小空位团浅能级对正电子的声子激发比捕获率

若小空位团中存在束缚能小于晶体德拜能量的正电子捕获态, 则这一能态对自由正电子的捕获具有较强的温度依赖性. 这种温度依赖性有两种类型, 且比捕获率的取值也可能相当高, 显示了与位错的很大不同. 关键词：     

Y1—xPrxBa2Cu3O7δ体系的正电子捕获效应

在８０Ｋ－４００Ｋ的温区内测量了Ｙ１－ｘｒｘＢａ２ＣＵ３Ｏ７－δ体系 电子寿命的温度依赖关系，ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７－δ样品，正电子平均寿命具有明显的温度依赖性；随着Ｐｒ的掺入，温度依赖性 ，以致于ＰｒＢａ２Ｃｕ３Ｏ７－δ体系的正电子平均寿命不再随温度变化，正电子寿命的温度依赖性可用正电子浅捕获理论加以解释，并由实验数据拟合得出了浅捕获中心的正电子束缚能，文中还讨论了该体系中正电子清捕获中心所对应的缺     

包含逃逸过程的正电子位错捕获模型

本文给出一个包含逃逸过程的正电子位错捕获模型,附带讨论割阶通过位错捕获正电子的温度依赖性,并找出正电子主要湮没在位错线上的起始温度.     

Al-4%Ag合金中Ag原子偏析的低温正电子湮没参数研究

分别研究了823 K淬火处理和20%形变量的Al-4%Ag低温下Ag析出物对正电子的捕获行为的变化。采用正电子湮没寿命谱(PALS)技术和符合多普勒展宽能谱(CDBS)在温度范围10~293 K内对其进行表征。多普勒展宽能谱结果表明2种样品中均存在Ag析出物。正电子寿命谱的解谱结果中的各组分给出了Ag析出物随测量温度的变化规律。在170 ~273 K之间,正电子湮没行为具有较强的温度依赖性。但对于两个具有不同类型缺陷的样品,在低于170 K时观察到样品中Ag析出物捕获正电子能力出现了差异。随着测量温度的降低,淬火样品中的Ag析出物的正电子寿命和强度基本不变。在低于170 K的测量中,形变样品中的Ag析出物对正电子的捕获能力仍旧存在着较强的温度依赖性,但是变化幅度在逐渐减弱。当测量温度提升到室温(273~293 K),越来越多的正电子从Ag析出物中逃逸,逐渐回到自由状态或被其他深陷阱所捕获,失去了对温度的依赖性。     

氢和温度对质子辐照硅的正电子捕获的影响

用正电子湮没寿命测量研究了在3.2×10¹⁷cm^-2和3.6×10¹⁶cm^-2质子辐照硅单晶中的正电子捕获,观测到辐照诱导的捕获正电子的缺陷主要是双空位,辐照过程中高剂量样品的双空位基本上都捕获了氢,低剂量样品还有一小部分未捕获氢,在高剂量样品的两轮和低剂量样品的第一轮升温测量中都观测到双空位进一步捕获氢,含氢双空位的荷电态随温度升高在145K附近发生由负荷电向中性转变,它的负荷电态正电子寿命比中性态正电子寿命长,无论 关键词：     

空位、小空位团的三态模型与正电子比捕获率的温度依赖性

本文采用三态捕获模型分析空位、小空位团的正电子的捕获过程,解释了比捕获率负温度依赖性的实验结果.     

空位、小空位团的三态模型与正电子比捕获率的温度依赖性

本文采用三态捕获模型分析空位、小空位团的正电子的捕获过程,解释了比捕获率负温度依赖性的实验结果.     

脉冲激光沉积YBa_2Cu_3O_(7-x)薄膜的正电子寿命的温度依赖关系研究(英文)

在１２０Ｋ至４７０Ｋ的温区内，测量了脉冲激光沉积ＹＢａ２ＣｕＯ７－ｘ薄膜的正电子寿命的温度依赖关系．实验结果表明，除块材中存在的正电子深捕获中心外，超导外延膜中还存在大量块材中缺乏的正电子浅捕获中心；低温下，深捕获中心所对应的缺陷有可能扩展成为有效的磁通钉扎中心．浅捕获中心对正电子的束缚能为２７ｍｅＶ．     

用正电子湮没寿命谱研究凝聚态甲烷的温度关系

在30—150K温度范围内,测量了高纯凝聚态甲烷中的正电子寿命谱随温度的变化。在固态甲烷中,正电子素(简称Ps)在自由体积中形成,形成率为²7%。正-正电子素(其符号为o-Ps)的寿命随温度变化的特征可用o-Ps在热激活空位型缺陷中的捕获来说明,且由Ps捕获模型和实验测得的o-Ps寿命求得缺陷激活能E_a=0.10±0.02eV。在液态甲烷中,Ps形成率高达36%,且o-Ps寿命长达5—7ns,这表明液态甲烷中形成了Ps气泡态。我们用经验公式估算了这种气泡的尺寸及其微观表面张力。 关键词：     

GaP的缺陷随温度变化的PAT研究

我们对LEC法制成的掺S的GaP单晶,从室温至1000℃,每隔50℃恒温30分钟,在Ar气保护下进行热处理。用正电子湮没技术(PAT)对样品中的缺陷进行了分析研究。结果指出,随着热处理温度的升高,GaP中的点缺陷组态发生变化。测试结果表明,正电子湮没寿命可分解为两个寿命。其中捕获态寿命τ2随热处理温度的升高,由310ps变为330ps;进而在高温下变为280ps.相应地捕获强度I2随温度而发生变化,它反映出GaP单晶中的空位浓度也在随温度发生变化。     

金属中空位的形成能

从固体的表面张力出发,求得空位的形成能。发现由这理论计算得到的空位形成能的数值与实验值符合,金属的空位形成能与自扩散激活能以及熔化温度各成正比关系,这些关系中之一表明,空位形成能与自扩散激活能的比值为0.43。另外,空位形成能也是原子序数的周期性函数。     

Vacancy at the Si(111) unreconstructed surface: Electron states and absence of the Jahn-Teller distortion

The electron states of a vacancy at the Si(111) surface are calculated by means of a tight-binding scheme. The results for a vacancy at the surface layer show one state of A_l symmetry below the surface dangling bond band, and another doubly degenerate state of E symmetry above it. The Fermi energy at an isolated vacancy remains fixed by the surface. This allows to derive two important consequences: i) The vacancy state is a neutral one as can be shown by integrating the local density of states up to the Fermi energy. ii) The electronic charge around the vacancy has got the whole surface point symmetry and therefore a Jahn-Teller effect is not induced.     

用正电子湮没技术研究纯镍多晶体疲劳过程中的晶体缺陷

对充分退火纯镍多晶体样品分组进行了恒应变幅拉-压疲劳试验和冷轧形变后,测量了正电子湮没参数;并选少数疲劳试样进行了电子显微镜薄膜衍射象观察。用多指数拟合方法从疲劳试样的正电子湮没寿命谱中分解出与正电子在小空位团中湮没相应的成份。这些寿命值在不同疲劳阶段分别平均为209,255和>300ps。其相对强度的变化与小空位团浓度增加然后尺寸增大的趋势相符合。从而,本文根据正电子湮没技术提供了纯镍多晶体疲劳过程中除大量位错外空位聚集的实验证据。利用简单三态正电子捕获模型估算了上述缺陷浓度。本工作还提供了用多指数拟合方法分解复杂寿命谱和用于简单三态捕获模型的例证。 关键词：     

碰撞电离产生Au L3空穴态定向行为的研究

采用一种简单的实验方法测定低能区几种离子与Ａｕ碰撞产生Ａｕ的Ｌ₃空穴态的定向度，及定向度的入射离子能量相关性；同时在平面波玻恩近似理论基础上加上库仑偏转效应的校正进行了理论计算，改善了实验点与平面波玻恩近似理论计算的符合程度，讨论了有关空穴态定向行为。 关键词：     

Si中B-空位复合缺陷的电子结构

本文对Si中B-空位(BV)缺陷的电子结构,提出一个“五个空杂化轨道”的简化理论模型。用紧束缚的Koster-Slater格林函数方法,算得的空位最近邻原子的超精细相互作用常数,以及电子波函数在远离空位的几率分布都同电子-核子双共振实验结果相符合。理论确定的深能级位置同深能级瞬态谱的实验值相比拟。协调了现有BV°缺陷的实验资料,支持了B原子位于空位的次近邻,BV°缺陷处于B^-V⁺电荷态的结论。 关键词：     

Electronic vacancy states in silicon by the chemical pseudopotential method

The electronic states of a neutral vacancy in Si are studied through the chemical pseudopotential method by creating a vacancy in a large crystal unit cell containing up to 54 atoms. A localized vacancy state is found in the forbidden gap and its energy is shown to be convergent with respect to the size of the cell. The density of states of the valence band is modified by the presence of the vacancy with additional peaks which give charge localization on the vacany nearest neighbour atoms.     

空位缺陷对金属基外延石墨烯态密度和电导率的影响

考虑到空位缺陷的存在和原子非简谐振动,以铜、镍基外延石墨烯为例, 研究了金属基外延石墨烯空位缺陷浓度和态密度以及电导率随温度的变化规律,探讨了空位缺陷的影响。结果表明：(1) 空位缺陷浓度随温度升高而非线性增大,外延石墨烯的空位缺陷浓度及其随温度的变化率均大于石墨烯; (2) 与石墨烯相同,金属基外延石墨烯的态密度变化曲线对电子能量为0为对称,但空位缺陷的存在使态密度在电子能量为零时的值不为零,空位缺陷对导带态密度的影响大于价带;态密度随空位缺陷浓度的增大而线性减小,但减小幅度不大,而温度对石墨烯态密度几乎无影响;（3）金属基外延石墨烯的电导率近似等于电子声子相互作用贡献的电导率,并随温度升高而非线性减小;空位缺陷的存在使电导率有所减小,但只在较高温度下才明显。原子非简谐振动情况的电导率稍大于简谐近似的电导率,温度愈高,两者电导率的差愈大,即非简谐效应愈显著。     

Angle-resolved photoemission study of a vacancy-induced state in substoichiometric VC

A vacancy induced state has been identified at about 1.8eV binding energy on the (100) face of VC_0.80 using angle-resolved photoelectron spectroscopy. The recorded spectra are compared with calculated spectra for VC_1.0 and the results show that the origin of the observed state cannot be accounted for by the energy band structure of VC_1.0. Photoemission spectra recorded after exposing the clean surface to O₂ and CO are also presented and used in a discussion of the sensitivity of the vacancy induced state to surface contamination.     

Influencing range of vacancy defects in zigzag single-walled carbon nanotubes

The influencing range of a vacancy defect in a zigzag single-walled nanotube is characterized with both structural deformation and variation in bandstructure. This paper proposes a microscopic explanation to relate the structural deformation to the bandstructure variation. With an increasing defect density, the nanotubes become oblate and the energy gap between the deep localized gap state and the conducting band minimum state decreases. Theoretical results shed some light on the local energy gap engineering via vacancy density for future potential applications.