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本文采用阳极氧化法剥层技术和扩展电阻法研究了砷离子注入硅中的高温瞬态热退火行为;测定了退火后杂质分布结深和杂质激活率,并与理论结果进行了比较。结果表明:120keV 砷注入5×10~(15)cm~(-2),经1180℃3分钟退火后,杂质激活率和再分布情况都比较理想。本研究首次采用扩散炉进行高温热退火。 相似文献
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Si^+注入GaAs及其退火中SiO2包封的作用 总被引:1,自引:0,他引:1
对Si^+注入GaAs的前后及其退火的前后用和不用SiO2包封进行了对比实验。包封退火大大提高了注入离子的激活率;在包封退火的情况下,光片注入的要比贯穿注入的载流子分布窄。所以,光片注入后包封退火较实用,它使载流子分布窄,激活率高。 相似文献
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周继承 《固体电子学研究与进展》1999,19(4):423-427
用四探针法、扩展电阻法、背散射沟道谱和二次离子质谱等测试分析手段研究了Si+ /B+ 双注入单晶硅的快速热退火行为。结果表明:Si+ 预非晶化注入能有效地抑制注入硼原子的沟道效应;快速热退火Si+ /B+ 注入样品,其注入损伤基本消除,残留二次缺陷少,硼原子电激活率高;优化与控制快速热退火条件和Si+ /B+ 注入参数,制备出了电学特性优良的浅p+ n 结,其二极管反偏漏电流仅为1.9 nA·cm - 2(- 1.4V)。 相似文献
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在SI—GaAs Si~+注入层中共同注入P~+可以改进注入层的电特性。P~+的共同注入提高了注入层的激活率和平均霍耳迁移率。对于Si~+注入的剂量和能量分别为4×10~(12)cm~(-2)/30keV+5×10~(12)cm~(-2)/130keV的样品,得到了激活率为75~85%,平均霍耳迁移率为4600~4700cm~2/Vs的结果。另一方面,P~+注入改进了有源层与衬底的界面特性。肖特基势垒技术测量表明,P~+共同注入的样品表现出更好的迁移率分布。深能级瞬态谱(DLTS)测量表明,P~+共同注入降低了激活层中的深能级密度。 相似文献
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本文对30keV Si~+和分子离子S_1F~+注入半绝缘GaAs的行为进行了研,究注入Si~+样品的Si原子纵向分布,与相同条件下用SICT模拟程序理论计算出的分布相一致,经灯光900℃10秒RTA,电激活率可达60%,电化学C—V测得的载流子纵向分布与注入态SIMS结果相同,可以获得近0.2μm的GaAS有源层。而注入分子离子SiF~+样品,虽注入层较浅,但灯光退火后,电激活率很低。因此,用分子离子SiF~+注入以形成GaAs超薄有源层是不相宜的。此外,根据X—射线双晶衍射的结果还对GaAs注入Si~+和SiF~+的退火行为进行了讨论。 相似文献
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利用灯光瞬态退火处理Si,S离子注入SI-GaAs样品,在950℃5秒的条件下得到了最佳的电特性,Be,Mg离子注入SI-GaAs样品在800℃ 5秒退火得到了最佳的电特性.Si,S,Be注入GaAs样品在适当的条件下得到了陡峭的载流子剖面分布,而Mg注入的样品有Mg的外扩散和较大的尾部扩散.透射电镜测量表明,Si低剂量和Be大剂量注入退火后单晶恢复良好,而Si和Mg大剂量注入退火后产生了大量的二次缺陷.应用Si和Mg注入GaAs分别制作了性能良好的MESFET和β=1000的GaAIAs/GaA,双极型晶体管(HBT). 相似文献
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利用卢瑟福背散射及沟道技术研究了 2 Me V Er+ 以不同剂量注入硅 (10 0 )所引起的辐射损伤及其退火行为 .采用多重散射模型计算了 2 Me V 1e14/cm2 注入硅 (10 0 )引起的损伤分布 ,并与 TRIM96模拟得到的结果进行了比较 .结果表明计算得到的损伤分布与 TRIM96模拟的损伤分布完全符合 ;实验结果表明 Me V Er+ 注入后硅样品的退火行为与注入剂量及退火温度紧密相关 .随着退火温度的变化 ,注入剂量为 5e14/cm2 及其以上的样品存在反常退火行为 相似文献
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本文报告了P_(31)~+离子注入Si中快速退火的电特性研究结果。采用高精度四探针测量了P_(31)~+注入层在不同注入剂量下,薄层电阻与退火温度和退火时间的关系。采用自动电化学测量仪PN-4200,测量了P_(31)~+离子注入Si中的载流子剖面分布。 相似文献
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Close contact rapid thermal annealing of semi-insulating GaAs:Cr implanted with Si, Si + Al, and Si + P has been studied using
variable temperature Hall effect measurements and low temperature (4.2K) photoluminescence (PL) spectroscopy. Isochronal (10
sec) and isothermal (1000° C) anneals indicate that As is lost from the surface during close contact annealing at high anneal
temperatures and long anneal times. Samples which were implanted with Si alone show maximum activation at an annealing temperature
of 900° C, above which activation efficiency decreases. Low temperature Hall and PL measurements indicate that this reduced
activation is due to increasing auto-compensation of Si donors by Si acceptors at higher anneal temperatures. However, co-implantation
of column V elements can increase the activation of Si implants by reducing Si occupancy of As sites and increasing Si occupancy
of Ga sites, and therebyoffset the effects of As loss from the surface. For samples implanted with Si + P, activation increases continuously up to a maximum at an anneal temperature
of 1050° C, and both low temperature Hall and PL measurements indicate that autocompensation does not increase in this case
as the anneal temperature increases. In contrast, samples implanted with Si + Al show very low activation and very high compensation
at all anneal temperatures, as expected. The use of column V co-implants in conjunction with close contact RTA can produce
excellent donor activation of Si implanted GaAs. 相似文献
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