硅中E_c-O.18 eV铜能级的单轴应力深能级瞬态谱研究

首次用单轴应力下的深能级瞬态谱法研究了N型直拉硅中与铜有关的主要深能级E_c-0.18eV.由实验结果推断,这个能级对应于硅中两个不同的铜中心,其深能级的激活能十分接近,单轴应力使偶然简并解除从而将它们分开.     

多孔硅深能级谱的测试

测试了几种不同条件下制备的多孔硅样品的深能级谱（DLTS）。结果发现，其深能级都处于禁带深处，其位置和相对浓度随样品不同而不同。对测得的谱线进行了计算和分析，并联系多孔挂的表面状态作了分析和讨论。     

硅中与钯相关的深能级的研究

本文采用多种硅材料,对扩Pd快速淬火在硅中引入的两个与Pd相关的新能级E_A(E_c-0.37eV)、E_B(E_c-0.59eV)进行了系统的实验研究,结果进一步支持了E_A和E_B属于同一缺陷的不同能量状态的看法,但发现缺陷的微观构成与B无直接关联,而很可能同间隙Pd与硅中本征空位缺陷形成的络合物相关.     

硅的钴溅射引进深能级的研究

利用DLTS技术详细研究了经钴溅射并在不同温度下的RTA在n型和p型硅里引进的深能级。结果表明在n型硅里有五个深能级生成,这些能级的浓度较低,分布在2×10~(10)—1×10~(11)cm~(-3)范围内。它们可归因于替位的钴原子,钴与RTA的互作用或钴与缺陷的络合物。     

高阻硅中深能级与少子寿命的研究

本文测量了ｎ型高阻硅在９种不同浓度的金掺杂前后少子寿命的变化，以及两类不同电阻率的ｎ型高阻硅在７种不同辐照剂量的１ＭｅＶ高能电子辐照前后少子寿命的变化；测量了金掺杂和高能电子辐照在硅中引入的主要深能级；研究对比金掺杂和高能电子辐照对硅单晶性能的影响及其在提高电子器件开关速度方面的应用。     

硅中铜的深能级研究

本文用DLTS法测量了直拉硅和区熔硅中与铜有关的深能级及其俘获截面,测量了其中部分能级的空间分布,研究了区熔硅中与铜有关深能级的退火特性。结果表明在硅中与铜有关的深能级中不存在文献报道过的代位铜的三个受主态或一个施工和三个受主态,其中的多数能级是铜和晶格缺陷的络合物。     

扫描深能级瞬态谱技术（SDLTS）

深能级瞬态谱(DLTS)技术是研究半导体中深能级杂质与缺陷的有效手段。但是它给出的信息是在一个比较大的范围内的平均值,不能给出微区域深能级的空间分布。而半导体材料的不均匀性往往是受深能级杂质或缺陷的不均匀分布所控制的。所以研究与测量深能级的空间分布以及它们之间的关系,对于提高半导体材料的质量与半导体器件的性能具有十分重要的意义。为此,我们在光注入深能级电流瞬态谱(OTCS)技术的基础上,建立了一种所谓扫描深能级瞬态谱(SDLTS)技术。进行了半绝缘砷化镓中深能级及其空间分布的测量工作。     

MOS结构深能级瞬态谱的测试与分析

叙述了一种采用MOS结构研究半导体深能级陷阱的深能级瞬态谱(DLTS)测试与分析方法。该方法简便易行,适用范围广。通过对n-Al_(0.2)Ga_(0.8)As中深能级的研究表明,MOS结构和p~+-n结构的DLTS结果相同。     

GaAsP混晶中Te施主深能级的研究

用深能级瞬态谱(DLTS)方法研究了组分范围为x=0.11-0.95的掺Te的GaAs_(1-x)P_(?)混晶中的深能级.结果表明:样品中出现的深能级可分为A,B,C三类,其发射率激活能各约为:E_(?)~A=0.18ev,E_(?)~B=0.28eV,E_(?)~C=0.38eV.其中只有A能级在x=0.23-0.95间的所有样品中出现,B和C能级的出现不存在明显的规律性.进一步研究了A能级的性质后,认为它来源于Te替位杂质的DX中心,而B、C能级的性质可能比较复杂.     

快速傅里叶变换深能级瞬态谱测试系统

提出了一套快速傅里叶变换深能级瞬态谱（FFT-DLTS）测试系统,分析了该系统的硬件构成和软件流程,并给出了一个实例分析。最后,将FFT-DLTS与常规DLTS作了对比。     

Ni-Au/AlN/Si器件的深能级瞬态谱研究

对GaN器件制备过程中AlN缓冲层相关的电活性缺陷进行了C-V和深能级瞬态谱(DLTS)研究。C-V研究结果表明,制备态Ni-Au/AlN/Si MIS器件中,靠近AlN/Si界面处的掺杂浓度为4.4×10¹⁷cm-3,明显高于Si衬底的1.4×10¹⁶cm-3,意味着制备态样品中Al原子已经向衬底硅中扩散。采用退火工艺研究了GaN器件制备过程中的热影响以及热处理前后电活性缺陷在硅衬底中的演变情况,发现退火处理后,Al原子进一步向衬底硅中更深处扩散,扩散深度由制备态的500nm左右深入到1μm附近。DLTS研究结果发现,在Si衬底中与Al原子扩散相关的缺陷为Al-O配合物点缺陷。DLTS脉冲时间扫描表明,相比于制备态样品,退火态样品中出现了部分空穴俘获时间常数更大的缺陷,退火处理造成了点缺陷聚集,缺陷类型由点缺陷逐渐向扩展态缺陷发展。     

深能级瞬态谱（DLTS）技术应用于半导体器件的失效分析

开展半导体器件管芯特性异常的失效分析,需要从原子分子的观点来解释器件电特性异常的原因,笔者把深能级瞬态谱（ＤＬＴＳ）技术应用于半导体器件的失效分析,测定了不同半导体器件的ＰＮ结构和肖特基势垒结耗尽层的微量重金属杂质和缺陷引起的深能级中心浓度,能级位置。用失效样品和正常样品的以上微观物理量的差异来解释半导体器件电特性异常的原因,得到了满意的结果。笔者用ＤＬＴＳ技术解决的失效分析问题包括：１．随频率的     

注硅不掺杂半绝缘GaAs中的深能级缺陷

用DLTS法对经两步快速热退火(RTA)后的注硅不掺杂SI-GaAs中的缺陷进行了研究。确定了激活层中存在着两个电子陷阱组(以主能级ET1、ET2标记)及其电学参数的深度分布。在体内,ET1=Ec0.53eV,n=2.310-16cm2;ET2=Ec0.81eV,m=9.710-13cm2;密度典型值为NT1=8.01016cm-3,NT2=3.81016cm-3;表面附近,ET1=Ec0.45eV,NT1=1.91016cm-3;ET2=Ec0.71eV,NT2=1.21016cm-3,分别以[AsiVAs,AsGa]和[VAsAsiVGaAsGa]等作为ET1和ET2的缺陷构型解释了它们在RTA过程中的行为。     

用Laplace谱研究缺陷深能级精细结构

用Laplace谱隐谱仪（LDS）实验研究了GaAsP中Fe深受主上空穴发射和AlGaAs中SnDX中心上电子发射引起的非指数瞬态,发现它们起因子混晶无序效应。与DLTS的单一谱峰比较,LDS谱呈现出多峰结构,由深能级上空穴与电子热发射率随温度关系的直线拟合,得到多峰结构各峰谱的激活能,认为它们反映杂质深中心与其近邻原子的不同结构。研究表明,LDS适用于深能级精细结构的研究。     

计算机控制和处理的深能级瞬态谱研究

本文建立了高速(100kHz)计算机数据采集系统,研究了二分式率窗、正弦窗等几种新的深能级瞬态讯号处理方法和谱线的后处理方法,编制了全部机器语言软件在计算机数据采集系统上实现了这些方法。该系统硬件简单、处理方法灵活,可给出高质量的DLTS谱线,通过后处理还可进一步提高分辨率和信噪比,可用于各种场合下的实时测量。利用该系统对硅中金受主能级进行测量,所得结果与文献报导相一致。