烷氧负离子对偏氟乙烯的亲核加成反应

一般烯烃容易发生亲电加成反应,而全氟或多氟(卤)型烯烃容易发生亲核加成反应。但介于典型烯烃(如乙烯)及典型全氟烯烃(如四氟乙烯)之间的偏氟乙烯是否能进行亲核加成,尚无明确答案。     

淬火温度对聚偏氟乙烯形态结构的影响

用透射电子显微镜（ＴＥＭ）和傅里叶交换红外光谱（ＦＴＩＲ）等方法研究了结晶温度对聚偏氟乙烯（ＰＶＦ２）晶相结构的影响．结果表明，从ＰＶＦ２熔体高速淬火到较低温度等温结晶可直接生成β相结晶，临界淬火温度为３０℃．淬火温度在４０—７０℃时，α和β相共存．当淬火温度较高时（８０—１５０℃），生成α相结晶．在淬火温度高于１６５℃时，则得到ＰＶＦ２的γ相结晶．在临界温度以下淬火的ＰＶＦ２薄膜含有β相微晶，而高于临界淬火温度时则生成α相或γ相的片晶或球晶结构．     

偏氟乙烯-三氟乙烯共聚物的分子链结构与多晶型现象

偏氟乙烯-三氟乙烯共聚物(PVDF/TrFE)的合成及物性研究,是改善聚偏氟乙烯(PVDF)压电性的一种尝试。据文献报道,PVDF/TrFE 有明显的铁电性,以及强的压电性     

高温热处理对偏氟乙烯-四氟乙烯共聚物高次结构的影响

The effect of high temperature annealing on the higher order structure of a copolymer of vinylidene fluoride and tetrafluoroethylene (TFE 2.8 mol %) has been studied by various method, primarily dynamic mechanical, by also dielectric and microspic. The controversy on the origin of a relaxations is discussed from the point of view of higher order structure studies.     

聚偏氟乙烯薄膜压电性的研究

本文研究了聚偏氟乙烯的压电性。聚偏氟乙烯薄膜是用DMA溶剂浇铸而成,然后进行单轴拉伸,并采用热驻极的方法使薄膜成极。实验结果表明,压电活性依赖于拉伸比、极化电场、极化温度和极化时间。此外,还研究了聚偏氟乙烯压电薄膜的稳定性和某些使用特性。     

聚偏氟乙烯共混体系的压电性及其分子运动

聚偏氟乙烯(PVDF)的压电效应近年来引起了人们的极大兴趣,用它制成的各种换能器已得到了广泛应用,关于它的压电性及其分子运动已有报道。为了探索PVDF共混体系中第二组分对薄膜压电性能的影响及开发新的压电材料,我们研究了PVDF的三个共混体系的压电性及其分子运动。这三个共混体系是:     

高温热处理对偏氟乙烯-四氟乙烯共聚物高次结构的影响

聚偏氟乙烯(PVDF)及其一些共聚物,例如偏氟乙烯-四氟乙烯共聚物(PVDF/TFE)经过处理后呈现较强的压电性。许多研究表明它们是铁电聚合物,而且压电活性与样品的高次结构有关。松弛谱是研究结晶高聚物的高次结构的有力工具,近来,Koizumi等人报道了PVDF/TFE的热处理与松弛现象的关系。本文作者也报道了     

等离子体改性的聚偏氟乙烯表面结构的XPS研究

采用5种气氛等离子体处理聚偏氟乙烯(PVF_2)基片,用XPS研究了PVF_2表面结构的变化。结果表明,处理后的PVF_2基片表面嵌入了C—O,C—NH_2,—CHF和COOH基团,因而改变了表面性质。     

全氟型烯烃加成中的一个竞争途径,烷氧基阴离子对三氟溴乙烯加成后形成的碳阴离子的亲溴反应

多年来,许多科学工作者详细地研究了全氟或多氟烯烃与亲核试剂的亲核加成反应。一般认为反应按Scheme 1所示的三个步骤进行。但是,在三氟溴乙烯(3)与烷氧基阴离子RO~(θ)(2)的反应(4)中,除了通常所预计的产物ROCF_2CFBrH(4)和ROCF=CFBr(5)之外,我们还得到一种新类型的产物ROCF_2CFBr_2(6)。表1给出4,5,,6的产率。由于烷氧基阴离子中相应的醇不易除去,所以     

氟烯的结构-特性关系——Ⅴ.若干取代α,β,β-三氟苯乙烯和α,β,β-三氟萘乙烯的合成——它们的~(19)F核磁共振参数与“歪电子云”概念之间的联系

本工作的目的是:(1)利用苯基格氏试剂与四氟乙烯合成α、β、β-三氟苯乙烯(TFS)的新方法~([3])来制备取代的TFS与α、β、β-三氟萘乙烯(TFEN);(2)根据“歪电子云”模型~([4]),研究各取代的TFS的~(19)F NMR参数与取代基的Hammett常数之间的线性关系. 比较了TFS在四氢呋喃(THF)、乙醚、二氧陆环和乙二醇二甲醚中的产率和相应的格氏试剂产率,其中以在THF中合成的TFS的产率最高。因此.六个取代的TFS和TFEN均在THF中合成,所得到的产物为1,2。产物结构经元素分析、~(19)F NMR、IR和UV鉴定,其中1b、1e、1g、1i、2g和2i为新化合物,产率见表1。     

4，4-二氯六氟-1-丁烯及其重排产物与亲核试剂加成反应活性的比较研究

本文简要报道了4，4-二氯六氟-1-丁烯及其重排产物与亲核试剂加成反应活性的比较研究。     

聚偏氟乙烯膜亲水化改性的研究进展

聚偏氟乙烯(PVDF)膜以其优良的机械、化学性能在膜法水处理领域中广泛使用。在长期使用中由于PVDF膜的强疏水性导致水通量下降、有机物质的吸附,需要频繁的反冲洗和化学清洗。这就导致膜本身的机械性能受损,膜使用寿命下降及运行成本大大增加,因此对PVDF膜的亲水化改性研究具有重要意义。本文对国内外PVDF膜的亲水化改性方法进行分类,并详细介绍各种改性方法的优缺点及研究现状。最后对PVDF膜亲水化改性需要解决的问题及其应用前景进行了展望。     

偏氟乙烯/三氟氯乙烯无规共聚物的结晶

用示差扫描量热法(DSC)、广角X射线衍射(WAXD)和傅里叶红外光谱(FTIR)研究了偏氟乙烯/三氟氯乙烯单体摩尔比为1:4的无规共聚物的结晶与晶体结构.结果表明,该无规共聚物属于半结晶型聚合物.在333～353K温度范围内退火,片晶逐渐完善、增厚,熔点和结晶度均随着退火时间的延长而升高.于353K退火时,由DSC结果计算得到片晶厚度约4.68nm.在333K退火时得到共聚物的最大结晶度约为14%.WAXD测试结果表明,沿晶粒(101)晶面的面间距为0.55nm,垂直于(101)衍射晶面方向上的晶粒平均尺寸为5.86nm.     

聚偏氟乙烯共混体系的压电性及其分子运动——聚偏氟乙烯-聚甲基丙烯酸甲酯共混体系

本文研究了PVDF-PMMA共混体系的压电性及其分子运动.其松弛转变过程与PVDF-P(VDF-HFE)及PVDF-P(VDF-TFE)共混体系相似,压电性低于PVDF-P(VDF-TFE)共混体系.当PMMA含量为3％时,其压电性与PVDF的接近,而其退极化温度却高于PVDF以及上述二个含氟共混体系的薄膜,随着PMMA的增加,其压电性也随之减弱,这是由于非晶相中偶极子浓度降低之故.     

聚偏二氟乙烯晶体的电子结构和光学性质

利用含Tkatchenko-Scheffler(TS)色散修正的密度泛函理论的第一性原理方法对九种聚偏二氟乙烯(PVDF)晶相的电子结构和光学性质进行了计算.结果表明,PVDF晶体作为一种绝缘体,能带具有密集且平直等特征,其带隙值在6.05-7.34 eV之间,且和实验值接近.价带主要是F原子的2s和2p态起主要贡献,导带主要由C原子的2p态和H原子的1s态共同参与构成.在0-35 eV光子能量范围内,介电函数、吸收率、反射率和折射率等光学性质发生变化主要在深紫外区域.根据介电函数等光学参数的谱特点,可以将九种PVDF的晶相划分为{Ip},{IIpu},{IIau,IIad,IIpd,IIIpu},{IIIau,IIIad,IIIpd}等四类,每一类都具有相似的光学参数特点.     

聚偏二氟乙烯晶体的电子结构和光学性质

利用含Tkatchenko-Scheffler(TS)色散修正的密度泛函理论的第一性原理方法对九种聚偏二氟乙烯(PVDF)晶相的电子结构和光学性质进行了计算. 结果表明,PVDF晶体作为一种绝缘体,能带具有密集且平直等特征,其带隙值在6.05-7.34 eV之间,且和实验值接近. 价带主要是F原子的2s和2p态起主要贡献,导带主要由C原子的2p态和H原子的1s态共同参与构成. 在0-35 eV光子能量范围内,介电函数、吸收率、反射率和折射率等光学性质发生变化主要在深紫外区域. 根据介电函数等光学参数的谱特点,可以将九种PVDF的晶相划分为{Ⅰ_p},{Ⅱ_pu},{Ⅱ_au,Ⅱ_ad,Ⅱ_pd,Ⅲ_pu},{Ⅲ_au,Ⅲ_ad,Ⅲ_pd}等四类,每一类都具有相似的光学参数特点.     

超速升温对玻璃态聚偏氟乙烯结晶的影响

我们曾研究超速淬火温度对聚偏氟乙烯(PVF_2)薄膜结晶结构的影响,在不同温度下淬火可分别得到α、β和γ三种晶型结构。本工作从非晶的玻璃态PVF_2出发,通过超速升温的方法,进一步研究结晶温度对PVF_2晶型结构的影响。     

葡萄糖对聚偏氟乙烯膜的共混改性研究

以葡萄糖为共混剂,聚乙烯吡咯烷酮为添加剂,用相转化法获得了聚偏氟乙烯/葡萄糖共混膜。研究了聚偏氟乙烯浓度,葡萄糖与偏氟乙烯的共混比例和添加剂含量等各项制膜条件对微孔膜的结构和性能的影响。结果显示当聚偏氟乙烯的固含量为10wt%,葡萄糖含量为4wt%,聚乙烯吡咯烷酮为固含量的2wt%,溶液蒸发时间为30min时,能够得到性能理想的微孔膜。