光纤光栅有效折射率的变化与纤芯曝光时间关系的研究

本文提出了一种测量光纤光栅有效折射率随曝光时间变化关系（ｎｅｆｆ～ｔ关系）的新方法，与常用的布拉格波长漂移测量法相比较，该法从理论上有更为准确的测量结果．     

光纤(缆)特性参数——衰减和数值孔径测量方法比较

本文根据IEC和CCITT推荐的对光纤(缆)特性参数——衰减和数值孔径测量的几种方法进行实验测量结果比较,目的是为这些参数测量方法的部标制定作试验验证,为标准的制定提供试验依据。文内还给出实验室之间比较测量的结果。     

大芯径光纤基模功率传输特性与折射率分布形式关系的研究

研究和分析了光纤芯区径向折射率分布对大芯径光纤基模的功率传输特性(主要包括最大功率密度和等效模面积这两个参数)的影响。采用一种可适用于多种光纤实际折射率分布的独特数学表达式,研究了折射率分布形状变化时大芯径光纤基模在横截面内功率密度分布与等效模面积的变化,并将结果与阶跃型折射率光纤进行对比。计算结果表明,在传输功率相同、光纤基模与高阶模等效折射率差大于10-4的前提下,折射率在芯区中心有一定凹陷的分布可以有效降低横截面内基模功率密度的最大值,增大基模的等效模面积。这一研究为设计和制作可以传输更大功率的大芯径的无源和有源单模光纤提供了理论基础。     

近地面1 km高度处折射率梯度与地面气象参数统计关系的研究

近地面大气折射率梯度是影响无线电系统性能的重要因素.为研究近地面折射率梯度与地面气象参数温湿压的关系,利用太原地区1986—1995年的探空数据,拟合出近地面折射率梯度与地面气象参数的关系模型.拟合分析结果表明:太原地区近地面1 km高度处折射率梯度与地面气象参数的线性关系优于与地面折射率的指数关系;从与地面气象参数的线性模型中可以直观地看出折射率梯度受地面温湿压影响的权重.通过研究近地面折射率梯度与地面气象参数的统计关系,可更快捷地通过地面温湿压评估近地面无线电视距,从而进一步为大气折射的研究提供支持,为优化无线电系统规划设计提供支撑.     

皮秒光纤激光器突破100 W壁垒——光纤主控振荡功率放大器(MOPA)具有1 GHz脉冲重复频率和超过300 W的平均输出功率

光纤激光器所具有的相当高的连续波输出性能,超过1 kW的输出功率和优异的光束质量早已得到证明.英国南安普顿大学和南安普顿光子学研究所的研究人员业已证实,利用目前的光纤技术也可使皮秒光纤激光器的平均输出功率提高到100 W以上.他们已经成功地使这类激光器的平均输出功率达到321 W,并相信有可能提高到500 W.而在此之前,由于受非线性效应的限制,皮秒光纤激光器的平均输出功率仅能达到约100 W.     

光纤复合低压电缆(OPLC)和光纤复合相线(OPPC)故障诊断与在线监测系统研究

研究OPPC/OPLC配用电缆温度异常及异常点位置定位技术以及基于OTDR、波分技术和PFTTH管理平台下的OPPC、OPLC配用电光纤在线监测系统,提出一种将无源光网络PON和OTDR相结合的故障点定位技术。为配用电光纤线路的运行维护提供了一个自动化的维护与监测平台。同时,可以为光纤传输网络的运行质量提供性能分析参考依据,及时发现和定位潜在的温度异常点,实现电力电缆故障早期预/报警,避免事故发生,为电力调度部门提供短期电网优化调度所需的安全指导信息。     

Ga_(1-x)Al_xAs和GaAs_(1-x)P_x混晶的长波长光学声子谱

本文报道Ga_(1-x)Al_xA_o和GaAs_(1-x)P_x混合晶体系统的拉曼光谱的测量结果.证实两种材料都呈现典型的“双模”行为.从拉曼光谱的测量结果得到了长波长光学声子模频随组分的变化关系.在修正的等位移模型的基础上,提出一种简化模型:忽略次邻力的作用,仅考虑近邻力和极化场的作用,并假设近邻力常数随组分线性变化.没有任何调节参数,计算了长波长光学声子模频的组分关系.计算结果和实验符合较好.     

具有组分梯度的Ga_(1-x)In_xAs/GaAs材料的测定和分析

用x射线衍射技术和x射线形貌技术,测定了具有组分梯度层的气相外延生长的Ga_(1-x)In_xAs/GaAs结构的组分、组分梯度、晶格失配、晶格失配应力和外延层的晶面倾斜角,以及曲率半径和外延层中的平均应力。观察了外延层中的位错,特别是失配位错的运动情况。发现外延层晶格不但发生较大的形变,而且外延层晶格相对于衬底晶格产生较大的错向(晶面倾斜),组分梯度或晶格失配变化率对外延层的缺陷将产生较大影响,若选用适当组分梯度的过渡层,可将位错扫出外延层,并使最后的固定组分层呈低位错区。     

ZnO纳米棒与Si(111)和Si(100)衬底的外延关系(英文)

运用热蒸发技术在Si(111)和Si(100)基片上制备了ZnO纳米棒。SEM表征显示,ZnO纳米棒的直径约100nm,长度均匀,大约3μm;XRD表征发现ZnO纳米棒沿[0001]晶向择优生长。通过实验结果与理论分析得出:对于Si(111)基片上的样品,大部分ZnO纳米棒沿6个对称方向生长,而且与基片之间的夹角为54.7°,ZnO与Si(111)的外延关系为[0001]ZnO‖[114]Si,[0001]ZnO‖[4]Si,[0001]ZnO‖[141]Si,[0001]ZnO‖[4]Si,[0001]ZnO‖[411]Si,或[0001]ZnO‖[4]Si。对于Si(100)基片上的样品,大部分ZnO纳米棒沿4个对称方向生长,与基片之间的夹角为70.5°,其外延关系为[0001]ZnO‖[114]Si,[0001]ZnO‖[4]Si,[0001]ZnO‖[14]Si,或[0001]ZnO‖[14]Si。通过比较分析得出Si基片可以控制ZnO纳米棒的生长方向。     

Hg_(1-x)Cd_xTe低温热处理条件与组分的关系

由于Hg空位的作用,高温下平衡的HgCdTe晶体是P型的。P型样品经低温处理后,转变为N型。在经各种不同条件处理的样品中,选择各种组分、结构较好、晶粒大的样品,在表面做电极,在77K至室温的范围内,在磁场强度为2kGs下,用范德堡法测量其霍耳系数R,电阻率ρ,计算载流子迁移率。根据测量结果,选出霍耳曲线在低温端有平台、77K迁     

Zn_(1-x)Co_xS和Zn_(1-x)Ni_xS新吸收谱线的测量与分析

在12K和300K下测量了半磁半导体Zn_(0.095)Co_(0.05)S和Zn_(0.97)Ni_(0.03)S的吸收光谱,分别发现3个新的吸收峰。根据晶体场理论和群论分析结果,它们分别对应于Co~(2+)的~4A_2(F)→~2T_1(H)、~4A_2(F)→~2T_1(G)和~4A_2(F)→~2T_2(P)的跃迁吸收及Ni~(2+)的~3T_1(F)→~1A_1(G),~3T_1(F)→~1T_1(G)和~3T_1(F)→~1E(G)的跃迁吸收,并用晶体场理论分析了跃迁的选择定则和跃迁的相对强度。     

(Al_xGa_(1-x)As)_m/(GaAs)_m(001)超晶格的能带结构与合金组分x间的关系

采用紧束缚的重整化方法研究了(Al_xGa_(1-x)As)_m/(GaAs)_m(001)超晶格的电子能带结构与合金组分x及层厚间的变化关系。给出了临界组分x_o与层厚m间的变化关系图。并以二次函数形式给出了直接能隙和间接能隙与合金组分x间的变化关系。最后,也用Kronig—Penney模型对超晶格的电子能带结构进行了计算,并与紧束缚的计算结果进行了比较。     

Hg_(1-x)Cd_xTe晶体质量与光伏型探测器特性的关系

定性地研究了晶体的透射比与光伏探测器探测率的关系、晶体的小角晶界对多元列阵器件电学串音的影响以及光敏面位于<111>面和<111>面所表现出来的性能差异和晶体中的Te沉淀使器件零偏压电阻R_0严重降低的现象,实验结果表明晶体的透射比可以作为选择材料的判据之一。     

梯度Si_(1-c)Ge_c混晶太阳电池长波光谱响应及其短路电流的理论计算与分析

提出了一种新型 Si/Si1- c Gec太阳电池结构 .对长波波段的响应区域—Si基区 Si1- c Gec梯度区光生少子分布进行了求解 .根据电流连续性原理计算了光谱响应 SR,讨论了电池结构和梯度区最大锗浓度 c对光生电流 JI的影响 .结果表明 :在一定条件下梯度区的引入使得 SR明显提高 ,但 c和梯度区厚度同时增加 ,窄能隙的复合效应显现出来 .电池结构对器件性能的影响更为显著 .当梯度区厚度 L2 远小于基区厚度 L1时 ,复合及电场的抽运使得 SR低于相同厚度 Si基区之值 .     

本地网络(LAN)用多模光纤的选择考虑──A1a类50μm与A1b类62.5μm多模光纤的比较

本地网络（ＬＡＮ）中，包括校园网络．采用的都是多模光纤。这种选择主要是由于单模收发机昂贵，同时单模光纤连接较难和费用较高。常用的多模光纤中主要有Ａｌａ类５０／１２５μｍ和Ａｌｂ类６２．５／１２５μｍ两种类型。对本地网络，在发展吉比特（Ｇｉｇａｂｉｔ）以太网（Ｅｔｈｅｒｎｅｔ）标准以前，没有更多安装那种多模光纤的讨论。由于６２．５／１２５μｍ光纤芯径大数值孔径大具有较强的集光能力，是最普遍的多模选择。当前，大多数光纤网络在他们的主干和竖直布线中使用的都是６２．５／１２５μｍ光纤分布式数据接口（ＦＤ…     

Hg_(1-x)Cd_xTePN结深能级-带隧道电容的频率效应和磁场关系

本文测量了x=0.275Hg_(1-x)Cd_xTe PN结在不同测量频率下的电容电压特性。实验结果表明,当f=1MHz时,PN结正向电容出现负值,f=5MHz时,电容不再变负,但电容峰是明显的,当f=10MHz时,峰值已不明显,这说明PN结中载流子的深能级-带隧道穿透     

Y_3Al_5O_(12):Cr~(3 )晶体的吸收和荧光光谱与浓度的关系

介绍铬激活钇铝石榴石晶体的生长方法。测量了石榴石晶体的吸收和荧光光谱与浓度的关系,即铬浓度由0.01～1.0重量％的样品系列。R谱线加宽和短波位移与随铬浓度增加石榴石晶格膨胀有关。找到了宽的Y和U频带及R谱线强度与铬浓度的线性关系。提出了Y_3Al_5O_(12):Cr~(3 )晶体中铬浓度的光学测定方法。     

用k·p法计算Hg_(1-x)Cd_xTe本征型载流子浓度与X和T的关系

对x>0.16和50相似文献   

光截止法中透光因子的解析式及其与Hg_(1-x)Cd_xTe组分的关系

前文提出了透光因子F这一量。通过测量F的大小,可以算得样品的截止波长λ_o,继而求得Hg_(1-x)Cd_xTe样品的组分X。目前,F与λ_o的关系是通过电子计算机求积分得到的,使用很不方便。