VDMOSFET特征导通电阻实用物理模型

较系统地分析了正方形单胞结构VDMOSFET的特征导通电阻与结构参数间的关系.详细地介绍了一种新型实用的VDMOSFET的特征导通电阻的物理解析模型,并对模型给出的理论值与实验结果进行了比较,二者吻合得很好.     

低压VDMOSFET导通电阻的优化设计

对低压VDMOSFET导通电阻Ran的各个构成部分进行了理论分析,较为详细地讨论了窗口区和多晶硅栅区的尺寸和比例对器件的导通电阻的影响,通过这些分析和计算,得出了VDMOSFET单元设计的最佳原则,并给出了低压条件下最佳单元尺寸。     

六角形单胞功率VDMOSFET特征导通电阻模型

介绍了六角形单胞功率VDMOSFET特征导通电阻的数学模型，计算了不同漏源击穿电压下，各种电阻分量在特征导通电阻中所占的比例，分析了阻值随电压变化的原因。     

VDMOSFET的Tox与特征导通电阻RonA的关系

介绍了功率VDMOSFET导通电阻的模型，重点讨论了栅SiO2厚度Tox对特征导通电阻RonA的影响，经过大量的理论计算，给出了击穿电压为20V时VDMOSFET的Tox与RonA的关系曲线，首次提出最佳单胞尺寸与Tax有关。     

条形栅VDMOS特征导通电阻的物理模型

详细地介绍了一种新型实用的VDMOSET特征导通电阻的物理解析模型.该模型不仅物理概念清晰,有利于定型指导器件的研制和生产,而且简单、实用.     

UDMOSFET特征导通电阻物理模型

简要介绍了UDMOSFET的结构和工作原理,重点讨论了特征导通电阻（）与结构参数的关系,给出了的数学模型．该模型具有形式简单、结果准确和使用方便的特点．     

VDMOSFET的最佳化设计研究(500V)

以正方形单胞为例,较系统地分析了VDMOSFET的特征导通电阻与结构参数之间的关系.重点讨论了N沟道VDMOSFET的P~-体扩散区结深X_(jp)-和栅氧化物厚度T_(ox)对器件特征导通电阻R_(onA)的影响.首次给出了多晶硅窗口区尺寸P_w和多晶区尺寸P_T的最佳化设计比例P_w/P_T与x_(jp)-和T_(ox)的关系.最后阐述了器件的最佳化设计思想.     

高压VDMOSFET的最佳设计

介绍了功率VDMOSFET导通电阻的模型,重点讨论了PW与PT对特征导通电阻RonA的影响,经过大量的理论计算,给出了击穿电压为500V,TOX与RonA的关系曲线.首次提出RonA与PW/PT有最佳比例关系.     

500V／0．4ΩVDMOSFET导通电阻的优化设计

介绍了VDMOSFET工作原理和VDMOSFET导通电阻的组成.利用Mathematica软件作出了VDMOSFET单胞电阻随Lw与Lp变化关系的三维曲线图.以500 V/0.4 Ω VDMOSFET 为例对导通电阻进行优化设计.     

VDMOSFET的最佳设计

以正方形单胞为例,较系统的分析了VDMOSFET的物理机制及其工作原理,并通过大量计算找出多晶硅窗口区尺寸Lw和多晶硅尺寸Lp的最佳设计比例,阐述了器件的最佳化设计思想.     

用扩展电阻法研究陶瓷微区电导性能

本文把扩展电阻法应用于陶瓷微区电导性能研究.建立了微区的定位标识系统,可精确、方便地对选定的微区进行电导性能及组分的重复测定.该方法在研究Ba(Sn_(1-x)Sb_x)O_3、ZnO及BaTiO_3半导体瓷应用中得到有意义的结果.     

VDMOSFET的终端优化设计

主要介绍了VDMOSFET的终端优化设计,讨论了已有终端结构中的场环、场板技术,工作原理,以一种新型的高频VDMOSFET与模拟栅相结合的结构为例,详细讨论了场板在减少反馈电容、提高器件的击穿电压、降低导通电组、改善跨导、提高输出电阻、改进安全工作区方面的理论机制及作用。     

低气压等离子喷涂TiO_2涂层的电学性能研究

本文利用改变低气压等离子喷涂(LPPS)TiO_2时工艺参数的方法,发现了TiO_2涂层还具有优良的电学性能。得出涂层的电导率与喷涂过程中TiO_2的氧分解量成比例增加,但涂层中的Ti_2O_3含量对电导率影响较大。涂层的光电流-电位特性依赖于涂层结构,当金红石形TiO_2涂层中含有适量的Ti_3O_5和Magneli相时,表现出最佳光电流-电位特性,并与光强度成正比例关系,若涂层全部由金红石形TiO_2或Ti_2O_3,Ti_3O_5和Magneli组成时,光电流-电位特性消失。     

AgI的高压电学性质

利用在金刚石对顶砧上集成的微电路, 高压原位测量了AgI的电导率, 实验观察电导率随压力的变化规律, 并在不同压力下, 测量了岩盐相结构AgI的电导率随温度(293~443 K)的变化关系, 实验结果表明, ln(σT)与10³T^-1近似呈线性关系. 计算了传导离子浓度和Frenkel缺陷扩散的激活能, 并测量了KOH型结构AgI的电导率与温度和压力间的关系, 得到压力高于20 GPa时的能隙与压力关系.      

二电极法在导电水泥电阻测试中的应用研究

利用石墨作为导电相材料,配制出水泥基导电复合材料,采用包括直接读取法和伏安法的二电极法对导电水泥的电阻进行了测试应用研究,通过比较两种不同方法的实验结果,得出了伏安法测试技术合理可行的结论,为研究导电水泥电阻测试方法提供了一定的参考。     

关于用四针法测量条形导电纸电阻的研究

该文将本来用于测量金属材料电阻的四针法移植到导电纸上。导电纸的均匀性比金属差,但只需小电流即能工作。研究表明,该方法对无限大平面导电纸是可行的。继而对管形导电纸作了尝试。最后对条形导电纸的电阻测量总结出经验公式,把四针法测电阻的适用范围推进了一步     

双截面电阻层析成像系统设计

为了扩展电阻层析成像系统的测量范围,提出了一种采用电压激励、电流测量模式的双截面电阻层析成像(ERT)系统,可避免因负载电阻增大而导致的电压饱和现象.分析了双截面ERT系统采用异步工作模式的不足,提出了双截面同步工作模式,并给出了该模式下的三维敏感场有限元仿真方法.实验结果表明,该系统的测量数据相对变化量的均方根误差最大值不超过0.15%,各通道测量数据的标准方差可控制在0.03%～0.12%之间,显示出良好的数据重复性及通道一致性.竖直管内的气/液两相流实验表明,系统测量范围得到了有效扩展,该双截面ERT系统可实现两相流的在线测量,实现流型和截面气体持率的在线监测.