一种超低功耗欠压锁定电路设计与实现

集成电路的低功耗、高集成度已经成为发展趋势.传统的欠压锁定电路需要外部电路提供带隙基准电压和偏置电流,电路结构复杂;同时,当发生欠压锁定,关断芯片时,却要保证带隙基准电路始终正常工作,不利于芯片功耗的降低.针对传统欠压锁定电路结构的缺点,设计了一种基于三极管的欠压锁定电路,不需要外部电路提供基准电压和偏置电流,电路结构...     

一种可用于浮动电源的高精度欠压锁定电路

提出了一种新型的欠压锁定电路。该电路结构简单,可用于浮动电源轨,具有精确的迟滞特性,占用面积小,且与CMOS工艺完全兼容。采用0.6μm 16VCDMOS工艺进行仿真、流片验证。Hspice仿真结果表明,其锁定阈值精度高、功耗低。芯片测试结果表明,该电路可用于浮动电源,所测得的欠压锁定阈值与设计值相吻合。     

一种高精度快速响应欠压锁定电路设计

针对传统欠压锁定(UVLO)电路结构复杂和响应速度慢的问题,设计了一种高精度的快速响应欠压锁定电路.该电路整体均由CMOS管组成,结构简单且易于实现.采用电流模控制技术,随电源电压呈二次方曲线变化的自偏置电流控制阈值电压的产生,有效提高了电路的响应速度.该欠压锁定电路基于0.18μm BCD工艺设计,并利用HSPICE进行仿真验证,当电源电压在0～5V区间变化时,输出电压翻转的上阈值门限为3.91 V,相应下阈值门限为3.82V,迟滞量为90 mV,温度在-40～125℃范围变化时,阈值门限电压容差仅为0.9μV,可实现输出电压的高精度转换,电路面积仅为15 μm×48μm.     

一种高速低功耗的欠压锁定电路

设计了一种高速低功耗的欠压锁定电路。在迟滞比较器的输出级采用轨对轨输入共源放大器电路,检测VUVLO由高电平跳变为低电平的过程,自适应地控制输出级的尾电流源大小,以减小输出建立时间,使得后级电路能够快速响应电源变化。基于华虹0.35 μm BCD工艺进行设计与仿真,结果表明,在输出级的尾电流大小为1.3 μA时,相比传统电路,该电路能减少30%的输出建立时间。这不仅降低了功耗,还提高了电路响应速度。     

欠压／过压锁定

要失能关闭一个Vicor的DC-DC转换器,需把Gate In/PC引脚拉低;这样做需要一个开关:对于VI-200/VI-J00转换器,该开关必须最小有能力接收6mA;对Maxi,Mini,Micro转换器来说,则是最小4mA.     

一种新型欠压锁定电路的设计

针对电源控制芯片中常需用到的欠压锁定功能,提出一种新的欠压锁定电路的设计,采用高稳定基准电压源作为比较基准,成功综合了单门限比较器和迟滞比较器的优点,并改善了逻辑电路的设计,成功实现了电路的预定功能.SPECTRES模拟仿真的结果表明所设计的UVLO电路具有启动电流小、响应速度快,温度漂移小等特点.     

一种非对称欠压锁定电路设计

传统带隙基准结构的欠压锁定(UVLO)电路存在结构复杂、温漂特性差、功耗高等缺陷。为精准实现低温漂,提出了一种欠压锁定电路结构,该结构基于差分放大器的非对称性产生滞回电压,进而降低了阈值电压的温度敏感性,提高了阈值电压的精度。该欠压保护电路通过反馈控制法产生了上、下门限阈值电压,克服了单个阈值抗干扰能力差的缺点。电路基于0.18μm BCD工艺设计,仿真结果表明：当电源电压高于上门限阈值电压(V_IH)2.2 V时,芯片系统正常工作;当电源电压低于下门限阈值电压2.01 V时,芯片系统被关断;在-55～+125℃温度范围内,该电路的滞回电压为0.19 V,V_IH温漂为0.01 V,滞回电压温漂为0.07 V,且该欠压锁定电路的功耗在3 V电源下为9.54μW。     

PWM控制器欠压锁定电路的实现

文章提出了一种用于集成PWM控制器内部的欠压锁定电路,并详细地分析了工作原理,通过建立晶体管模型,实现了电路的功能设计,并用PSPICE进行了模拟。它具有启动电流小、响应速度快等特点。     

高可靠低功耗的电磁欠压脱扣器的研究和设计

为提高欠压脱扣器的可靠性和降低产品功耗,采用了双滤波和双采集形式的电路模式。对欠压脱扣器的工作原理进行了分析和相应电路的设计,并对生产上的一些关键技术工艺提出了要求。     

多模式开关电源控制芯片的低功耗设计

针对降低多模式开关电源控制芯片在轻载与待机工作模式下功耗,提高其全负载条件下工作效率的需要,提出一种开关电源控制芯片供电系统的设计方案,实现了其在启动、关断、重载、轻载以及待机等各种工作情况下的高效率低功耗工作。该供电系统主要包括欠压锁定电路、数字模块电源单元和两种不同的模拟模块电源单元,以及状态检测模块和模式控制逻辑单元,能够实现电源的上电、掉电控制,同时能够根据电源的负载条件控制各模块的开通关断以实现低功耗工作。该系统已应用于绿色多模式反激式开关控制器的设计中,取得了提高电源效率、降低待机功耗的作用。芯片采用1.5μm BiCMOS工艺设计制成。测试表明,所设计电源的各项指标均已达到设计要求。     

输出欠压自动重试的实现

1概述 MAX8563是超低输出电压LDO控制器,广泛用于计算机主板、笔记本电脑及其它领域的负载点电压变换,灵活方便、成本低廉.典型应用电路如图1所示,当VDD=12 V时,每路控制器输出可在0.5V至3.3 V之间调节;VDD=5 V时,每路控制器输出可在0.5 V至1.8 V之间调节.各路输出可独立控制,并在输出电压达到设定电压的94%时产生POK信号.每路输出都具有保护电路,当输出电压跌落到低于设定电压的80%而且持续时间大于50μs时,欠压比较器禁止输出,对电路提供短路保护.为了在短路故障下有效保护器件,当输出电压下降至设定电压的60%以下时,稳压器会被立即关断.     

基于0．5μmBCD工艺的欠压锁存电路设计

针对DC-DC电源管理系统中所必须的欠压锁存(UVLO)功能,提出一种改进的欠压锁存电路.所设计的电路在不使用额外的带隙基准电压源作为比较基准的情况下,实现了阈值点电位、比较器的滞回区间等参量的稳定.整个电路采用CSMC 0.5 μm BCD工艺设计,使用HSpice软件仿真,结果表明所设计的UVLO电路具有结构简单,反应灵敏、温度漂移小、功耗低等特点.     

一种改进的BiCMOS工艺欠压锁存电路的设计

针对DC-DC电源管理芯片中所必需的欠压锁存功能,利用带隙基准电压源的原理,提出一种新的改进的UV-LO(欠压锁存)电路的设计,实现了欠压锁存的阈值点和迟滞量,成功地实现了欠压锁存电路的预定功能。基于0.6μm BiC-MOS工艺,HSpice软件仿真的结果表明所设计的UVLO电路具有结构简单、温度漂移小、功耗低等特点,性能有很大改善,满足了芯片的需要。     

一种结构简单的新型CMOS欠压保护电路

分析了两种传统欠压保护电路的工作原理及优缺点,在此基础上提出一种新颖的欠压保护电路。电路采用电流比较的方式,不依赖比较器、基准电源等辅助结构,结构简单,具有良好的独立性和稳定性;此外,有源器件中仅使用了MOS管,工艺实现容易,更便于集成。仿真结果表明,当电源电压在2.5V到3V之间变化时,电路欠压保护功能正常,并具有90mV的迟滞,可有效防止电源电压波动引起的误触发。     

低功耗高精度基准源研究综述

本文介绍了基准源电路的发展脉络及研究进展.按照电路功能进行分类,基准源可以分为基准电压源和基准电流源.对于基准电压源,分别对于带隙基准源、混合基准源和CMOS基准源三个类别的发展历程及最新研究成果进行了总结和讨论;分析了这些电路在降低功耗、提高精度方面的创新之处、优点和存在的问题.对于基准电流源,主要讨论了电流直接补偿以及由电压源得到电流源两种设计方法.基于以上讨论,对于基准源未来的发展前景进行了展望.     

一种CMOS欠压保护电路的设计

本文设计了一种CMOS工艺下的欠压保护电路,首先分析了电路的工作原理,而后给出了各MOS管的参数计算,并给出pspice仿真的结果.此电路结构简单,工艺实现容易,可用于高压和功率集成电路中的电源保护.     

直流开关电源的欠压浪涌抑制技术

针对开关电源在欠压浪涌中存在的诸多问题,分析了瞬态欠压浪涌的工作机理、抑制方法,以及由此引起的负载端启动电流或浪涌电压的处理思路,给出了处理直流开关电源欠压浪涌的合理解决方案。