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1.3μm注入锁定半导体激光器及其远场特性 总被引:1,自引:1,他引:1
报道了利用1.3μm分布反馈(DFB)半导体激光器注入锁定普通半导体激光器后的模式及其远场分布特性实验。在不加隔离器和主被协激光器偏振方向相互垂直的情况下,获得了静态和动态单纵模运转,并观察和测量了普通半导体激光器注入锁定前后输出光的远场分布,最后对实验结果进行了讨论。 相似文献
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研究了InGaAsP/InP双异质结发光管在老化,存储过程中的退化现象及其影响因素.有快慢二种退化模式,正向I-V特性变坏是产生突然退化的最主要因素,焊料的润湿不良是导致器件退化的原因之一;在70℃,85℃老化及存储过程中,个别器件有源区内有DSD产生并长大,这并不是引起突然退化的原因. 相似文献
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InGaAsP—InP大光腔结构激光器 总被引:3,自引:1,他引:2
本文针对影响InGaAsP-InP激光器温度特性的各种因素,设计并制备了大光腔(LOC)结构激光器.实验表明,这种结构改善了激光器的温度稳定性,获得了低阈值(宽接触型器件J_(th)≈2.5kA/cm~2),高功率(脉冲输出3W)和高特征温度(T_o=150K)器件. 相似文献
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本文研究了用低压金属有机化合物汽相外延(LP-MOCVD)技术在(100)InP衬底上生长InGaAsp体材料及InGaAP/InP量子阱结构材料的生长条件。三甲基镓(TM63)、三甲基铟(TMh)和纯的砷烷(A8H3)、磷烷(PH3)分别用作Ⅲ族和Ⅴ族源,在非故意掺杂情况下,InGaAsP材料的载流子浓度为3.6×1015cm-3;在液氦温度和室温下,与InP晶格匹配的InGaAsP光致发光半峰宽分别为19.2meV和63meV;对外延层的组分及厚度均匀性分别进行了转靶X光衍射仪,低温光致发光和扫描电子显微镜分析,对不同阱宽的量子阱结构材料测出了由于量子尺寸效应导致光致发光波长随阱宽增加而红移现象。 相似文献
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本文对发射波长为1.3μm,具有不同脊形波导宽度InGaAsP激光器的TE,TM模偏振输出特性进行了测量,实验观察到脊形波导比较窄的器件具有TE,TM模竞争现象,而脊形波导比较宽的器件在阈值电流以上,只有TE模激射,没有模式竞争。利用偏振度概念计算了阈值电流以上和阈值电流以下的偏振度,并对其进行了讨论。本文指出,只要严格选择激光器的参数,并控制环境温度,合理使用器件,就可获得稳定的偏振输出,而不必 相似文献
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本文用考虑了增益饱和和热效应的耦合速率方程,对减反射涂层结构1.3μmInGaAsP/InP超辐射发光二极管的输出特性进行了计算,给出了腔长、有源层厚度和后腔面反射率对其输出光功率的影响以及光谱半宽随腔长和注入电流的变化。计算结果与我们制备的该结构超辐射发光二极管测试结果有较好的符合。 相似文献
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1.3μmDFB半导体激光超短脉冲的产生及其压缩 总被引:1,自引:1,他引:1
本文首次报道1.3μm单模超短脉冲产生及压缩实验。通过梳状波电脉冲直接调制DCPBH-DFB半导体激光器,获得22ps单模光滑脉冲;然后利用G-T干涉仪压缩得到近变换极限超短脉冲。脉宽为9.3ps,峰值功率超过200mW,重复频率1GHz,时间带宽乘积为0.39,脉冲压缩比为2.4。最后对实验结果进行了讨论。 相似文献
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为了稳定半导体激光器激射光束在光纤传输过程的耦合效率,提出一种沟槽结构的半导体激光器,并对该结构激光器的光束、耦合效率及P-I特性进行研究。在普通条形半导体激光器的脊形区刻蚀了周期性的沟槽结构,来改善半导体激光器有源区的增益分布。通过对比普通结构与沟槽结构半导体激光器的光束分析,测试其耦合效率以及P-I特性。结果表明:沟槽结构的半导体激光器能够使光腔内模式更加稳定,输出光束更加集中,并避免了"Kink"效应的发生;与此同时,耦合效率提高至97.7%,并且较普通结构激光器更为稳定。沟槽结构半导体激光器有效地解决了光斑跳动问题,稳定了激光器的耦和效率。 相似文献
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高功率808nm InGaAsP—GaAs分别限制结构的半导体激光器 总被引:1,自引:0,他引:1
介绍了研究分别限制结构InGaAsP-GaAs半导体激光器所得到的最新成果。利用引进的俄国技术,基于量子阱结构的InGaAsP-GaAs激光器,可用短时间液相外延技术制造。在GaAs衬底上制成的InGaAsP-GaAs分别限制结构的激光器,主要参数如下:发射波入λ=808nm,阈值电流密度J=300A/cm^2,对于条宽ω=100μm的激光器,连续功率为1-2W。 相似文献
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经历了40年的发展,半展体激光器已经成为激光大家族中的极为重要的一员,由它引申发展的半导体光子学,集成光电子学已成为信息高科技的重要支柱,正在推动着诸如光通信光信息处理,光互连,光计算等重要的前沿应用领域的发展。文从原理,结构出发,按其发阶段的有机地简略回顾了同质结构,异质结构,量子阱结构,分布布拉格反馈结构,垂直腔面发射结构以及最新发展的单极性注入半导体激光器的进展及其主要应用,同时对其未来的 相似文献
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本文研究了用低压金属有机化合物汽相外延(LP-MOCVD)技术在(100)InP衬底上生长InGaAsp体材料及InGaAP/InP量子阱结构材料的生长条件。三甲基镓(TM63)、三甲基铟(TMh)和纯的砷烷(A8H3)、磷烷(PH3)分别用作Ⅲ族和Ⅴ族源,在非故意掺杂情况下,InGaAsP材料的载流子浓度为3.6×1015cm-3;在液氦温度和室温下,与InP晶格匹配的InGaAsP光致发光半峰宽分别为19.2meV和63meV;对外延层的组分及厚度均匀性分别进行了转靶X光衍射仪,低温光致发光和扫描电子显微镜分析,对不同阱宽的量子阱结构材料测出了由于量子尺寸效应导致光致发光波长随阱宽增加而红移现象。 相似文献
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为了提高2μm InGaAsSb/AlGaAsSb半导体激光器的最大输出功率,减小远场垂直发散角并实现单模稳定输出,在非对称波导结构的基础上设计了具有双波导结构的2μm InGaAsSb/AlGaAsSb半导体激光器.同时,利用相关的物理模型及SimLastip程序语言构建了InGaAsSb/AlGaAsSb Macro文件,利用SimLastip软件对具有不同结构的2μm InGaAsSb/AlGaAsSb半导体激光器进行了数值模拟分析.研究结果表明,双波导结构可以将半导体激光器的有源区限制因子由0.019 2减小至0.011 3,器件的最大输出功率提高了1.7倍,远场垂直发散角由57°减小到48°,器件性能得到了改善. 相似文献
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新型半导体激光器——ZnO紫外激光器 总被引:5,自引:0,他引:5
最近人们发现在室温下ZnO薄膜能产生强烈的光受激辐射,这表明此种材料可用于制造紫外光半导体激光器,此种激光器在光信息存在贮上有广泛应用。文章介绍了最近几年来用不同方法制备的ZnO薄膜的光受激辐射的研究进展。 相似文献
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