BaFCI:Tb晶体的热释发光和光激励发光

BaFCl:Tb晶体的光激励发光和热释发光过程为:在X射线辐照下,晶体中产生F色心,同时掺杂的Tb³⁺离子俘获空穴形成Tb⁴⁺离子。X线辐照后的晶体在可见光或热激励下,F色心中释放出的电子与Tb⁴⁺复合成Tb³⁺并处于激发态,随后发出Tb³⁺)子的跃迁辐射。     

BaFCl晶体中的V心及光激励空穴发光

本文首次报道了室温下BaFCl晶体中的V心(空穴色心)及光激励空穴发光。V_1,及V_2,V_3心的吸收峰分别位于205,238和355nm。V_2心与F心在X射线辐照和光激励发光过程中同步形成与衰变,表明V心在X射线影像存储与再现过程中起着与F心同等重要的作用。     

Sr_3Ca_2(PO_4)_3X:Eu~(2+)(X=F,Cl,Br)的光激励发光与F色心

研究了Eu~(2+)激活的Sr_3Ca_2(PO_4)_3X晶体中的F色心及光激励发光。讨论了不同卤离子对F色心及其能级结构的影响。探讨了在X光辐照下和光激励发光过程中Eu~(2+)的价态变化及光激励发光过程的机理。     

紫外线对BaFCl:Eu光激励发光的增强效应

对X射线辐照后的BaFCl:Eu样品,通过研究紫外线辐照对光激励发光的影响,发现在一定条件下紫外线对光激励发光有增强的作用,并且根据光谱研究提出了光激励发光的过程为Eu²⁺和陷阱争夺激发态电子的观点,从机理上对这一现象进行了解释.     

BaFCl:Eu~(2+)的高温热释发光

报道了BaFCl:Eu~(2+)晶体的高温热释发光(RT-773K)。发现了3个新的高温热释峰。通过研究发现这3个高温热释峰是由晶体中F心的缔合中心F_2,F_3和F_4心产生的。还给出了各热释峰的特征参数。并指出BaFCl:Eu_(2+)热释发光过程的复杂性,伴随热释发光过程中还有电子的转移以及缔合中心的分解。     

新型陶瓷材料的光激励发光性质研究

针对以往电子俘获光存储材料存在的问题，利用高温固相反应发制备了一种Eu^2 掺杂的氟氧化物玻璃陶瓷，研究表明在该材料中具有光激励发光(PSL)特性，并可用于电子俘获光存储。XRD分析表明该材料含有大量的BaF2微晶。根据其与BaF2相似的发光特性，推断玻璃陶瓷的PSL有可能来源于微晶中Eu^2 的5d-4f发射。但是决定光激励发光过程中的电子(空穴)陷阱的存在方式、电子迁移途径都有待进一步探讨的问题。与传统的BaFCl：Eu相比，这种材料的光激励发光衰减速度较慢。     

利用热释光和光激励技术研究合成工艺对BaFBr∶Eu2+,Al3+发光性质的影响

利用热释发光谱和光激励发光谱表征了不同合成工艺条件对合成BaFBr: Eu2+, Al3+发光性质的影响. 利用理论分析找出了热释发光衰减与光激励衰减的异同, 理论上计算了不同的合成工艺对BaFBr:Eu2+, Al3+色心能级的影响, 其热释发光谱和光激励发光谱的理论计算值能较好的吻合, 并且能够很好的表征实验结果.     

铈掺杂对BaFBr:Eu2+光激励发光性能的影响

采用一步反应法制备了BaFBr:Eu2+,Ce3+X射线影像存储材料.通过荧光光谱和光激励发光谱研究了材料的光致发光及其经X射线辐照后的光激励发光性质.结果发现,Ce离子的掺入使得BaFBr:Eu2+的发光性能明显增强,存在Ce3+离子向Eu2+离子的能量传递,Ce离子的掺杂浓度为0.7%(摩尔分数)左右时可得到较高的光致发光及光激励发光强度.且掺入Ce3+后,可以有效的形成能稳定存储的较低能级的电子陷阱,使得在信息读出过程中所需激励光能量降低,从而使得读出光的能量与价廉、便携的长波激光器的读出波长匹配得更好.     

X射线诱导BaFCl:Eu2+光激励发光过程的新观察

本文研究了ＢａＦＣｌ：Ｅｕ＾２＾＋光激励发光（ＰＳＬ）对Ｘ射线剂量的响应关系，光激励发光的衰减规律，以及色心的形成与转型。除了简单的Ｆ心之外，我们还发现了Ｆ心的缔合中心，它们的吸收带位于７００－９５０ｎｍ。连续光激励Ｆ心时，光激励发光呈指数型衰减，而光激励发光（ＴＳＬ）也显现类似的衰减规律。光激励Ｆ缔合中心时，伴随着光激励发光还可能有一些无辐射跃迁过程的产生，例如色心的分解，转型和解离电子的再捕获     

锰掺杂对CaS：Eu光激励发光性能的影响

采用硫化助熔剂法制备了CaS：Eu，Mn荧光粉。通过测量样品的荧光光谱和紫外光辐照下的光激励发光谱，发现Mn离子的掺人使CaS：Eu的发光性能明显增强，存在于基质材料中的陷阱分布因掺人Mn杂质而改变，形成了新的俘获中心，引起能量转移。增大了电子俘获过程中电子和空穴复合的几率，有利于提高材料的存储性能。比较了不同浓度下发射光谱的差异，探讨了掺杂浓度对发光特性的影响。通过比较光激励发光衰减曲线，进一步表明了Mn掺杂对CaS：Eu光激励发光性能的改善。     

利用热释光和光激励技术研究合成工艺对BaFBr：Eu^2＋,Al^3＋发光性质的影响

利用热释发光谱和光激励发光谱表征了不同合成工艺条件对合成BaFBr:Eu^2 ,Al^3 发光性质的影响，利用理论分析找出了热释发光衰减与光激励衰减的异同，理论上计算了不同的合成工艺对BaFBr:Eu^2 ,Al^3 色心能级的影响，其热释发光谱和光激励发光谱的理论计算值能较好的吻合，并且能够很好的表征实验结果。     

锰掺杂对CaS∶Eu光激励发光性能的影响

采用硫化助熔剂法制备了CaS∶Eu, Mn荧光粉.通过测量样品的荧光光谱和紫外光辐照下的光激励发光谱, 发现Mn离子的掺入使CaS:Eu的发光性能明显增强, 存在于基质材料中的陷阱分布因掺入Mn杂质而改变, 形成了新的俘获中心, 引起能量转移. 增大了电子俘获过程中电子和空穴复合的几率, 有利于提高材料的存储性能. 比较了不同浓度下发射光谱的差异, 探讨了掺杂浓度对发光特性的影响. 通过比较光激励发光衰减曲线, 进一步表明了Mn掺杂对CaS∶Eu光激励发光性能的改善.     

稀土元素共发光效应机理探讨

本文阐述了La~(3 )、Gd~(3 )、Tb~(3 ),Lu~(3 )、Y~(3 )对Eu~(3 )(Sm~(3 ))-β-双酮-Phen-表面活性剂(有机溶剂)体系新的荧光增强效应——稀土元素共发光效应的特点,并在实验的基础上探讨这种共发光效应的机理。结果表明,La~(3 )、Gd~(3 )、Tb~(3 )、Lu~(3 )、Y~(3 )与该体系并未生成新的多核化合物。体系中β-双酮分子的三重态能级与La~(3 )、Gd~(3 )、Tb~(3 )、Lu~(3 )、Y~(3 )和能量授体Eu~(3 )、Sm~(3 )激发态能级之间良好匹配,以及水相聚集态和胶束中固溶体的存在是发生稀土共发光效应所必须具备的条件。     

CeF_3:Tb的水热合成及发光性能研究

在水热条件下,以Ce(NO3)3,Tb(NO3)3和Na BF4为前驱体成功合成了Ce F3:Tb发光材料。X射线衍射(XRD),扫描电镜(SEM),透射电镜(TEM)以及高分辨投射电镜(HRTEM)表征结果表明:所制备的Ce F3:Tb发光材料结晶良好,具有单分散六方片状形貌,颗粒尺寸分布范围为380~420 nm,平均粒径400 nm。光致发光性能(PL)测试表明:其激发光谱是由峰值位于250 nm左右的激发带组成,属于Ce3+4f能级到5d激发态不同晶体场劈裂组分的f-d允许跃迁;发射光谱是由Tb3+的5D4→7FJ(J=6,5,4,3)特征发射组成,其中以543 nm的5D4→7F5发射为主,表明Ce3+能够有效敏化Tb3+。     

邻苯二甲酸铽发光纤维的研究

在液相中合成了邻苯二甲酸铽发光配合物。通过元素分析、滴定分析、红外光谱(FTIR)分析,确定其化学组成为Tb2L3·6H2O。热分析(TG DTA)结果表明配合物在317℃以下稳定性较好。X射线衍射分析(XRD)、扫描电镜分析(SEM)结果表明配合物为块状晶体物质,晶粒大小为1～2μm。荧光光谱分析(PL)结果表明配合物在紫外光的激发下发出铽的特征荧光。将制得的发光配合物与粘胶纤维作用,在一定的条件下,采用酸浴湿法纺丝,制得稀土发光粘胶纤维。对所得的发光纤维进行荧光光谱测试。实验结果表明,在紫外光270nm的激发下,发射峰位于540nm附近。它归属于5D4→7F5跃迁,是Tb3+的特征绿色发光,与配合物的光谱极为相似。漫反射光谱实验结果表明:与粘胶纤维相比,加入发光配合物后的粘胶纤维对紫外光有明显的吸收。     

用电子自旋共振波谱和荧光光谱研究BaFCl:Eu中铕的价态

BaFCl:Eu是一种优良的X射线发光材料,最近我们发现:虽然它的发光起源于Eu~(2+)离子的4f~65d→4f~7能级间的电子跃迁;但是晶体中同时存在的Eu~(3+)离子的电荷转移跃迁对发光有很明显的增强作用。因此在研究Eu~(2+)和Eu~(3+)离子在发光过程中的作用时,必须首先要知道它们在发光材料中的浓度。我们提出了一种准确测定BaFCl:Eu中Eu~(2+)和Eu~(3+)离子含量的方法。这种方法是依据Eu~(2+)离子的电子自旋共振(ESR)波谱以及Eu~(2+)和Eu~(3+)离子的发光光谱。我们合成了一系列含有不同Eu~(2+)/Eu~(3+)浓度比的BaFCl:Eu,并初步讨论了它们的发光现象。     

BaF（Cl,Br）：Sm^2＋的光谱烧孔与光激励发光过程

Ｘ射线辐照前后，在ＢａＦ（Ｃｌ，Ｂｒ）：Ｓｍ＾２＋中以５６０ｎｍ的Ｎｄ：ＹＡＧ脉冲光在液氮温度下进行了双光子烧孔实验和光激励发光实验，结果表明，Ｓｍ＾２＋掺杂的碱土金属氟卤化物光谱烧孔过程中伴随着光激励发光过程，这一过程直接影响光谱烧孔过程的进行。     

偏硅酸镉的自激活发光

利用高温固相法合成了一种具有自激活发光行为的CdSiO3基质.对样品进行了X射线衍射分析和光谱分析.光谱分析结果表明,在偏硅酸镉的发射光谱中存在三个自激活发光峰,它们分别位于380,467和560nm处,另外,通过热释光谱技术讨论了偏硅酸镉中的缺陷及相关机理.在热释光谱中有两个明显的热释峰,分别位于448和563K,它们的陷阱深度分别为0 58和0 61eV,表明了在偏硅酸镉中存在着不同的陷阱,这些陷阱的存在导致了偏硅酸镉的自激活发光.     

BaBrCl：Eu^2＋：一类新型X射线影像存储材料

在Eu^2＋掺杂的BaBrCl中，发现经X射线辐照后的光激励发光。BaClCl：Eu^2＋的发光峰位于413nm，两个差吸收带分别位于-550nm和675nm。激励光能量较BaFX：Eu^2＋（X=Cl，Br）低，与通常用作读出光源的HeNe激光器更为匹配。实验结果表明BaClCl：Eu^2＋有望成为一类新型的X射线影像存储材料。     

YVO_4:Sm~(3+)红色发光材料的熔盐法合成与光谱性能

采用熔盐法合成了YVO_4∶Sm~(3+)红色发光材料. 用X射线粉末衍射对其结构进行表征, 证实样品为具有锆石结构的YVO_4相;测定了样品的激发与发射光谱;分析了不同的掺杂浓度和烧结温度对样品发光强度的影响. 研究结果表明, 采用熔盐法合成的样品均可以产生Sm~(3+)的特征发射, 但是与其它方法相比, 熔盐法合成样品位于647 nm处Sm~(3+)的 ~4G_(5/2)-~6H_(9/2)发射明显得到加强, 从而使得样品发出明亮的红光, 而不是其它合成方法获得的橙色光. 当掺杂浓度为1%(摩尔分数)且在500 ℃下烧结5 h后, 熔盐法得到的YVO_4∶Sm_(3+)荧光粉的发光强度最大.