提高电子战系统质量要求优化使用微波单片集成电路

提高封装密度和可靠性可以实现较低的寿命周期成本。     

砷化镓微波单片集成电路的失效分析

通过封装内部气氛、芯片显微、能谱等分析手段对国内某研究所研制砷化镓微波单片集成电路高温加速寿命试验后的样品进行了失效分析,对其失效机理进行探讨,得出:封装气密性不好、工艺造成的缺陷是引起失效的主要原因,也是造成国内产品质量与可靠性不如国外同类产品的重要原因。     

宽带微波单片集成电路技术及其应用

电子战与光传输系统是宽带微波单片集成电路（ＭＭＩＣ）的重要应用领域。传统的宽带设计技术和以它为基础的各种综合设计技术普遍用于宽带ＭＭＩＣ的设计。分布式拓扑是实现多倍频程带宽的主要设计途径。９０年代新兴的三维ＭＭＩＣ技术和ＩＥＭＴ－ＨＢＴ技术已成功地应用于宽带ＭＭＩＣ的设计和制造，显著地改善了电路，组件及电子系统的性能和功能。     

砷化镓微波单片集成电路可靠性预计模型研究

在对微波单片集成电路（MMIC）的失效模式和失效机理进行分析的基础上,提出了砷化镓微波单片集成电路（GaAsMMIC）的可靠性预计数学模型,并通过加速寿命试验确定了产品的基本失效率和预计模型温度系数πT0在大量统计工艺数据和文献数据的基础上,获得了可靠性预计模型中的其它系数。     

单片微波集成电路工艺技术

单片微波集成电路(MMIC)由于近几年来工艺技术上的突破,正成为MIC中发展最快和最有前途的重要分支。其产品已由实验室走向生产,并在各领域得到广泛应用。本文对近年来MMIC工艺技术上的进展作一简述。     

微波／毫米波砷化镓单片集成电路及其应用（2）

主要介绍国外微波／毫米波砷化镓单片集成电路的开发及其应用。     

单片微波集成电路放大器

介绍单片微波等成路的特性     

微波／毫米波砷化镓单片集成电路及其应用（3）

主要介绍国外微波／毫米波砷化镓单片集成电路的开发及其应用。     

微波／毫米波砷化镓单片集成电路及其应用（1）

主要介绍国外微波/毫米波砷化镓单片集成电路的开发及其应用。     

单片微波集成电路的技术进展

根据从１９９６年国际微波会议和微波与毫米波单片集成电路会议上了解的情况，本文综述了单片微波集成电路当前的技术进展和值得注意的动向。     

国内外微波毫米波单片集成电路的现状和发展趋势

本文综述了美国、日本及西欧等国在微波、毫米波单片集成电路MMIC方面的研究现状及发展趋势;指出我国MMIC研制情况与差距,并提出了开发建议。     

微波单片集成电路的成品率优化

采用建立管芯等效电路模型、灵敏度分析以及统计勘探法对微波单片集成电路进行成品率优化，并编制了软件，加入到ＧａＡｓ ＩＣ ＣＡＤ系统中。应用该软件对Ｘ波段低噪声ＭＭＩＣ、超宽带ＭＭＩＣ放大器进行了设计，成品率有较大的提高，电路性能有所改善。     

微波集成电路频率变换装置

用于频率变换的微波集成电路包含一对混频器,它们把接收的输入射频信号与一对正交频率调制信号棍合,然后通过正交耦合器将混频器的输出合成,抑制除了输入射频信号和频率调制信号之外的其它所有信号。在强冲击、温度变化显著并且要求稳定性高、工作迅捷的环境中,通过最大程度地减小微波集成电路体积来达到上述要求,此微波集成电路陶磁基片的上下两个表面均有微带线。混频器由4个二极管组成,它们被压焊至微带的一个表面,以便承受较大的冲力。利用相对面上锥形地平面保证适当的平衡。抑制下边带的正交耦合器是兰杰(LANGE)形耦合器,它被集成在基片的上表面。     

单片微波集成电路的快速电磁仿真技术

本文概述了单片微波集成电路(MMIC)电磁仿真的基本原理,提出了电路特性参量的直接摘取法,研究了两项矩阵降阶技术,从而建立了一套省时、实用的MMIC快速电磁仿真技术。两个仿真实例证明了该技术的有效性,仿真速度约可提高一个数量级。     

用于微波信号处理系统的单片微波集成电路组件技术

一、引言单片微波集成电路(MMIC)组件技术正在推动着微波信号处理在复杂系统中的实现。金属半导体场效应晶体管(MESFET)和双极性异质结晶体管(HBT)芯片都呈现出可继续增加功能集成能力和较宽的带宽。这就能使精密接收机和过去还不能做到的一些并联信号结构得以发展。本文重温基本模拟信号处理函数的定义和特性,并且研究如何用各种MMIC技术来加以实现。系统效果的研究和远期发展趋势的分析预示着今后五年内信号处理量将会以数量级增加。各种形式和体系的模拟信号处理函数是可以实现的,并适于用MMIC芯片来实现。