低能p-4He相移的库仑扭曲效应的修正

对p-⁴He散射相移作库仑扭曲效应修正,可用来计算n-⁴He散射的观察量.用我们提出的简便方法,计算出来的全截面、微分截面、极化等与实验值都符合得很好(但各分波的道半径,即强相互作用区域的大小,应略有差异).计算表明极化对道半径确定很灵敏,所得到的道半径对各家相移均合适.     

中能区质子与4He原子核散射的唯象全振幅

对整个中能区现有的质子与⁴He原子核散射的实验数据(微分截面和极化能力)进行了系统的振幅分析,给出了一组参数化的唯象振幅.这些振幅对于利用中能质子研究原子核的α粒子结构问题是必要的输入量.     

He同位素对He-NO碰撞体系微分截面的影响

用密耦近似方法计算了同位素He原子与NO分子碰撞体系的总微分截面、弹性微分截面和非弹性微分截面,总结了同位素He原子对He-NO碰撞体系微分截面的影响. 计算结果表明：在同一入射能量下,随着入射同位素He原子质量增加,总微分截面在0°时的角分布逐渐增大;同位素He原子与NO分子碰撞发生的彩虹现象越明显. 同时,体系约化质量增加的效应大于相对碰撞速度减小的效应,使散射振荡间隔逐渐减小. 关键词： He-NO 密耦近似 微分截面 同位素效应     

散射粒子的相互作用对He(e,3e)五重微分截面的贡献

计算了敲出电子等能分享几何安排下,入射能量分别为5 599 eV和1 099 eV时He(e,3e)反应五重微分截面,并比较在He(e,3e)过程中散射粒子的相互作用和它们之间的干涉效应对五重微分截面的贡献.结果表明,理论计算数据在误差范围内与实验数据基本吻合,并且散射粒子的相互作用以及干涉效应对五重微分截面的影响都是不容忽视的.     

氦同位素被溴化氢散射的角分布

基于作者构造的He-HBr体系的各向异性势,采用密耦方法计算了碰撞能量分别为60和100 meV时3He、4He、6He和7He被HBr分子散射的角分布,详细讨论了氦同位素对散射角分布的影响.结果表明:在相同碰撞能量时,随着同位素氯原子质量的增加,总微分截面在0°时的角分布逐渐增大,同一级衍射振荡极小值位置逐渐向小散射角方向移动;弹性与总非弹性截面交界角逐渐减小,总非弹性截面逐渐增加.碰撞能量越低,入射同位素He原子的质量越大,彩虹现象越明显.     

高能质子在4He上的弹性散射和极化

本文用包含核子自旋效应的 Glauber 理论,计算能区在0.35—23.1 GeV 间的 p-⁴He 弹性散射和极化角分布,结果表明,加上自旋效应之后,能解释微分截面的实验结果和定性的符合极化角分布.     

Scattering particle interactions to He( e, 3e) fivefoid differential cross-section contribution

计算了敲出电子等能分享几何安排下,入射能量分别为5 599 eV和1 099 eV时He(e,3e)反应五重微分截面,并比较在He(e,3e)过程中散射粒子的相互作用和它们之间的干涉效应对五重微分截面的贡献.结果表明,理论计算数据在误差范围内与实验数据基本吻合,并且散射粒子的相互作用以及干涉效应对五重微分截面的影响都是不容忽视的.     

中能质子与4He原子核弹性散射中N-N振幅的相改变

在KMT多重散射理论框架下，应用动量空间一级光学势，基于Franco和Yin关于核子-核子散射振幅的相随动量转移而改变的建议，研究了入射能量为1GeV时的质子-4He弹性散射. 发现这个相改变使得KMT类型的理论计算的微分散射截面和极化本领与实验符合得更好.     

Al_2O_3/C复合微粒子光学截面及发射率光谱的计算

本文用米氏(Mie)散射理论首次全面地计算了球形复合微粒子Al_2O_3/C的吸收、散射及消光截面。给出了吸收截面、消光截面与核心粒子半径及复合层厚度的关系曲线。此外,还计算了复合粒子半径为 3.0μm时的发射率光谱。并对计算结果进行了讨论。     

氦原子与H_2、D_2、T_2分子碰撞角分布的理论计算

采用Tang Toennies势模型 ,用密耦法求解散射方程 ,计算了入射能量E =0 .0 5eV时 ,0 0- 0 0 ,0 0 - 0 2转动激发截面 ,进而计算了He -H2 ,He -D2 和He -T2 碰撞的角分布。     

He-O_2转动激发截面的理论计算

用公认精确的密耦 (Close Coupling)方法、采用两种不同的相互作用势计算了He -O2 碰撞的态 态转动激发截面 (E =2 6.8meV) ,通过系统研究和计算发现 :低能散射时 ,He -O2 碰撞的弹性散射主要发生在小角部分 ,而非弹性转动激发主要发生在大角部分。研究表明 :转动激发截面对势能表面的方向性和散射角都非常敏感。     

He-N2碰撞体系散射截面的理论研究

本文运用量子化学从头计算MP2方法6-311 G(3df,2p)基组,计算了He-N2相互作用的势能,拟合出He原子与N2分子相互作用的各向异性势函数,其势函数参数:势能球平均势阱位置、势阱深度、势能零点位置与通过散射实验数据分析的ESMSV(Exponential-Spline-Morse-Spline-Van der waals)势比较吻合.然后,用公认精确度高的密耦方法计算了He原子与N2分子碰撞体系的总微分截面、弹性微分截面、转动激发的非弹性微分截面和积分截面,计算结果与实验数据符合得较好.     

3He4He与H2分子碰撞的同位素效应研究

用公认精确度较高的密耦近似方法计算了入射能量E=0.5eV时惰性气体原子3He(4He)与H2分子替代碰撞体系的转动激发碰撞截面.通过分析3He(4He)-H2碰撞体系分波截面和微分截面的差异,总结出在氦原子的同位素替代情形下3He(4He)-H2碰撞体系分波截面和微分截面随分波数增加和同位素原子质量改变的变化规律.     

He-BH碰撞体系微分截面的理论计算

用公认精确的密耦近似方法计算了入射能量从25至150 meV时,He原子与基态BH分子碰撞的弹性微分截面、非弹性微分截面和总微分截面,进一步讨论了微分截面的变化趋势及特征.计算结果表明：He-BH碰撞体系的总微分截面具有原子与双原子分子散射的一般规律和特征;随着入射能量的增加,低转动激发态-态微分截面在大角区的散射振荡现象会更加明显. 关键词： He-BH复合物 相互作用势 密耦近似 微分截面     

强扰动能区非全裸Cq+,Oq+(q=1-4)与He原子碰撞过程中截面比的实验研究

利用兰州大学2×1.7MV串列加速器离子-原子碰撞实验终端上产生的单核子能量为20-500 keV的Cq+和Oq+(q=1-4)离子与He原子碰撞.采用符合测量方法和多参数数据获取系统得到了散射离子与反冲离子电荷态的二维谱,从而分别得到直接电离、入射离子俘获电子和入射离子损失电子截面与总截面的截面比Rdirect,Rcapture和Rloss,并对强扰动能区的各个反应道之间竞争关系及同一反应道在不同碰撞体系中所表现出的实验规律进行了比较和定性分析.     

低能反质子的核散射与Glauber理论

运用Glauber多次散射理论,分析低能量反质子与⁴He核的弹性散射微分截面的实验结果.看到反质子能量低到19.6MeV时,多次碰撞的特征仍然是主要的.用光学模型的计算和比较,也得到相同的结论.     

基于Mie散射理论的铌酸锂晶粒散射特性

基于Mie散射理论,对铌酸锂晶粒光散射特性进行了理论分析与数值计算,得到了散射强度分布、偏振度与散射角、散射强度与粒子尺寸参数,以及光学截面与粒子半径的关系。研究表明:前向散射占优势,并随粒子半径的增大而增强;当粒子半径为0.1 μm 左右,散射截面和吸收截面达到最大值。     

He原子与HI分子碰撞截面的密耦计算

基于发展的分子间相互作用势, 采用密耦方法计算了入射能量从1到140?meV范围内He原子与HI分子碰撞的微分截面、分波截面和积分截面.通过与He-HX（X=F,Cl,Br）体系分波截面的比较, 印证了He-HI体系相互作用势以及密耦计算结果的可靠性.结果表明：小角散射的概率大于大角散射的概率;碰撞能量越高,散射概率就越小, 尾部效应也越弱.总积分截面主要来自弹性碰撞的贡献;非弹性积分截面以00→01和00→02跃迁的贡献为主,其中00→02跃迁的贡献最大. 关键词： 碰撞截面 密耦计算 HI-He体系     

电子碰撞He(1s2)原子电离的初态依赖与角度关联的无关性

利用DS3C模型,考虑了入射道靶原子He基态几种不同关联形式的波函数 ,分别计算了He(1s2)(e,2e)反应的三重微分截面.结果表明,微分截面的角度分布与靶基态任何形式的关联无关,而主要取决于出射道粒子间的干涉、关联、交换和多体耦合的共同作用.     

TiO2 颗粒紫外区Mie散射特性

应用Mie散射理论对紫外光下TiO₂微粒光散射特性进行了理论分析与数值计算,得到了散射强度分布、偏振度与散射角、散射强度与参数X以及光学截面与粒子半径的关系。结果表明,前向散射强度随着粒子半径的增大而增强;当粒子半径为50 nm左右,散射截面和吸收截面达到最大值。