子交换、单胶子湮没及具有相对论修正的标量和矢量线性禁闭的混合.得到了与实验上肯定的数据符合较好的拟合计算结果，并讨论了湮没项和相对论修正各项对能谱超精细分裂的作用. 关键词： 重夸克偶素 质量谱 相对论修正 湮没势     

合金化成分对NiTi合金M_s点影响的正电子湮没研究

用双探头符合系统测量了金属Fe、Co、Ni、Al、Nb、Cu、Ti和NiTi合金的多普勒展宽谱,计算了其S参数和W参数,分析了合金中d-d金属键的作用.结果表明,当用Fe、Co或Al原子加入NiTi合金时,都将使合金中参与形成d-d金属键的d电子减少,从而使金属键减弱;而用Cu或Nb原子加入NiTi合金时,对合金中d-d电子作用的影响很小,合金中共价键的成分变化不大.在NiTi合金中加入合金化元素可以改变其电子结构,进而影响Ms点.     

粲夸克偶素P波态χc0宽度测量

利用北京谱仪在北京正负电子对撞机上采集的350万(2S)事例,通过ψ(2S)→γπ⁺π^－和γK⁺K^－反应道测量了χ_c0的总宽度.由Monte Carlo模拟给出的质量分辨函数,利用拟合χ_c2谱形得到的质量分辨作标定后,用于χ_c0宽度的拟合,得到χ_c0的宽度为(15.0)MeV.同时定出了χ_cJ(J=0,2)到π⁺π^－+K^－的衰变分支比.结果为B(χ_c0→π⁺π^－)=(4.27±0.23±0.60)×10^－3,B(χ_c0→K⁺K^－)=(3.44±0.21±0.47)×10^－3,B(χ_c2→π⁺π^－)=(1.52±0.17±0.29)×10^－3 和 B(χ_c2→K⁺K^－)=(5.2±1.1±1.8)×10^－4,其中第一项误差为统计误差,第二项为系统误差.